Transistor IGBT.

Sergio Alejandro Patio Mireles.

Adrin Salazar Rodrguez.
Jorge Alexis Huerta Delgado.

Transistor IGBT.
Componente electrnico diseado para controlar
principalmente altas potencias, en su diseo est
compuesto por un transistor bipolar de unin BJT
y transistor de efecto de campo de metal oxido
semiconductor MOSFET.

Introduccin
Durante mucho se tiempo se busco la forma de
obtener un dispositivo que tuviera una alta
impedancia de entrada y que fuera capaz de manejar
altas potencias a altas velocidades, esto dio lugar a la
creacin de los Transistores bipolar de puerta aislada
(IGBT). Los transistores IGBT han permitido desarrollos
que no haban sido viables hasta entonces y se
describirn ms adelante.

 El mismo se puede identificar en un circuito con la

simbologa mostrada en la siguiente figura.

Estructura
El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas
que se alternan (PNPN) que son controlados por un
metal-xido-semiconductor (MOS), estructura de la
puerta sin una accin regenerativa. Un transistor bipolar
de puerta aislada (IGBT) celular se construye de manera
similar a un MOSFET.

 Este dispositivo posee la caractersticas de las seales

de puerta de los transistores de efecto campo con la
capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin
del transistor bipolar, combinando una puerta aislada
FET para la entrada de control y un transistor bipolar
como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de
excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras
que las caractersticas de conduccin son como las del
BJT.

 En la figura se observa la estructura interna de un

IGBT, el mismo cuenta con tres pines Puerta (G),
Emisor (S) y Colector (D).

Funcionamiento
Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la
puerta, el IGBT enciende inmediatamente, la
corriente de colector IC es conducida y el voltaje
VCE se va desde el valor de bloqueo hasta cero.
La corriente IC persiste para el tiempo de
encendido en que la seal en la puerta es
aplicada. Para encender el IGBT, el terminal C
debe ser polarizado positivamente con respecto a
la terminal E. La seal de encendido es un voltaje
positivo VG que es aplicado a la puerta G.

 Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud

aproximada de 15 volts, puede causar que el tiempo
de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la
corriente de colector ID es igual a la corriente de carga
IL (asumida como constante). Una vez encendido, el
dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en
el G. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la
disipacin de potencia en la puerta es muy baja.
El IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de
voltaje VG de la terminal G. La transicin del estado
de conduccin al estado de bloqueo puede tomar
apenas 2 microsegundos, por lo que la frecuencia de
conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz.

 EL IGBT requiere un valor lmite VGE (TH) para el

estado de cambio de encendido a apagado y
viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de
este valor el voltaje VCE cae a un valor bajo
cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de
encendido se mantiene bajo, el G debe tener un
voltaje arriba de 15 V, y la corriente IC se
autolimita.

Caractersticas tcnicas
ICmax Limitada por efecto Latch-up.
VGEmax Limitada por el espesor del xido de
silicio.
Latemperaturamxima de la unin suele ser
de 150C (con SiC se esperan valores mayores)
Existen en el mercado IGBTs encapsulados que
soportan hasta 400 o 600 Amp.
En la actualidad es el dispositivo mas usado
para potencias entre varios kW y un par de MW,
trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

Ventajas
Entrada como MOS, Salida como BJT.
Velocidad intermedia (MOS-BJT).
Tensiones y corrientes mucho mayores que
MOS (1700V-400Amp).
Soporta tensiones inversas (no diodo en
antiparalelo).
Existen versiones canal n y canal p.

Desventajas
Presenta el efecto denominado Latch-Up
Un trmino usado en el mundo de loscircuitos
integradospara describir un tipo particular
decortocircuitoque puede ocurrir en uncircuito
elctricomal diseado.

Comparacin entre los

diferentes transistores de
potencia

Tabla de prestaciones y Regiones

de utilizacin.

Aplicaciones
El IGBT es un dispositivo electrnico que
generalmente se aplica a circuitos de
potencia. Este es un dispositivo para la
conmutacin en sistemas de alta tensin. Se
usan en los Variadores de frecuencia as como
en las aplicaciones en maquinas elctricas y
convertidores de potencia que nos acompaan
cada da y por todas partes, sin que seamos
particularmente conscientes de eso:
Automvil, Tren, Metro, Autobs, Avin, Barco,
Ascensor, Electrodomstico, Televisin,
Domtica, Sistemas de Alimentacin
Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc.