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Introduccin a los

Semiconductores

Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores


Semiconductor intrnseco

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

0K
Si: silicio
Grupo IV de
la tabla
peridica

Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores


Semiconductor intrnseco

Si

Si

Si

0K

Si

+
Si

Si

300
K

Electrn

Hueco
Si

Si

Si

Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores


Semiconductor intrnseco
: accin de un campo elctrico

Si

Si

Si

+
Si

Si

+
+

Si

Si

Si

Si

Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores


Semiconductor intrnseco
: accin de un campo elctrico

Conclusiones:
La corriente en un semiconductor es debida a dos
tipos de portadores de carga: HUECOS y
ELECTRONES
La temperatura afecta fuertemente a las
propiedades elctricas de los semiconductores:
mayor temperatura ms portadores de carga menor
resistencia

Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores


Semiconductor extrnseco
: TIPO N

Si

Si

Si

Si

Sb
Si
+

Si

Si

Si

Si

Sb:
antimonio
Impurezas
del grupo V
de la tabla
peridica
Es necesaria
muy poca
energa para
ionizar el
tomo de Sb

mperatura ambiente todos los tomos de impurezas se encuentran ioniz

Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores


Semiconductor extrnseco
: TIPO N
Sb
+
Sb
+

Sb
+

Sb
+
Sb
+

Sb
+
Sb
+

Electrones libres

Sb
+

Sb
+

Sb
+

Sb
+
Sb
+

Sb
+
Sb
+

Sb
+

Impurezas grupo V

Sb
+

300K

tomos de impurezas ionizados

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo N son


electrones libres

Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores


Semiconductor extrnseco
: TIPO P
Al: aluminio

Si

Si

Si

Si

Al
Si

Si

Si

Si

Si

Impurezas
del grupo III
de la tabla
peridica
Es necesaria
muy poca
energa para
ionizar el
tomo de Al

mperatura ambiente todos los tomos de impurezas se encuentran ioniz

Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores


Semiconductor extrnseco
: TIPO P
Al
Al
-

Al
-

Al
Al
-

Al
Al
-

Huecos libres

Al
-

Al
-

Al
-

Al
Al
-

Al
Al
-

Al
-

Impurezas grupo III

Al
-

300K

tomos de impurezas ionizados

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo P son


Huecos. Actan como portadores de carga positiva.

La unin P-N
La unin P-N en equilibrio
-

Semiconductor tipo P

+
+

+
+

Semiconductor tipo N

La unin P-N
La unin P-N en equilibrio
-

Zona de transicin

Semiconductor tipo P

+
+

+
+

Semiconductor tipo N

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una


zona de carga espacial denominada zona de transicin. Que
acta como una barrera para el paso de los portadores
mayoritarios de cada zona.

La unin P-N
La unin P-N polarizada inversamente

+
+

+
+

La zona de transicin se hace ms grande. Con polarizacin


inversa no hay circulacin de corriente.

La unin P-N
La unin P-N polarizada en directa

+
+

+
+

La zona de transicin se hace ms pequea. La corriente


comienza a circular a partir de un cierto umbral de tensin
directa.

La unin P-N
La unin P-N polarizada en directa

+
+

+
+

Concentracin de huecos Concentracin de electrones


+

La recombinacin electrn-hueco hace que la concentracin de


electrones en la zona P disminuya al alejarse de la unin.

La unin P-N
Conclusiones:
Aplicando tensin inversa no hay conduccin de
corriente
Al aplicar tensin directa en la unin es posible la
circulacin de corriente elctrica

DIODO SEMICONDUCTOR

INCISO: Representacin del componentes elctricos en diagrama V-I


I
V

+
V

Corto
(R = 0)

Abierto
(R = )

I
V

+
Batera

V
V

Resistencia
(R)

+
Fuente
Corriente

CARACTERSTICA DEL DIODO


Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y
bloquea o no permite la corriente inversa (se comporta como un cable
roto)
I
+

PRESENTA UN
COMPORTAMIENT
O NO LINEAL !!

V
-

DIODO REAL
nodo ctodo
p
A

i [mA]

Ge

n
K

Si
V [Volt.]

Smbolo

-0.25

Silicio
Germanio

I D I S e

V D q
K T

0.25

0.5

IS = Corriente Saturacin Inversa


K = Cte. Boltzman
VD = Tensin diodo
q = carga del electrn
T = temperatura (K)
ID = Corriente diodo

DIODO REAL (Distintas escalas)


Ge: mejor en conduccin
Si: mejor en bloqueo

i [mA]

i [mA]
30

Ge
Si

Si

Ge

V [Volt.]
-0.25

0.25

V [Volt.]
0

-4

0.5
i [A]

i [pA]

V [Volt.]
0

-0.5

Ge

V [Volt.]
0

-0.5

Si
-0.8

-10

DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES


I

I
Solo tensin
de codo
Ge = 0.3
Si = 0.7

Ideal

I
Tensin de codo y
Resistencia directa
V

Curva real
(simuladores,
anlisis
grfico)
V

DIODO: LIMITACIONES
Corriente mxima
I

Tensin inversa
mxima
Ruptura
de
Unin
avalancha

la
por

Lmite trmico,
seccin del
conductor

600 V/6000 A

200 V /60 A

1000 V /1 A

DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes


id
IOmax

1000V
Tensin inversa mxima
1A
Corriente directa mxima
OMAX (AV)=
1V Cada de Tensin directa
F =
Corriente inversa
R = 50 nA
R

VR
iS

Vd

NOTA:
Se sugiere con un buscador
VR =
100V
Tensin inversa mxima
IOMAX (AV)=
150mA Corriente directa mximaobtener las hojas de
caractersticas de un diodo
VF =
1V Cada de Tensin directa
IR = 25 nA
Corriente inversa
(p.e. 1N4007). Normalmente
aparecern varios fabricantes
para el mismo componente.

DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes

Tiempo de recuperacin inversa


iS

Baja frecuencia
frecuencia
Alta

iS

trr = tiempo de recuperacin inversa


A alta frecuencia se aprecia un intervalo en el cual el diodo
conduce corriente inversa.

DIODOS ESPECIALES
Diodo Zener (Zener diode)

Tensin
Zener
(VZ)

La ruptura no es
destructiva.
(Ruptura Zener).
En la zona Zener se
comporta como una fuente
de tensin (Tensin Zener).

V
Lmite mximo
Normalmente,
lmite de potencia
mxima

Necesitamos, un lmite de
corriente inversa.
Podemos aadir al modelo
lineal la resistencia Zener.
Aplicaciones en pequeas
fuentes de tensin y
referencias.

DIODOS ESPECIALES
Diodo LED (LED diode)

Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode

El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la


unin PN polarizada directamente emiten fotones (luz) de una
cierta longitud de onda. (p.e. Luz roja)

DIODOS ESPECIALES

Fotodiodos (Photodiode)

i
V
0

iopt

Los diodos basados en compuestos III-V,


presentan una corriente de fugas
proporcional a la luz incidente (siendo
sensibles a una determinada longitud de
onda).

Estos fotodiodos se usan en el tercer


cuadrante. Siendo su aplicaciones
principales:
COMENTARIO
Sensores de luz (fotmetros)
Los diodos
normales presentan variaciones
Comunicaciones
en la corriente de fugas proporcionales a la
Temperatura y pueden ser usados como
i
sensores trmicos

El modelo puede ser una


fuente de corriente
dependiente de la luz o de
la temperatura segn el
caso

I = f(T)

V
T1
T2>T1

DIODOS ESPECIALES
Clulas solares (Solar Cell)

i
VCA

iCC

V
Zona
uso

Cuando incide luz en una unin PN,


la caracterstica del diodo se
desplaza hacia el 4 cuadrante.
En este caso, el dispositivo puede
usarse como generador.

DIODOS ESPECIALES
Diodo Schottky (Schottky diode)
Unin Metal-semiconductor N. Producindose el
llamado efecto schottky.
La zona N debe estar poco dopada.
Dispositivos muy rpidos (capacidades asociadas
muy bajas).
Corriente de fugas significativamente mayor.
Menores tensiones de ruptura.
Cadas directas mas bajas (tensin de codo 0.2
V).
Aplicaciones
El efecto
SchottkyDigital
fue predicho
en Electrnica
y en
Electrnica tericamente
de Potencia en 1938 por Walter H.
Schottky

ASOCIACIN DE DIODOS

Puente rectificador
Monofsico

Diodo de alta tensin


(Diodos en serie)

Trifsico

DISPLAY
-

APLICACIONES DE DIODOS

Detectores reflexin de
objeto

Detectores de barrera

APLICACIONES DE DIODOS

Sensores de luz: Fotmetros


Sensor de lluvia en vehculos
Detectores de humo
Turbidmetros
Sensor de Color

Objetivo

LED azul
LED verde

LED rojo

Fotodiodo

LED

COMENTARIOS SOBRE CIRCUITOS


Los diodos (y el resto de dispositivos electrnicos) son
dispositivos no lineales.
Cuidado, no se puede aplicar el principio de superposicin!

EJEMPLO TPICO:
RECTIFICADOR

VE

VS

+
t

VE

VMAX
R

VE
t

VMAX

VS

ID

VD

RECTA DE CARGA Y PUNTO DE FUNCIONAMIENTO


CIRCUITO
LINEAL

ID
RTH

VTH

+
VD
-

Caractersti
ca del diodo

VTH
RTH
ID

Caracterstica del
circuito lineal
(RECTA DE CARGA)

PUNTO DE
FUNCIONAMIENT
O
VD

VTH