CMOS INVERTER FABRICATION PROCESS

Seth G.B Podar College, Nawalgarh, Rajasthan

15/12/2015

By
Dr. Yogesh Misra
College of Engineering & Technology
Mody University of Science & Technology, Laxmangarh
Rajasthan

CMOS INVERTER FABRICATION PROCESS

WWW.PPTMART.COM

CMOS Fabrication Process

[p-well method]

Si-substrate

Fig. (1) Pure Si single crystal

-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Fig. (2) n-type impurity is lightly doped

CMOS Fabrication Process

[Step- formation of p-well]

Thick SiO2
(1 m)

-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Fig. (3) SiO2 Deposited over si surface

CMOS Fabrication Process

[Step- formation of p-well]

-ve Photoresist

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Fig. (4) Photoresist is Deposited over siO2 surface

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[Step- formation of p-well]
UV Light

Mask-1

Photoresist
Mask-1 is used
for forming pwell

-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Fig. (5) Photoresist is Deposited over siO2 surface

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[Step- formation of p-well]

Photoresist

-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Fig. (6) Photoresist (soft) which is not exposed is etched away.

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[Step- formation of p-well]

Photoresist

-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Fig. (6) SiO2 which is not exposed is etched away.

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[Step- formation of p-well]

-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Fig. (6) Photoresist (hard) is etched away.

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[Step- formation of p-well]

- - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Thick SiO2
(1 m)

Fig. (7) p-type impurity is added to Si wafer through the window by diffusion process
.

CMOS Fabrication Process

[Step- formation of Diffusion area for p-MOS]

Mask-2
Mask-2 is used
for forming
diffusion area for
p-MOS

Photoresist

- - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (8) Photo resist is grown and exposed in UV Light.

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[Step- formation of Diffusion area for p-MOS]

Photoresist

- - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (9) Photoresist (soft) which is un-exposed etched away.

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[Step- formation of Diffusion area for p-MOS]

Photoresist

- - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (9) SiO2 is etched away.

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[Step- formation of Diffusion area for p-MOS]

- - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (10) Polymerised Photoresist (hard) is stripped away.

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[[Step- Gate formation for n-MOS and p-MOS]

- - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (11) Deposit Thinox

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[[Step- Gate formation for n-MOS and p-MOS]

- - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (12) Deposit Polysilicon

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[[Step- Gate formation for n-MOS and p-MOS]

- - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

-----------------------------------------Fig. (13) Deposit Photoresist

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[[Step- Gate formation for n-MOS and p-MOS]
Mask-3
Mask-3 is
used for the
formation of
Two GATEs

- - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (14) UV Light Exposure to form GATEs of P-MOS and n-MOS

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[[Step- Gate formation for n-MOS and p-MOS]
Mask-3
Mask-3 is
used for the
formation of
Two GATEs

- - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (14) Un-exposed photoresist is etched away

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[[Step- Gate formation for n-MOS and p-MOS]
Mask-3
Mask-3 is
used for the
formation of
Two GATEs

- - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (14) Metal is etched away

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[[Step- Gate formation for n-MOS and p-MOS]
Mask-3

- - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (15) SiO2 is etched away

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[[Step- Gate formation for n-MOS and p-MOS]

- - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (16) Polymerised Photoresist (hard) is stripped away.

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[[Step- Source & Drain formation for p-MOS]

- - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (17) Grow SiO2 Layer

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[[Step- Source & Drain formation for p-MOS]
Mask-4 is
used for the
formation of
S and D of pMOS

Mask-4

- - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (18) Grow Photoresist Layer

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[[Step- Source & Drain formation for p-MOS]
Mask-4 is
used for the
formation of
S and D of pMOS

Mask-4

- - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (18) Un-exposed Photoresist is etched away

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[[Step- Source & Drain formation for p-MOS]
Mask-4 is
used for the
formation of
S and D of pMOS

Mask-4

- - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (19) SiO2 is etched away

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[[Step- Source & Drain formation for p-MOS]
Mask-4 is
used for the
formation of
S and D of pMOS

Mask-4

- - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (20) photoresist (hard) is Strip away

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[[Step- Source & Drain formation for p-MOS]
Mask-4 is
used for the
formation of
S and D of pMOS

Mask-4

- - - - p- - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - -p- - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (21) Diffusion of p-type impurity

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[[Step- Source & Drain formation for n-MOS]
Mask-5 is
used for the
formation of
S and D of nMOS

Mask-5

- - - - p- - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - -p- - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (22) Grow photoresist

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[[Step- Source & Drain formation for n-MOS]
Mask-5 is
used for the
formation of
S and D of nMOS

Mask-5

- - - - p- - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - -p- - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (23) Un-exposed Photoresist is etched away

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[[Step- Source & Drain formation for n-MOS]
Mask-5 is
used for the
formation of
S and D of nMOS

Mask-5

- - - - p- - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - -p- - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (23) SiO2 is etched away

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[[Step- Source & Drain formation for n-MOS]
Mask-5 is
used for the
formation of
S and D of nMOS

Mask-5

- - - - p- - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - -p- - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

-------------- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - Fig. (24) Hard photoresist stripped away

Thick SiO2
(1 m)

CMOS Fabrication Process

[[Step- Source & Drain formation for n-MOS]
Mask-5 is
used for the
formation of
S and D of nMOS

Mask-5

- - - - p- - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - -p- - - - -- -- -n
- -- ----- -- -- -- -n
--- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Thick SiO2
(1 m)

Fig. (25) Diffusion of n-type impurity to form Source and Drain of n-MOS

CMOS Fabrication Process

[[Step- Source & Drain formation for n-MOS]

- - - - p- - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - -p- - - - -- -- -n
- -- ----- -- -- -- -n
--- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (25) Diffusion of n-type impurity to form Source and Drain of n-MOS

CMOS Fabrication Process

[[Step- Formation of Contact-Cut]

- - - - p- - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - -p- - - - -- -- -n
- -- ----- -- -- -- -n
--- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (25) Grow Photoresist

CMOS Fabrication Process

[[Step- Formation of Contact-Cut]
Mask-6 is
used for the
formation of
Contact
Cuts in S, D
and G of nMOS and pMOS

Mask-6

- - - - p- - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - -p- - - - -- -- -n
- -- ----- -- -- -- -n
--- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (25) Expose in UV Light

CMOS Fabrication Process

[[Step- Formation of Contact-Cut]
Mask-6 is
used for the
formation of
Contact
Cuts in S, D
and G of nMOS and pMOS

Mask-6

- - - - p- - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - -p- - - - -- -- -n
- -- ----- -- -- -- -n
--- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (25) Un-Exposed Photoresist is etched away

CMOS Fabrication Process

[[Step- Formation of Contact-Cut]
Mask-6 is
used for the
formation of
Contact
Cuts in S, D
and G of nMOS and pMOS

Mask-6

- - - - p- - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - -p- - - - -- -- -n
- -- ----- -- -- -- -n
--- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (25) SiO2 is etched away

CMOS Fabrication Process

[[Step- Formation of Contact-Cut]
Mask-6 is
used for the
formation of
Contact
Cuts in S, D
and G of nMOS and pMOS

Mask-6

- - - - p- - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - -p- - - - -- -- -n
- -- ----- -- -- -- -n
--- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (25) Photoresist (hard) is etched away

CMOS Fabrication Process

[[Step- Metakkization]

- - - - p- - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - -p- - - - -- -- -n
- -- ----- -- -- -- -n
--- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (25) Grow Metal

CMOS Fabrication Process

[[Step- Metakkization]
Mask-7 is
used for the
deposition of
metal in
contact - cuts

Mask-7

- - - - p- - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - -p- - - - -- -- -n
- -- ----- -- -- -- -n
--- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (25) Grow Photoresist

CMOS Fabrication Process

[[Step- Metakkization]
Mask-7 is
used for the
deposition of
metal in
contact - cuts

Mask-7

- - - - p- - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - -p- - - - -- -- -n
- -- ----- -- -- -- -n
--- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (25) Photoresist (soft) is etched away

CMOS Fabrication Process

[[Step- Metakkization]
Mask-7 is
used for the
deposition of
metal in
contact - cuts

- - - - p- - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - -p- - - - -- -- -n
- -- ----- -- -- -- -n
--- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (25) Metal is etched away

CMOS Fabrication Process

[[Step- Metakkization]
Mask-7 is
used for the
deposition of
metal in
contact - cuts

- - - - p- - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - -p- - - - -- -- -n
- -- ----- -- -- -- -n
--- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

Fig. (25) Photoresist (hard) is etched away

Vin

VDD
(SOURCE)

Vout

GND
(SOURCE)

- - - - p- - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- ------------ - - - - - - - - - - - - - - -p- - - - -- -- -n
- -- ----- -- -- -- -n
--- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- ----- -- -- -- ---- - - - - - - p-well - - -

------------------------------------------

CMOS INVERTER