Electrnica I

Dpto de Electrotecnia
F. I - UNCo
2009

Diodos
Introduccin

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

Dispositivos Electrnicos: El diodo como elemento de circuitos

Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores
La unin P-N.
Distintos tipos de diodos. Diodos especiales
Dispositivos no lineales. Curvas caractersticas. Recta de carga. Efecto de
superposicin
Caractersticas elctricas de un diodo semiconductor
Caracterstica real. Modelos de aproximacin.
Linealizacin de la caracterstica de un diodo.
Modelo para pequeas seales.
Modelo para RF.
Interpretacin de las caractersticas de un catlogo.
El diodo como elemento de un circuito: ejemplos de aplicacin

Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

Representacin del componentes elctricos en diagrama V-I

I
V

V
V

+
V

Corto
(R = 0)

V
V

Abierto
(R = )

Resistencia
(R)

+
V

Fuente
Corriente

Fuente de
Tensin

Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

Elementos no Lineales: Introduccin

El estudio de la electrnica esta centrado en circuitos que contienen
dispositivos no lineales.
Los circuitos no pueden ser resuelto mediante clculos matemticos directos.
Esto hace que en electrnica se obtengan soluciones aproximadas, utilizando
estimaciones y modelos no exactos.
Los elementos no lineales tienen una
caracterstica v-i que no puede ser expresada
en forma simple. Adems estos dispositivos no
obedecen al principio de superposicin. Por
consiguiente no es posible obtener el
equivalente Thevenin sencillo de un circuito que
contengan varios elementos no lineales

Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

Elementos no Lineales: Introduccin

Si se supone un dispositivo hipottico de dos terminales con la siguiente
caracterstica (ley cuadrtica):

i=

K(v VTr)

para v VTr

para v < VTr

i y v: son las variables en los

terminales del dispositivo.
K y VTr: son constantes
caractersticas del dispositivo

Estas condiciones nos dan la siguiente curva caracterstica:

i

K(v vTr)2

VTr

(v vTr)
Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

Elementos no Lineales: Introduccin

Se verifica el efecto de superposicin para el dispositivo anterior suponiendo
que K= 1mA/V2 y Vtr = 0, aplicamos sobre al circuito dos fuentes v 1=1V y
v2=3V.
El resultado es:

Por v1 1mA

v(V)
V1+ v2 = 4V

V2 = 3V

Vtr = 0

Por v2 9mA

V1 = 1V

K= 1mA/V2

Superposicin

i= K(v VTr)2

V1

V2

Por v1+v2 16mA

1+9 (mA)= 10(mA)

i(mA)

Los dispositivos no lineales tienen una caractersticas v-i que varia con el punto
de operacin
Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

Elementos no Lineales: Anlisis Grfico

Si bien se pueden aplicar las LVK y la LCK, las soluciones matemticas pueden
ser difcil o imposible. El mtodo grfico facilita el trabajo para circuitos que
contengan un elemento no lineal.
Se determina aqu el punto de operacin para un dispositivo (X) no lineal
conectado a un circuito resistivo, utilizando el mtodo grfico
ix

VTh

i(mA)

VTh/RTh

Lnea de Carga

Vx
IQ

Pendiente =-1/RTh

VQ

VTh

Rth

Punto de operacin

v(V)

La recta de carga que representa un circuito de Thevenin, puede ser dibujada sobre
la caracterstica v-i de cualquier dispositivo conectado al circuito
Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

Elementos no Lineales: Caractersticas v-i

Los diodos pertenecen a la familia de dispositivos conocidos con el nombre
de resistores no lineales de dos terminales. Estos dispositivos estn concebidos
para establecer una relacin entre la tensin y intensidad, consideradas stas
como variables reales (f=(v;i).
Se muestran caractersticas para
varios resistores de inters
prctico a los que prestaremos
atencin en este Tema;
respectivamente: a) el diodo de
unin, b) el diodo Zener, c) el
diodo tnel y d) el diodo de cuatro
capas. Dada su importancia
prctica, cada uno tiene su smbolo
propio, que se muestra anexo a su
curva caracterstica.
Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

Elementos no Lineales: Caractersticas v-i.

Hay dispositivos como el diodo de unin, que la relacin v-i se puede
obtener mediante el anlisis, formulando las ecuaciones que rigen el
movimiento de las cargas en el interior del dispositivo. Pero, en otros
esto no es posible. Hay que recurrir a un procedimientos
experimentales para obtener las curvas caractersticas. Luego se
usan tcnicas matemticas de aproximacin para obtener una frmula
cuya representacin sea lo ms cercana posible a la curva
experimentales.

Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

Elementos no Lineales: Caractersticas v-i.

Se distinguen tres tipos de resistores en funcin al tipo de relacin v-i:
Controlados por tensin. En stos cada valor de tensin define
unvocamente uno de intensidad, aunque lo contrario no tiene por qu
ser cierto, esto ltimo es lo que sucede en el caso del diodo tnel

i1

ia
i2
va1

v1

va2

v2

va3

Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

Elementos no Lineales: Caractersticas v-i.

Se distinguen tres tipos de resistores en funcin al tipo
de relacin v-i:
Controlados por intensidad. En stos cada valor de intensidad define
unvocamente uno de tensin, aunque lo contrario no tiene por qu
ser cierto. Un ejemplo de esto corresponde a la caracterstica del diodo de
cuatro capas (fig. d).

i2

i1
v2

Electrnica I

v1

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

Elementos no Lineales: Caractersticas v-i.

Se distinguen tres tipos de resistores en funcin al tipo de relacin v-i:
Resistores invertibles. Son tanto controlados por tensin como por
intensidad, como sucede con el diodo de unin y el zener. Desde el punto de
vista matemtico, la curva caracterstica de un resistor invertible debe ser
monotnica en su regin de definicin; esto es, la pendiente no puede tomar
valores positivos y negativos dentro de dicha regin.

i2
ia

i1

va

V1-2

Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

El diodo: Repaso unidad anterior

La unin P-N en equilibrio
-

Semiconductor tipo P

+
+

+
+

Semiconductor tipo N

Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

El diodo: Repaso
La unin P-N polarizada inversamente

+
+

+
+

La zona de transicin se hace ms grande. Con polarizacin inversa no hay

circulacin de corriente.

Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

El diodo: Repaso
La unin P-N polarizada en directa

+
+

+
+

La zona de transicin se hace ms pequea. La corriente comienza a circular a

partir de un cierto umbral de tensin directa.

Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

El diodo: Caractersticas v-i

La estructura interna de los diodos semiconductores de unin ya fue
tratada y se especifico que se forma en la frontera fsica de materiales
semiconductores tipos N y P. Es decir, creando dentro de
un semiconductor, como el Silicio, una zona donde predominan los huecos (P)
anexa a otra donde predominan los electrones (N).
Se recuerda adems que cuando se aplica una
tensin externa al diodo, las concentraciones de
portadores de la frontera de la unin varan
exponencialmente con la tensin, haciendo que la
corriente del diodo obedezca a la ecuacin:

iD= IS(e

vD/VT

1)

A: nodo
A

K: Ctodo

Smbolo

iD: Corriente del diodo

VD: Tensin aplicada

IS: Corriente de saturacin

: Coef. De emisin

Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

El diodo: Caractersticas v-i

IS: Su valor depende de la estructura, la composicin y la geometra del
dispositivo y puede variar dentro de un rango comprendido entre 10 -8 y 10-16A.
Tambin fuertemente dependiente de la temperatura; a mayor temperatura
mayor intensidad de saturacin (se duplica cada 10C aprx).
(coeficiente de emisin): Tambin dependiente de la estructura y la
composicin, y vara entre 1 y 2. Cambia con la intensidad (I).
VT (tensin trmica) : Dada por VT = kT/q
Donde k = 1.38x10-23 es la constante de Boltzmann; T es la temperatura
absoluta en K, y q es la carga del electrn. A temperatura ambiente de la
tensin trmica tiene un valor cercano a 25mV
En zona directa, para v>0 y si v> 4VT , la caracterstica del diodo puede ser
aproximadamente a:

iD= IS(ev /V )
D

Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

El diodo: Caractersticas v-i

La grfica de la ecuacin iD= IS(e v /V 1) (*) para un dispositivo tpico es:
D

En la curva caracterstica tpica de un

diodo de unin pn, se distinguen tres
zonas:
Zona Directa,
Zona Inversa,
Zona de Ruptura
Las zonas directa e inversa quedan
descriptas de manera unificada por la
expresin matemtica(*).
En la zona inversa, al aumentar mucho la cada de tensin, se observa que a
partir de cierto valor, llamado tensin de ruptura VR, la intensidad inversa
aumenta muy rpidamente con la tensin. En estas condiciones, el diodo puede
llegar a destruirse sino se limita la intensidad que circula por l y por tanto su
consumo de potencia.
Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

El diodo: Caractersticas v-i. Efecto de la temperatura

i [mA]

Ge

Is se incrementa +7,2%/C, es decir

Si

cada 10C Is se duplica

V [Volt.]

0.25

0.5

Comportamiento con la temperatura

T3<T2<T1

i [mA]

Vt=KT/q varia con la temperatura.

(Kt : Coeficiente de temperatura

es:

-2,5mV/ C (Ge);
-2mV/C (Si);

-1,5mV/C (Schottky)).
V [Volt.]

VD(Ta)-VD(T1)=Kt(T1-Ta)

0.5

VD3<VD2<VD3
Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

El diodo: Caractersticas v-i . Resistencia del diodo.

Como se ve en la curva, la resistencia del diodo
cambia en cada punto diferente de la misma,
esto es, mientras mas vertical sea la curva la
resistencia ser menor y tender a aproximarse
al valor ideal de 0
Para analizar este cambio de la resistencia
veamos la siguiente figura

En la grafica se representa la pendiente de la

curva que da la resistencia en un cierto punto
de la misma. Es decir:
Resistencia= VD / ID

Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

El diodo: Caractersticas v-i . Recta de carga

D1

i [mA]

iD

Recta de carga

Vii
V
Caract.
Dinmica

Caract.
Esttica

viMax /RL

RL

Vi /RL

Alimentacin CC

iiMax
vimin /RL

IQ
iimin

D1

vvii
0

VDQ

vimin

Vi

viMax

iD
RL

V [V]

Alimentacin CA

Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

El diodo: Modelos del diodo de unin.

Primera aproximacin: Se representa el

comportamiento de un diodo real mediante un

Diodo
Ideal

elemento de circuito el diodo rectificador ideal

Cerrado

con la caractersticas de la Fig.a. Estas

caractersticas forman una aproximacin de orden
cero al comportamiento real de un diodo. El
V

elemento de circuito diodo ideal equivale a un

circuito abierto en la zona inversa. Polarizado

Abierto

Figura a)

Para este anlisis no se

tiene en cuenta la zona de
ruptura

directamente la corriente se vuelva positiva, el

comportamiento equivale a un cortocircuito.
Existe un elemento que acta como este diodo y es
un interruptor como se ve en la figura a)
Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

El diodo: Modelos del diodo de unin.

I

Modelo de Diodo Ideal con Tensin de Corte.

Se puede aproximar el comportamiento real del

Vt

diodo de manera ms fidedigna utilizando un

modelo de primer orden. Si retomamos la

Vt

caracterstica real del diodo de la Fig b. Se puede

observar cmo la intensidad es pequea (0) para

Vt

valores de tensiones pequeos, aunque positivos, y

VD

slo crece de forma muy rpida cuando se alcanza

Vt
RL

un rango determinado de tensiones positivas (0,7V

Si y 0,3V Ge). A esta tensin el diodo se

Tensin en el diodo
VD =

Vt para V Vt
V para V < Vt

activa.
El diodo se asemeja a un interruptor en serie con
una fuente de 0,7V (Si).

Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

El diodo: Modelos del diodo de unin.

El modelo de diodo con tensin de corte y

pendiente finita se aproxima a la

Vt

RD

positivas aumentan linealmente con la tensin,

1/RD

de forma que el diodo real se representa

Vt
Vt

mediante un elemento de circuito cuya

Fig. c)

RD

caracterstica reales. Las intensidades

caracterstica es la mostrada en la Fig.c).

Con este modelo, el diodo equivale a un circuito

Ideal
V

Vt

abierto en la zona inversa, donde la cada de

RD
RL

tensin es V< Vt.

Por el contrario, el elemento entra en zona

Corriente en el diodo
ID =

(V-Vt)/(RD+RL) para V Vt
0 para V < Vt

directa, equivale a una fuente real de

tensin de valor Vt y resistencia interna RD.

Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

El diodo: Modelos del diodo de unin.

Modelo en ca
en baja
frecuencia

iD

iD

VD
vD

D1

id
iD

ID

vd(t)=Vm sen t

Pend.= 1/rd

t
VD

+
vd

id

vD
-

vD
VD-Vm

vd

rd

VD+Vm

vd(t)
t

rd: Resistencia dinmica o resistencia de ca

*

1/rd= gd= iD/vD|pto Q rd=nVT/ID

Cerca del pto. Q rd = RD

gd: Transconductancia de pequea seal

Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

El diodo: Modelos del diodo de unin.

Modelo en alterna en Alta Frecuencia
El diodo presenta dos
efectos capacitivos que
afectan las aplicaciones en
alta frecuencia

Zona de escasez de portadores mayoritarios (iones)

Agotamiento o transicin CT
Inyeccin de portadores minoritarios con polarizacin (+)
difusin

Capacidad de agotamiento (0.1 a 100pF*):

Capacidad de difusin (106 > CT)*:

CT= CT0/(1-VD/Vj)m

Cd=dqm/dvD|pto Q

m: Coeficiente de gradiente de la unin (0.33 a

0.5)
VD: Tensin de polarizacin del diodo (+ o -)
Vj: Potencial interno. Depende del material;

Cd= KdID
Kd: Constante

grado de impurezas y temperatura (0,5 a 0,9V)

ID: Corriente de polarizacin

CT0: Capacidad de agotamiento para tensin 0

Cd = 0 polarizacin inversa

Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

El diodo: Modelos del diodo de unin.

Modelo en alterna en Alta Frecuencia
A

D1

+
vd

Diodo

+qND

rd

Cd

Cj

-qNA

rr

vd

Cj

+
K

P. Directa

P. Inversa

xp

rd: Resistencia directa del diodo rd = en polarizacin inversa

rr: Resistencia de polarizacin inversa.
Cd: Capacidad de difusin. Cd = 0 en polarizacin inversa
Cj: Capacidad de agotamiento VD 0
Electrnica I

Curso 2009

xn

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

El diodo: Comportamiento en conmutacin

Vs
t
Carga

Vi
t

IDEAL

Vs

tri ~ ns

Is

tri
Concentracin
en Inversa

Concentracin
en Directa

t
REAL

pn
np
np0

pn0
x

np0

np

pn

pn0
x

Electrnica I

Corriente de Recuperacin inversa

Esta corriente puede producir la
destruccin del diodo

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

Caracterstica de Conmutacin del Diodo

Irr = (2Qrr di/dt)1/2 : Corriente de recuperacin inversa (trr ta)
ta: Almacenamiento de cargas en zona de agotamiento
tb: Almacenamiento de cargas en el cuerpo del semiconductor
tb/ta: factor de suavidad
Qrr: Carga de recuperacin inversa (rea en curva) =1/2I rrta+1/2Irrtb =
Qrr = 1/2Irrtrr

Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

Caracterstica de Conmutacin del Diodo

Respuesta a distintas frecuencias con un diodo con un tiempo de recuperacin
inverso de 5 ns
I

t (s)
0

1 MHz

t (s)
0

T = 200 tri

0.1

0.2

0.3

0.4

T = 20 tri

10 MHz
I

I
t ( s)
0

0.04

0.08

25 MHz

0.12

0.16

0.2

T = 8 tri

t (ns)
0

10

100 MHz
Electrnica I

20

30

40

T = 2 tri
Curso 2009

50

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

Caractersticas
Algunas de las caractersticas
encontradas en las hojas de datos
VR =
IOMAX (AV)=
VF =
IR =

1000V
1A
0.7V
50 nA

Tensin inversa mxima

Corriente directa mxima
Cada de Tensin directa
Corriente inversa

VR =
IOMAX (AV)=
VF =
IR =

100V
150mA
0.7V
25 nA

Tensin inversa mxima

Corriente directa mxima
Cada de Tensin directa
Corriente inversa

Electrnica I

Curso 2009

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

Electrnica I

Curso 2009