Sunteți pe pagina 1din 12

Dispositivos

semiconductores en
microondas

Casi todos los circuitos de microondas y

radiofrecuencia utilizan alguno de estos tres


dispositivos: diodos de barrera Schottky,
transistores de unin p-n o transistores de efecto de
campo (FETs). Dentro de esta amplia gama hay
varios tipos de dispositivos: gran variedad de diodos
de barrera Schottky, transistores de unin bipolar
(BJTs), de heterounin bipolar (HBTs), FETs con
epitaxia metal semiconductor (MESFET),
transistores de alta movilidad de electrones
(HEMTs), transistores metal-xido-semiconductor
(MOSFET) y transistores de unin FET (JFET).

Cuando el varactor se conecta en paralelo con

un inductor se obtiene un circuito resonante


cuya frecuencia de resonancia es : CT [pF]
que es sintonia de frecuencias.

fo : Frecuencia de resonancia.
L : Inductor en henrios.
CT: Capacidades microfaradios.

Uso del diodo varactor.


Los diodos varactores fueron utilizados por

primera vez en los inicios de la decada de los


50, como condensador de capacidad variable
con el voltaje y posteriormente para
moulacion de frecuencia de osciladores.
Posteriormente con las mejoras de los
materiales y tecnicas de construccion se han
alcanzado frecuencias altas de operacin,
utilizandose en la actualidad como
multiplicadores de frecuencias de microondas
y amplificadores parametricos de microondas
con muy bajos ruidos.

Aplicaciones
En la etapa receptora de un radar.

Consola radar decca arpa.

En receptores de audio y video.

Tambien realizan corrimiento de fase y

conmutaciones en frecuencias muy altas y


microondas.
Se usan tambien como multiplicadores de
frecuencia de perdida de muy baja en
transmisores de estrado solido.
Ademas se utilizan para limitacion conformacion
de pulsos y amplificadores parametricos.

Diodos PIN.
El diodo PIN es un diodo que presenta una region

P fuertemente dopada y otra region N tambien


fuertemente dopada, separadas por una region
de material que es casi intrinseco. Este tipo de
diodos se utilizan en frecuencias de microondas,
es decir, frecuencias que exceden de 1 GH,
puesto que incluso en estas frecuencias el diodo
tiene una impedancia muy alta cuando esta
inversamente polarizado y muy baja cuando esta
polarizado en sentido directo. Ademas, las
tensiones de ruptura estan comprendidas en el
margen de 100 a 1000v.

Circuito equivalente de un diodo PIN


a frecuencias de microondas.

Diodo Tunel.
Los diodos de efecto tnel. Son dispositivos

muy verstiles que pueden operar como


detectores, amplificadores y osciladores.
Poseen una regin de juntura
extremadamente delgada que permite a los
portadores cruzar con muy bajos voltajes de
polarizacin directa y tienen una resistencia
negativa, esto es, la corriente disminuye a
medida que aumenta el voltaje aplicado.

Transistores de efecto de campo


Los JFETs son el punto de partida para el estudio de todos los

dispositivos FET aunque las prestaciones que tienen en microondas, los


hacen inservibles.
Tipos de FET:
JFET: control en puerta por medio de una unin p-n
MOSFET: contacto metal-xido-semiconductor en puerta
MESFET: control en puerta por medio de una barrera Schottky
HEMT: barrera Schottky en puerta actuando sobre un gas de
electrones con una alta movilidad. Son de heteroestructura.
Estructura:
Sustrato de baja conductividad de tipo p
Se difunde un canal tipo n sobre dicho sustrato con regiones n+
en
los extremos para realizar los contactos hmicos.
Finalmente, se difunde una regin p+ en el canal n que
constituir
la puerta.

S-ar putea să vă placă și