Electricidad y electrnica bsicas

CFGS Sistemas de Telecomunicaciones e Informticos

Transistores

Transistores bipolares
Los transistores bipolares tambin se construyen gracias a la unin de los cristales
semiconductores de tipo P y de tipo N.
El transistor tiene tres terminales de conexin.
Cada uno de estos terminales est unido a un cristal semiconductor de tipo P o tipo N. De esta
forma, nos encontramos con un terminal de emisor, un terminal de base y otro de colector.
Existen dos tipos de transistores, los PNP y los NPN.
Obsrvese que si el transistor es PNP (PeNetra) la flecha correspondiente al emisor se dibuja
hacia dentro y si es NPN (No PeNetra) dicha flecha se dibuja hacia fuera.

Transistores bipolares
En el proceso de fabricacin de un transistor NPN, se hace que el cristal semiconductor
correspondiente al emisor est muy contaminado, por lo que contendr un exceso de
portadores de carga; su tarea consistir en enviar o emitir estos portadores de carga
(electrones) a la base.
El cristal semiconductor de la base se fabrica extremadamente delgado y con un grado
tenue de contaminacin; los electrones emitidos por el emisor atraviesan, prcticamente en
su totalidad, a este cristal, para acabar dirigindose al colector. La misin de la base
consistir en controlar dicho flujo de electrones.
El cristal semiconductor del colector se
fabrica con un grado de contaminacin
intermedio y recibe este nombre por
recoger los electrones enviados por el
emisor.

Funcionamiento del transistor

Funcionamiento del transistor

El diodo LED no se enciende.

Los electrones libres del cristal N del emisor son repelidos por el polo negativo de la pila, mientras
que los electrones libres del cristal N del colector son atrados por el polo positivo.
Se produce un desplazamiento de electrones en el sentido del emisor al colector.
A pesar de ello, los electrones del emisor no poseen la suficiente energa para atravesar las barreras
AB y CD de las uniones, las cuales los repelen.
La corriente emisor-colector es, por tanto, muy pequea y por eso el diodo LED no se enciende, por
lo que se considera a efectos prcticos como una corriente de fuga.

Funcionamiento del transistor

La principal barrera que se opona al paso de los electrones desde el emisor al colector la constitua
la barrera AB, ya que una vez atravesada sta los electrones se encuentran bajo la influencia del
campo elctrico del polo positivo.
Al aplicar una pequea tensin positiva a la base (cristal P), con respecto al emisor (cristal N), dicha
barrera desaparecer, por quedar polarizada directamente la unin de los cristales PN que la
componen, sintindose atrados los electrones por los potenciales positivos de la base y del colector.
Dado que el potencial positivo del colector es mucho ms elevado que el de la base, los electrones se
sentirn ms atrados por el primero, por lo que se obtiene una elevada corriente de colector lC (que
hace que el diodo LED se encienda) y una pequea corriente de base IB .

Funcionamiento del transistor

Adems, al ser el cristal de la base extremadamente delgado y estar dbilmente contaminado con
unos pocos huecos, la base se satura rpidamente al ser invadida por la gran cantidad de electrones
provenientes del emisor, lo que causa una difusin de stos hacia la zona de empobrecimiento de la
unin con el colector. Una vez que los electrones han superado la unin, son atrados con fuerza por
el fuerte campo elctrico positivo a que est sometido el colector.
El nmero de electrones que fluyen hacia el colector ser ms elevado cuanto mayor sea la tensin
de polarizacin directa del diodo base-emisor. Por lo que se puede decir que la tensin VBE junto con
la corriente de base IB, controlan la corriente de colector IC. Podramos decir que la tensin de
polarizacin del diodo base-emisor abre ms o menos una compuerta por donde pasan los
electrones.

Funcionamiento del transistor

Esta compuerta se consigue abrir con un pequeo esfuerzo (IB pequea).

Sin embargo, por ella pasan una gran cantidad de electrones, que se dirigen hacia el colector, debido
al fuerte potencial elctrico que ste posee.
Si tenemos en cuenta que IB es muy pequea con respecto a IC y que IC vara en funcin de IB,
habremos comprendido la ms importante propiedad del transistor, su capacidad de amplificacin
de corriente.
Esta capacidad nos permitir transformar pequeas seales de radio, TV, sonido, etc., en seales con
la misma forma de variacin en el tiempo sobre una corriente mayor, procedente de una fuente de
alimentacin.
Podremos transformar seales dbiles en otras suficientemente fuertes para producir, por ejemplo,
sonido en un altavoz, imagen en un televisor, etc.

Funcionamiento del transistor PNP

El estudio que se ha hecho para el transistor NPN es igualmente vlido para el PNP, con la nica
diferencia de que en el caso del transistor PNP la conduccin se produce cuando se aplica una
tensin negativa en el colector con respecto al emisor y una tensin igualmente negativa,
aunque de inferior valor a la base, con respecto al emisor.
Los transistores NPN son ms utilizados que los PNP, ya que actan algo ms rpido y se adaptan
mejor a los sistemas donde se conecta el negativo a masa

Intensidades de corriente en el transistor

La unin base-emisor se polariza directamente con la
tensin VBE. Para que esto ocurra, es suficiente una tensin
mnima, superior a 0,7 V.
La polarizacin directa BE hace que la resistencia baseemisor (RBE) sea pequea (menor de 100 ).
Por otro lado, la unin base-colector se polariza
inversamente por la tensin VCB que es mucho ms alta
que VBE
La resistencia entre el colector y la base (RCB) es elevada
(unos 10 k).
Pero la corriente es capaz de atravesar tanto la unin
polarizada directamente corno la polarizada inversamente.
La corriente por el emisor lE es prcticamente igual a la
del colector lC, siendo la corriente por la base IB muy pequea.
Lo normal es que el 99% de la corriente del emisor se
dirija directamente al colector y que el 1% restante lo haga a la base. Se puede establecer una
ecuacin que relacione estas tres corrientes:

Ganancia de corriente o parmetro beta ( ) de un transistor

La circunstancia de que una IB pequea controle unas IE e
IC mucho ms elevadas, indica la capacidad del
transistor para conseguir una gran ganancia de
corriente.
La ganancia de corriente de un transistor es la relacin que
existe entre la variacin o incremento de la corriente de
colector y la variacin de la corriente de base.

La ganancia de corriente de los transistores comerciales vara bastante de unos a otros. Podemos
encontrar transistores de potencia que poseen una de tan slo 20 y los transistores de pequea
seal pueden llegar a tener una de 400. Se puede considerar que los valores normales de este
parmetro se encuentran entre 50 y 300.
En las hojas de especificaciones tcnicas, que facilitan los fabricantes de transistores, en vez de
utilizarse para identificar la ganancia de corriente, se suele utilizar hFE.

Tensiones de ruptura
Tensin inversa colector-base (VCBO) con el emisor
abierto: la unin formada por la base y el colector estn
polarizadas inversamente con la tensin VCB.
Esto provoca la circulacin de una pequea corriente de
fuga (lCBO) que no ser peligrosa hasta que no se alcance la
tensin de ruptura dela unin. Normalmente esta tensin
suele ser elevada (del orden de 20 a 300 V).
Tensin inversa colector-emisor (VCEO) con la base abierta:
Aplicamos una tensin entre el colector y el emisor que es igual
a la suma de las tensiones de las dos fuentes.
Esta fuerte diferencia de potencial provoca un pequeo flujo de
electrones que emite el emisor y que se sienten fuertemente
atrados por el potencial positivo de la fuente. El resultado es
una pequea corriente de fuga de emisor a colector ICEO
El valor de ICEO est determinado por la VCEO aplicada.
En las hojas de especificaciones tcnicas de los fabricantes aparecen los valores de VCBO y VCEO
mximos que no deben superarse.

Curvas caractersticas con el emisor comn (EC)

La mayora de los circuitos con transistores utiliza el emisor como
terminal comn entre la entrada y la salida, en vez de la base.
El funcionamiento del transistor en este circuito es similar al de la
configuracin base comn.
Estas curvas representan bastante bien la forma de
funcionamiento del transistor. Se puede comprobar que, para una
VCE constante, si se producen pequeas variaciones de la IB
(del orden de A) se originan unas variaciones en la IC mucho
ms elevadas (del orden de mA). De lo cual se deduce la
capacidad del transistor para amplificar corrientes.
En la mayor parte de las curvas, la tensin VCE afecta muy poco
a la corriente de colector lC.
Si aumentamos VCE demasiado (por encima de VCEO), la unin del
colector entra en la regin de ruptura y sta puede destruirse.
Si la VCE es muy pequea (por debajo de 0,7 V), la IC ser muy
dbil, obtenindose una ganancia de corriente muy baja.
En conclusin, para que el transistor trabaje como amplificador de
corriente:
0,7 < V < V

Obtencin de la de un transistor a partir de las curvas caractersticas

Tenemos la curva caracterstica del transistor de la figura.

Para un punto de funcionamiento situado en VCE = 20 V, la
intensidad de colector variar entre lC = 32 mA e lC = 45 mA.
Mientras que la intensidad de base vara entre lB = 0,10 mA e lB
= 0,15 mA.
La ganancia para VCE = 20 V se calcula as:

Resistencia de salida
La resistencia de salida de un transistor es la que ste presenta
en los bornes de salida
Como para un montaje en emisor comn, la tensin en la salida
es VCE y la corriente de salida es IC el valor de esta resistencia
se calcula aplicando la ley de Ohm de esta forma:

Mediante las curvas de colector ser fcil determinar la

resistencia de salida del transistor, ya que stas relacionan los
valores de VCE con IC. Esta resistencia adquirir valores
diferentes para cada una de las corrientes de base.
Por ejemplo, para IB = 0,20 mA:

Curva caracterstica IB = f (VBE) para VCE constante

Mediante esta curva podemos determinar los efectos que

producen las variaciones de la tensin de polarizacin VBE sobre
la corriente de base IB. Estas grficas se conocen como curvas
caractersticas de transferencia.
Las curvas que se obtienen son muy similares a las de un diodo
cuando se le polariza directamente. En la figura vemos la
diferencia existente entre la caracterstica de un transistor de
germanio y uno de silicio.
El transistor de germanio comienza a conducir alrededor de los
0,2 V y el de silicio a los 0,6 V, aproximadamente.

Resistencia de entrada
La resistencia de entrada de un transistor es la que ste
presenta desde los bornes de entrada.
La intensidad de base aumenta con la tensin base-emisor VBE.
A la relacin existente entre las variaciones de VBE y las de la IB,
que se corresponden con la tensin y corriente de entrada, se la
denomina resistencia de entrada, es decir:

Para realizar el clculo de la resistencia de entrada nos

valdremos de la curva caracterstica de transferencia.
Si tomamos las tensiones VBE de 0,7 V y 0,8 V, segn la curva, a
los transistores de silicio les correspondern unos valores de
corriente de base de 8 y 17 A, respectivamente.
Luego la resistencia de entrada ser:

Curva de potencia mxima de un

transistor
El transistor posee una resistencia entre el colector y el emisor,
que vara en funcin de la intensidad que se le aplique a su base
IB . Por esta resistencia variable circula una corriente IC,
relativamente grande, que provoca en ella una potencia
calorfica. Esta potencia se calcula como:
La potencia mxima de trabajo de un transistor es un dato que
proporcionan los fabricantes en las hojas de especificaciones.
Con este dato se puede trazar una curva de potencia mxima
sobre la familia de curvas de colector.
Partiendo de un transistor con una Pmax = 600 mW

Recta de carga de un transistor

Cmo se comportar el transistor en EC cuando trabaje con una
determinada resistencia de carga RL?
En el circuito de la figura:
La expresin se corresponder con la ecuacin de la recta de
carga. Para dibujarla, encontramos sus extremos (lC= 0 y VCE= 0):
El punto de corte es donde la lnea de carga corta a la curva
correspondiente a la corriente de base igual a cero (/ 8 = 0).
El punto de saturacin aparece donde la lnea de carga corta a
la intensidad de base de saturacin.
El punto de trabajo es aquel en donde el transistor trabaja de
una forma normal y que se encuentra entre la zona de corte y
saturacin. Para determinarlo, buscamos el punto de interseccin
de la recta de carga con la curva correspondiente a nuestra IB.

Polarizacin de base de un transistor

mediante dos fuentes de alimentacin
Se ha conectado el transistor en configuracin emisor
comn.
La tensin VBB que proporciona la fuente de 1,5 V
polariza directamente la unin base-emisor a travs de
la resistencia de polarizacin RB.
La fuente VCC de 4 V proporciona la tensin VCE que
polariza inversamente el colector a travs de la
resistencia RC
Hay que determinar los valores de RC y de RB para que la polarizacin del transistor sea correcta y la
forma de seal introducida a la entrada del circuito no resulte deformada a su salida.
En un amplificador la seal de entrada suele ser de carcter variable, por ejemplo, la seal elctrica
de un micrfono o la aguja de un tocadiscos.
El condensador C1 sirve para acoplar la entrada al transistor. Elimina la componente de corriente
continua que pudiera aparecer en la seal de entrada.
La resistencia de polarizacin de base RB se elige de forma que la corriente de base sea pequea y
de un valor determinado.
La resistencia de carga del colector RC hace posible que entre el colector y el emisor aparezca una
tensin variable en la salida.

Polarizacin de base de un transistor

mediante dos fuentes de alimentacin

El punto de corte de la recta de carga se da para el valor de

VCE = VCC = 4 V
Para encontrar el valor adecuado de Icmx observamos las curvas
caractersticas de colector del transistor, de forma que la recta de
carga no sobrepase en ningn caso a la curva de potencia
mxima. Se ha seleccionado una corriente de colector de 100 mA
para el punto de corte de la recta de carga.
Una vez determinados los puntos de corte y saturacin (VCE = 4 V,
lC= 100 mA) se dibuja la recta de carga.
Ya podemos determinar el valor RC:

Polarizacin de base de un transistor

mediante dos fuentes de alimentacin
Ya slo nos falta determinar la resistencia de polarizacin
RB para un determinado punto de trabajo del transistor.
El punto de trabajo del transistor debe situarse
aproximadamente en el centro de la recta de carga
(equidistante de la zona de corte y de la de saturacin).
En el punto de saturacin (ICmx) el transistor se comporta
como un interruptor cerrado, no respondiendo a las
variaciones de la corriente de base.
En el punto de corte (VCEmx) el transistor se comporta
como un interruptor abierto, y la corriente por el colector es
prcticamente nula.
Fijamos el punto de trabajo para una corriente de base de
250 A. La razn por la que se fija el punto de trabajo Q en
el centro de la recta de carga es simple. La seal que se
aplica por la base para ser amplificada es variable y, por
tanto, habr que procurar que esta corriente no llegue a las
zonas de corte y saturacin del transistor. En caso
contrario, se podra distorsionar la seal de salida.

Polarizacin de base de un transistor

mediante dos fuentes de alimentacin

RB = 3,3 k
RC = 39
Ajustando a valores comerciales de resistencias IB = 2,42 A
A continuacin se muestran tres formas en las que puede llegar a
trabajar un amplificador con transistores.

Polarizacin de un transistor con una sola

fuente de alimentacin

Por lo general la polarizacin de un transistor se realiza mediante una fuente de alimentacin.

De esta forma se consigue simplificar bastante el circuito.
Siguiendo el mismo circuito utilizado como ejemplo para el apartado anterior y calculando la
nueva resistencia de polarizacin de la base RB , el circuito quedara ahora tal como se indica
en la figura.
V VBE
4 0,7
RB CC

15 k
6
IB
242 10

Polarizacin por realimentacin del

emisor

Este circuito no es tan sensible a las variaciones de y adems es ms estable en amplios lmites
de temperatura. Esto se consigue utilizando la cada de tensin que aparece en la resistencia RE
para compensar las variaciones de IB.
Para que esta realimentacin sea efectiva, se necesita que la resistencia de emisor RE sea grande.
Por otro lado, hay que evitar que sta sea tan grande como para que el transistor trabaje en
saturacin.
Este circuito no consigue an una buena estabilizacin. El problema est en que no se puede
hacer RE lo suficientemente grande como para que compense las variaciones de IB sin saturar el
transistor.

Polarizacin por realimentacin del

colector

La idea de estabilizacin consiste en conectar la resistencia de polarizacin al terminal del colector

en vez de a la fuente de alimentacin. Cuando la ganancia de corriente tienda a aumentar,
aumentar tambin la corriente de colector y con ella la cada de tensin que aparece en la
resistencia de colector RC Esto provoca una disminucin de la tensin que alimenta a la base, lo
que da lugar a una reduccin de la corriente de base, por lo que en ltimo trmino tambin queda
reducida la propia corriente de colector. De esta forma se consigue que los aumentos de la
corriente de colector queden compensados por el efecto de realimentacin del colector.
Esta polarizacin resulta, en muchas ocasiones, ms interesante que la realimentacin del emisor,
ya que proporciona una estabilidad bastante aceptable para los cambios de IB. Adems el circuito
es muy sencillo, ya que utiliza slo dos resistencias.

Polarizacin por realimentacin del

colector

Este circuito es una variante del circuito de polarizacin por realimentacin del emisor. A este tipo
de polarizacin tambin se la denomina universal y es la que ms se emplea en circuitos lineales
de amplificacin.
Observa cmo existe un divisor de tensin formado por R1 y R2. La tensin que aparece en R2 es la
que polariza directamente la unin base-emisor.
Este circuito constituye un buen amplificador lineal y responde muy bien a las pequeas
variaciones de IB, y adems es estable entre amplios mrgenes de temperatura.