Sunteți pe pagina 1din 123

Capitolul IV

TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP (TEC)

09.01.17

DE

Capitolul IV
TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP

4.1 Prezentare general


4.2 TEC cu poart jonciune
4.3

Tranzistorul MOS cu canal indus

4.4

Tranzistorul MOS cu canal iniial

09.01.17

DE

4.1 Prezentare general

Tranzistorul cu efect de cmp (TEC)


Curentul principal e controlat printr-un cmp electric (camp de control);
curentul principal circul printr-un canal conductor, bordat de 2 electrozi: surs S
i dren D
tensiunea aplicat pe un al treilea electrod (gril G) modific cmpul de control

vGS
-

EC
+ vDS
iD

canal n
Fig. 4.1

09.01.17

DE

4.1 Prezentare general

Clasificarea TEC

TEC

TEC J

canal n
canal p

TEC S

canal n
canal p
canal indus

canal n
canal p

canal initial

canal n
canal p

TEC MOS

TEC-J (J-FET),

TEC cu poarta jonctiune

TEC-S (MES-FET),

TEC cu poarta Schottky

TEC-MOS (MOS-FET),

TEC cu poarta MOS

09.01.17

DE

4.1 Prezentare general

Simbolurile TEC
TEC-J cu canal p

TEC-J cu canal n

TEC-MOS cu canal n

09.01.17

TEC-MOS cu canal p

DE

Capitolul IV
TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP

4.1 Prezentare general


4.2 TEC cu poart jonciune
4.3

Tranzistorul MOS cu canal indus

4.4

Tranzistorul MOS cu canal iniial

09.01.17

DE

4.2.1 Structura TEC-J

S
SiO2

SiO2

n+

rs

SiO2

p+

SiO2

rd

L
canal n

n+

a-xd0

substrat p

B
09.01.17

Fig. 4.2a
DE

5.2 TEC cu poart joniune

Observaii
TEC-J are 4 electrozi: S-surs, D-dren, G-poart (gril), Bsubstrat (bulk).
n practic se folosete mult TECJ cu 3 electrozi; prin
construcie substratul e legat la surs (B S).
Cmpul electric de control acioneaz numai n zona de sub
poart.
Structura ideal cuprinde numai aceast zon (Fig. 4.2b).

09.01.17

DE

4.2 TEC cu poart joniune

-vGS
G

RSS

a-xd0

D
RSS

B
Fig. 4.2b
09.01.17

L
DE

4.2 TEC cu poart joniune

4.2.2 Conductana canalului. Tensiunea de prag


Conductana canalului
conductana
constructiv

a W
g q N
o
n D L

(4.1a)

conductana efectiv

g o,ef

xd
g o (1 )
a

2 S

xd
B 0 vGS
qN D

09.01.17

1
2

DE

Modularea grosimii canalului

g 0,ef
xd

vGS
xd 0

g0 1
1

a
B 0

(4.1b)

- Limea zonei de barier n canal

xd 0
vGS

2 S


B 0
qN D

g 0,ef

Conductanta modulata de campul electric controlat de

09.01.17

DE

VGS

4.2 TEC cu poart joniune

Tensiunea de prag

vGS VT

09.01.17

g 0,ef 0

xd a

qN D 2
VT B0
a
2 S

TEC-J canal n

(4.2a)

qN A 2
VT
a B0
2 S

TEC-J canal p

(4.2b)

DE

4.2 TEC cu poart joniune

conductana efectiv functie de tensiunea de prag

g o ,ef

B 0 vGS
go 1

V
B
0
T

(4.1c)

conductana efectiv maxim

go,ef max

09.01.17

B0
go 1

V
B
0
T

DE

Tensiunea de prag

-VGS
-VT
-VGS

S
SiO2

SiO2

n+

SiO2

n+

p+
L
on
canal off

a-xd0

substrat p
Fig 4.2c
09.01.17

SiO2

B
DE

4.2 TEC cu poart joniune

Conductana efectiv functie de tensiunea de poarta

g0,ef

VT

VGS
Fig. 4.2d

09.01.17

g0,ef max

DE

4.2 TEC cu poart joniune

4.2.3 Regimuri de funcionare


iG 0 , iB 0
Funcionare n conducie

iD 0

VT vGS 0 , vDS 0

TEC-J canal n

(4.3a)

0 vGS VT , vDS 0

TEC-J canal p

(4.3b)

vGS VT sau vDS 0

TEC-J canal n

(4.3c)

vGS VT sau vDS 0

TEC-J canal p

(4.3d)

Funcionare n blocare

09.01.17

iD 0

DE

4.2.4 Relaii ntre cureni i tensiuni


1. Zona liniar

I D 2I DSS

VDS VGS VT

VGS VDS
1

VT
V
T

-VGS
S
SiO2

n+

D
SiO2

SiO2

VDS,sat

n+

p+

substrat p
Fig 4.2e

2VDS,sat

+VDS

G
SiO2

VDS

0
B

4.2 TEC cu poart joniune

1.Zona liniar

VGS = 0

iD go ,ef vDS
g o ,ef

g o ,ef

2I
DSS
VT

(4.4a)

VGS = VT/2<0

(4.1b)

VGS = VT <0

v
1 GS
VT

(4.1d)

Fig. 4.2f

formula (4.1d) - empiric


zona liniar: TECJ o rezisten
09.01.17

1/g0,ef controlat prin vGS


DE

2. Zona cvasiliniar

I D 2I DSS

VDS VGS VT

VGS VDS
1

VT
VT

-VGS
S
SiO2

n+

VDS
2VDS,sat

D
SiO2

SiO2

VDS,sat

n+

p+

substrat p
Fig 4.2g

V DS

+VDS

G
SiO2

0
B

4.2 TEC cu poart joniune

2.Zona de tranziie (cvasiliniar)

vDS vGS VT

vGD vGS 0

canalul se ngusteaz
de la S spre D

rata de cretere
a lui iD cu vDS scade
2

vGS vDS vDS

iD I DSS 2 1
2
VT VT VT

09.01.17

DE

(4.4b)

3. Saturaie incipient
VDS VGS VT

V
I D I D ,sat I DSS 1 GS
VT

-VGS
S
SiO2

n+

2VDS,sat

+VDS

G
SiO2

VDS

D
SiO2

SiO2

VDS,sat

n+

p+

substrat p
Fig 4.2h

0
B

4.2 TEC cu poart joniune

Zona de saturatie

vDS vGS VT

3. Saturaie incipient

vDS ,sat vGS VT

(4.5a)

vGD vGS vDS VT


canalul se nchide la D

iD iD ,sat

09.01.17

vGS

I DSS 1
VT

I DSS

vDS ,sat 2
VT2
DE

(4.4c)

4. Zona de saturaie (activ)


I D I D ,sat

VDS VGS VT

VGS
I DSS 1
VT

-VGS
S
SiO2

n+

2VDS,sat

D
SiO2

SiO2

VDS,sat

n+

p+
A

substrat p
Fig 4.2i

VDS

+VDS

G
SiO2

0
B

4.2 TEC cu poart joniune

4.Saturaie propriu-zis (zona activ)

v DS v DS ,sat vGS VT

v AS vDS ,sat

(4.5b)

vGA vGS v AS VT
canalul se nchide pe
distana dintre planele A i D

Lef L xa

vGS

iD I DSS ,ef 1
VT

09.01.17

DE

4.2 TEC cu poart joniune

Curentul IDSS

I DSS iD ,sat

VGS 0

IDSS curentul maxim prin tranzistor


IDSS dat de catalog
I DSS

W
L

09.01.17

I DSS ~ n p

2 aW
~ g 0 q n N D
L

I DSS

factorul geometric al TEC

DE

W
~
L

4.2 TEC cu poart joniune

Modularea lungimii canalului (efectul Early)

I DSS ,ef ~
I DSS

W
Lef

I DSS ,ef
I DSS

W
~
L

vGS
iD I DSS ,ef 1
VT

Lef vDS Lef vDS ,sat

vGS

iD I DSS 1
VT

09.01.17

Lef

dLef
dvDS

DE

vDS vDS ,sat ...


vDS ,sat

L
Lef

4.2 TEC cu poart joniune

Modularea lungimii canalului (efectul Early)

Lef vDS L

vDS vDS , sat

1
VF

(4.6a)

Lef vDS ,sat L


VF1

dLef
dvDS

vDS ,sat

VF 20...100 V

vDS vDS ,sat


L
1
Lef
VF
09.01.17

(4.6b)

DE

4.2 TEC cu poart joniune

Modularea lungimii canalului (efectul Early)

iD I DSS

iD I DSS

vDS - vDS , sat


vGS
1- 1

VT
VF
2
vGS
1- 1 n p vDS - vDS ,sat
VT

vGS

iD I DSS 1
VT

1 n p vDS

IDSS curentul maxim prin tranzistor


n( p )

VF

1
VF

tensiunea Early

n( p ) - parametrul Early
09.01.17

DE

(4.4d)

(4.4e)

|VGS|

Efectul lui VGS

|VT|
-VGS

S
SiO2

G
SiO2

n+

D
SiO2

SiO2

n+

p+

substrat p
Fig 4.2j

+VDS

0
B

4.2 TEC cu poart joniune

4.2.5 Modelarea TEC-J


1) Modelarea n regim staionar

ID
IG

VGS

I S I DSS 1
VT

1 n p VDS

Punctul static de funcionare

Q I D ,VGS ,VDS
VDS VDS ,sat VGS VT

09.01.17

saturaie

DE

(4.7a)

4.2 TEC cu poart joniune

2) Modelarea n regim cuasistaionar

iD vGS ,vDS

vGS
I DSS 1
VT

1 v
n p

DS

vgs - semnal mic de joas frecven

vGS VGS vgs iD I D id

vDS VDS v gs

VGS v gs

iD I DSS 1
1 n p VDS vds
VT

iD I DSS

VGS
VGS v gs
1
2 1
VT V T
VT

Componenta continu

V
I D I DSS 1 GS
VT

09.01.17

1 V
n p

DS

DE

v gs

1 n p VDS vds

VT

4.2 TEC cu poart joniune

Componenta dinamic (de semnal)


v gs
VGS
id I DSS 2 1
VT VT

Condiia de semnal
mici ~ v
d

gs

id ~ vds

v gs

VGS

1 n p VDS vds I DSS 1

V T

VT

v gs VGS VT

v gs
VGS
id I DSS 2 1

V
T

T

(4.8)

1 V
n p

DS

V GS
I DSS 1 n( p )vds
V T

v gs

VGS
V GS
id I DSS 2 1
I DSS 1 n( p )vds
VT VT
V T

id g m v gs g ds vds
09.01.17

DE

n( p )vds

4.2 TEC cu poart joniune

id g m v gs g ds vds

(4.7b)

gm - conductana de transfer /mutual / panta tranzistorului

gm

id
v gs

2
vds 0

I DSS
VT

2 I D I DSS
VGS

VT
VT

gds - conductana de ieire

g ds

09.01.17

id
vds

vdg 0

VGS
I DSS 1 n( p ) I D n( p )
VT

DE

4.2 TEC cu poart joniune

3) Modelare la semnal mic, frecvene


joase

id is g m v gs g ds vds

(4.7c)

ig 0
id

ig=0
G

v gs
g m v gs

is

gm - conductana de transfer / panta tranzistorului:


rds =1/gds - rezistena de ieire:

09.01.17

DE

rds
vds

Fig. 4.2k

4.2 TEC cu poart joniune

4. Modelare la semnal mic, frecvene nalte


Capaciti interne Cgs , Cgd
Capaciti de barier ale J-GS i J-GD - polarizate invers

dqGS

qGS vGS qGS VGS


dvGS

qGD vGD qGD VGD

09.01.17

v gs QGS C gs v gs
Q

dqGD
dvGD

v gd QGD C gd v gd
Q

DE

dqGS
dvGS

dqGD

dvGD

C gs

C gd

4.2 TEC cu poart joniune

Relaii generale ntre cureni i tensiuni

vGS
dqGD

iD I DSS 1
1 n p v DS

VT
dt

dq
dq
iG GS GD
dt
dt

vGS

iS I DSS 1
VT

09.01.17

1 n p vDS dqdtGS

DE

(4.7d)

4.2 TEC cu poart joniune

Componentele dinamice ale curenilor

id g m v gs g ds vds C gd
ig C gs

dv gs
dt

C gd

dv gd
dt

dv gd

(4.7e)

dt

is g m v gs g ds vds C gs

dv gs
dt

La frecvene joase reactanele Cgs i Cgd sunt foarte mari


efect neglijabil
09.01.17

DE

4.2 TEC cu poart joniune

Circuit echivalent natural de semnal mic, frecvene nalte

C gd

ig
G

v gs
-

g m v gs

C gs

rds vds
-

is
S

Fig. 4.2l
09.01.17

id

DE

4.2 TEC cu poart joniune

4) Parametrii dinamici
a) Conductanele tranzistorului

iD vGS ,vDS

vGS
I DSS 1
VT

VGS
I D I DSS 1
VT

1 v I
DS

n p

id

1 V
n p

DS

v gs

VGS
V GS
id I DSS 2 1
I DSS 1 n( p )vds g m v gs g ds vds
VT VT
V T

2I
g m DSS
VT

vGS
1
VT

iD
2I DSS

vGS
VT

09.01.17

vGS
2I DSS
v GS
1 1 n p vDS
1
VT
VT
V T

DE

4.2 TEC cu poart joniune

iD
vGS

2I
DSS
VT

VGS
2I DSS
V GS
1 1 n p VDS
1
VT
VT
V T

iD
gm
vGS

gm - conductana de transfer /mutual / panta tranzistorului:


Variaia curentului la ieire produs de variaia tensiunii de comand

V
g ds I DSS 1 GS n( p )vds
VT

iD
V
I DSS 1 GS n( p ) n( p ) I D
vDS Q
VT

g ds rds1

iD
vDS

gds - conductana de ieire:


Variaia curentului la ieire produs de variaia tensiunii de ieire
09.01.17

DE

4.2 TEC cu poart joniune

iD
id
vGS

iD
v gs
vDS
Q

vds g m v gs g ds vds
Q

Conductana de transfer /mutual / panta tranzistorului


gm

id
v gs

vds 0

iD
vGS

2
Q

I DSS
VT

2 I D I DSS
VGS

VT
VT

n TEC-J:

VT 0 g m 0

p TEC-J:

VT 0 g m 0

2 I DSS
gm gm
VT

09.01.17

V
1 GS
VT

2 I D I DSS

VT

DE

(4.9a)

4.2 TEC cu poart joniune

Rezistena de
ieire
1
ds

g ds r

rds

09.01.17

iD

v DS

n( p ) I D
Q

(4.9b)

n p I D

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

b) Capacitile de barier

C gs

C gd

dqGS

dvGS

dqGD

dvGD

C gs0 C gs

VGS 0

C gs0

1 VGS

B0

C gd 0

1 VGD

B0

DE

(4.9d)

mj

C gd 0 C gd

1 1
m j ...
2 3
09.01.17

(4.9c)

mj

VGD 0

4.2 TEC cu poart joniune

4.2.6 Comportarea cu temperatura


1. Parametrii statici

Curentul IDSS
IDSS ~ n(p)

n(p)

IDSS

B0

|VT|

Tensiunea de prag VT

VT ~ B0

Tensiunea VF
VF nu variaz cu temperatura.

09.01.17

DE

IDSS

4.2 TEC cu poart joniune

2. PSF-ul de drift nul cu temperatura

ID

T0 < T1 <T2

IDSS(T0)

VDS > VDS,sat

IDSS(T1)
IDSS(T2)

Z
VT(T2)

VT(T1)

VT(T0) VGSZ
Fig. 4.2m

09.01.17

DE

IDZ

VGS

4.2 TEC cu poart joniune

IDSS

|VT|

Q(IDZ , VGSZ) - constant cu temperatura

VGSZ VT T0 0.7V

T
I
I DZ 0.49 DSS 0
VT2 T0
3. Curentul ID

09.01.17

ID > IDZ

ID

ID < IDZ

ID

DE

4.2 TEC cu poart joniune

4. Parametrii dinamici

Panta gm
T

IDSS

|VT|

gm

Conductana gds
gds nu variaz cu temperatura.
Capacitile Cgs , Cds
T

09.01.17

B0

Cgs , Cgd

DE

Analogie
Hidrodinamica

Electroni
Molecule de lichid (ap)
Curent electric
Curgerea lichidului
Terminalele dispozitivelor
Bazine infinite cu lichid
Potenialele terminalelor
Nivelurile lichidului n bazine
Potenial pozitiv
Un nivel al lichidului mai mic dect cel
de referin pentru bazin
Potenial negativ
Un nivel al lichidului mai mic dect cel
de referin pentru bazin

09.01.17

DE

JFET analogie hidrodinamic


Echilibru
ID = 0

VS

VS = 0

VG = 0

VD = 0

POART

SURS

09.01.17

DREN

DE

Strcutura JFET
Modelarea
grosimii canalului

-VGS
-VT
-VGS

S
SiO2

SiO2

n+

SiO2

n+

p+
L
on
canal off

t-xd0

substrat p

B
09.01.17

SiO2

DE

Modularea grosimii canalului

g 0,ef

vGS
xd
xd 0

g0 1 g0 1
1

a
a
B 0

vGS

VGS VT

09.01.17

g 0,ef

g 0,ef 0

DE

JFET - analogie hidrodinamic


Efectul lui

ID = 0

VGS

-VGS

V
VTG
VS

-VT
VDS

VD
SURS

DREN

09.01.17

DE

Conducie
Efectul lui VGS

V
I D 2 I DSS 1 GS
VT

2
VDS VDS

V 2V 2
T
T

-VGS
S
SiO2

D
SiO2

SiO2

n+

p+

substrat p

0
B

09.01.17

|VT|

+VDS

G
SiO2

n+

|VGS|

DE

Conducie

VDS

Efectul lui VDS

2 2
V GS VVGS

VDS
DS

I DSS
I DD 2I DI DSS
1
2
,sat 1

V
V T VTT 2VT

VDS ,sat VGS VT

-VGS

S
SiO2

D
SiO2

SiO2

VDS,sat

n+

p+

substrat p

0
B

09.01.17

+VDS

G
SiO2

n+

2VDS,sat

DE

JFET analogie hidrodinamic


Efectul lui VDS
ID > 0

VS
VD

SURS

09.01.17

VDS

POART

DREN

DE

JFET - analogie hidrodinamic


Efectul lui VDS
ID = ID, sat

VS

VDS,sat

POART

VD
SURS

09.01.17

DREN

DE

JFET - analogie hidrodinamic


ID ID, sat

Efectul lui VDS

VG
VG
VS
VDS
VD
SURS

09.01.17

DREN

DE

Capitolul IV
TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP

4.1 Prezentare general


4.2 TEC cu poart jonciune
4.3

Tranzistorul MOS cu canal indus

4.4

Tranzistorul MOS cu canal iniial

09.01.17

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

4.3.1. Structura MOS


Metal

Oxid

S
SiO2

D
SiO2

SiO2

n+

rs

RSS

rd

n+

Semiconductor

substrat p

Fig. 4.3a

B
La TEC-MOS in raport cu TEC-J

lipsete zona p+ de poart


electrodul de poart este dispus pe un strat izolant de oxid
n cazul MOS cu canal indus, nu exist canal care s conecteze zonele n+

09.01.17

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Tranzistorul MOS vedere tridimensional

S,D,G,B electrozii tranzistorului

Fig. 4.3b

L - lungimea canalului
W - limea canalului
L / W factor de aspect (geometric)
09.01.17

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Observatii
In aplicatii se folosete:
tranzistorul MOS cu 4 electrozi (2 porti de comanda):
G poarta principala si B poarta secundara
tranzistorul MOS cu 3 electrozi (o poarta G): prin constructie, substratul B se
leaga la sursa S

TEC-MOS-ul are 2 jonctiuni, intotdeauna invers polarizate: J-BS si J-BD.

09.01.17

in regim stationar si cvasistationar curentii de substrat sunt neglijabili.


Curentii de poarta sunt neglijabili datorita oxidului izolator

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

4.3.2 Antrenarea canalului


Structura MOS la echilibru ( absenta polarizrii )

iD
D

Fig. 4.3c
ntre S i D sunt 2 diode dispuse spate n spate
Un curent

iD0

ntre S si D

inducerea unui canal n ntre zonele n+

vGS 0
09.01.17

DE

iD 0

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

e+ din B, din vecintatea interfeei substrat - oxid de poart sunt ndeprtai de


potenialul pozitiv al G

e- din B sunt atrai n vecintatea interfeei substrat - oxid de poart de potenialul


pozitiv al G

vGS

concentraia e- devine predominant fa de concentraia de e+


pe o zon foarte ngust
semiconductorul s-a inversat (p n)

vGS VT

concentraia de e- din zona ngust de tip n e egal cu

concentratia de e+ din volumul B

09.01.17

DE

Antrenarea canalului - Evidenierea procesului

VGS
VT

+V
+VGS
=GSVT
S

SiO2

SiO2

n+

n+

CSR

CSR

canal n

regiune de golire

substrat p

B
Fig. 4.3d
09.01.17

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Structura MOS - Diagrama energetic la echilibru

M - electrodul G (nivelul Fermi EFm)

Ec,ox

O - oxidul de poarta (nivelul Ec, ox)


S - substratul (diagrama sem. p)

Ec
EFm

q|F|

Ei
Ev

Fig. 4.3e
09.01.17

DE

EFs

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Structura MOS - Diagrama energetic la


M

vGS = VT

S
qVox

Ec
Ei
EFs
Ev

q|F|
q|F|

qvGS=qVT
EFm

Fig. 4.3f
-xos
Diferena energetic

0 xc

xd,max

EFs EFm qvGS qVT

Curbarea benzilor energetice n B pe o poriune ntre 0 i xd,max (zona de barier)


09.01.17

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Distribuia tensiunii pe structura MOS

vGS VT Vox 2 F Vox

Notaie:

2 F

Vox

tensiunea pe oxid

2|F|

tensiunea pe semiconductor (inversie puternica)

E F s Ei

x 0

Ei

x xd ,max

EF s q F

ntre planele (x=0) i (x=xc) semiconductorul e de tip n


pentru x>xc substratul rmne de tip p

09.01.17

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Sarcina electric din semiconductor


xc

xd,max

Fig. 4.3g
Qn - sarcina mobil electroni n canal ( de grosime xc )
QB0 - sarcina fix ioni negativi n zona de barier ( de grosime xd,max )
QB 0 4 S qN A F

12

Qn Cox vGS VT

Qn QB0
09.01.17

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

4.3.3 Tensiunea de prag


VT - tensiunea aplicata pe G ce produce antrenarea canalului
1. Tranzistorul MOS cu o poart

VT VT0

B legat la S
Structura MOS ideal

VT 0 Vox
QB0
Vox
Cox

Legea Gauss

Cox capacitatea pe unitatea de arie a oxidului de poarta


Structura MOS real

VT 0 Vox VFB
09.01.17

DE

(4.10a)

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

VFB tensiunea de benzi netede


Structura MOS real la echilibru termic
curbarea nivelelor energetice EC, Ei si EV datorit:
sarcinilor din oxidul de poart: sarcini de volum (ox); sarcini de
interfa (QSS)
diferena dintre lucrul mecanic de extractie a e- din metal,
respectiv din substrat

VFB MS

Qss
1

Cox Cox

xox

x
0 xox ox x dx

VFB tensiunea ce trebuie aplicat pe G pentru a elimina curbura benzilor

09.01.17

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

2. Tranzistorul MOS cu dou pori


Structura MOS ideal
S i D legate la mas
G i B polarizate diferit
x

xd ,max Qn QB0

vGS= VT
S

-xox
xc
xd,max

n+
RSS

B
09.01.17

-vBS
DE

Fig. 4.3h

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

QB
VT
VFB
Cox

(4.10b)

QB 0
QB QB 0
VT
VFB
Cox
Cox

QB0 2 S qN A

1
2

QB qN A xd ,max 2 s qN A vBS

VT VT 0

- factor de substrat
09.01.17

vBS

QB 0

Cox
DE

(4.10c)

1
2

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Concluzii
VT tensiunea de prag a tranzistorului MOS cu 2 porti

VT 0 VT

vBS 0

tranzistorul cu o singur poart

(4.11a,c) au fost deduse pentru n-MOS, dar sunt valabile i pentru


p-MOS
Tabelul 4.1

09.01.17

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

4.3.4 Conductana canalului

W
gC
L

W, L, xc

xC

xC

W
W
0 q n n x dx L n 0 qn x dx L n Qn

dimensiunile geometrice ale canalului

mobilitatea electronilor (valoarea medie)

Qn

sarcina purttorilor mobili din canal

Qn Cox vGS VT

v DS 0

W '
gc
k n vGS VT
L
09.01.17

DE

(4.11a)

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

4.3.5 Regimuri de lucru


iG 0 , iB 0
Funcionare n conducie iD 0

vGS VT 0 , vDS 0

MOS canal n

(4.12a)

vGS VT 0 vDS 0

MOS canal p

(4.12b)

vGS VT sau vDS 0

MOS canal n

(4.12c)

vGS VT sau vDS 0

MOS canal p

(4.12d)

Funcionare n blocare iD 0

09.01.17

DE

4.2 TEC cu poart joniune

Regimuri de polarizare - n MOS

Fig. 4.3i
09.01.17

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

4.3.6 Relaii ntre cureni i tensiuni la MOS


n-MOS n conducie:

n regim cvasistaionar

vGS VT 0 , vBS 0

iG 0 , iB 0

singurul curent prin tranzistor este iD 0

daca vDS

Domeniul tensiunii vDS se mparte n dou zone:

09.01.17

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

1) Zona cvasi-liniar (de triod)


0 < vDS

< vGS VT

+vGS > VT

canal n

vCS

n+

n+
dvCS
y

RSS
-vBS
vCS(y) - tensiunea pe canal (poziia y)
09.01.17

DE

Fig. 4.3j

+vDS

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

vGC = vGS vCS(y) > VT


vGC (y) tensiunea poart - canal n poziia y, vGC > VT
Din (4.11a)

W '
W '
gC y
k n vGC y VT
k n vGS vCS VT (4.11b)
L
L
Conductana canalului scade pe direcia y de la S spre D

iD

v DS

g y dv y
C

iD kn vGS VT vDS

CS

vDS
iD k n ( p ) vGS VT vDS

09.01.17

DE

(4.13a)

vDS

2

4.2 TEC cu poart joniune

Factorul de curent

kn( p)

W '
W

kn( p)
n ( p )Cox
L
L

(4.14)
ID

VGS = 3VT
2) Zona liniar

VGS = 2VT

vDS vGS VT

VDS

iD k n ( p ) vGS VT vDS

(4.13b)

MOS - o rezisten controlat prin vGS

09.01.17

DE

VGS = VT >0

Fig. 4.3k

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

3) Zona de saturaie / activ

vDS vDS ,sat vGS VT


saturaie incipient: vDS vDS ,sat

kn( p)

iD iD , sat

2
DS , sat

kn( p)
2

vGS VT 2

(4.13c)

saturaie propriu-zis vDS vDS ,sat

iD

iD

09.01.17

kn( p)
2

(vGS VT ) 2 (1 n ( p ) vDS )

kn( p )
2

( vGS

vDS vDS ,sat


VT ) ( 1
)
VF
2

DE

(4.13d)

(4.13e)

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Parametrii statici

tensiunea de prag VT

factorul de curent kn(p)

parametrul n(p) / Tensiunea Early VF

Observaii

a) Ecuaiile i funcionarea MOS -ului sunt similare cu cele ale TEC-J


b) n saturaie, apare modularea lungimii canalului (vezi analiza facut la TEC-J n
paragraful 4.2.3
c) Relaiile (4.13) sunt valabile i pentru p-MOS, dar trebuie s se lucreze cu |vDS|
i |vGS

09.01.17

- VT|

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Caracteristici de ieire

vDS vDS ,sat vGS VT


vDS vDS ,sat vGS VT
saturaie propriu-zis : v DS

vDS
iD k n ( p ) vGS VT vDS

kn( p) 2
kn( p )
vGS VT 2
iD iD , sat
vDS , sat
2
2
vDS ,sat
n mic ( 1 n vDS ) 1

iD se satureaz cu vDS
( 1 n vDS ) 1

Fig. 4.3l

09.01.17

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Caracteristici de ieire

vDS vDS ,sat vGS VT


vDS vDS ,sat vGS VT
saturaie propriu-zis : vDS

vDS
iD k n ( p ) vGS VT vDS

kn( p )
iD
( vGS VT )2 ( 1 n vDS )
2
vDS ,sat iD crete liniar cu vDS

Fig. 4.3m

09.01.17

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Caracteristica de transfer
saturaie propriu-zis : vDS vDS ,sat vGS VT

iD

kn( p )
2

( vGS VT )2 ( 1 n v DS )

iD crete parabolic cu vGS

Fig. 4.3n

09.01.17

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

4.3.7 Modelarea TEC-MOS

1. Modelarea n regim staionar

ID IS

k n p
2

VGS VT 2 1 n p VDS

IG I B 0
Punctul static de funcionare

Q I D ,VGS ,VDS ,VBS


VDS VDS ,sat VGS VT

09.01.17

saturaie

DE

(4.15a)

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

2. Modelarea n regim cuasistationar


vgs - semnal mic de joas frecven

vGS VGS v gs
iD I D id

vDS VDS vds

vT VT0 n p VBS vbs


vT VT0 n p

VBS

v BS VBS vbs

1 n p
1 n p

vbs VT
vbs
2 VBS
2 VBS

kn p
n p
iD
VGS v gs VT
vbs
2

2
V

BS

09.01.17

DE

1 n p VDS vds

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Componenta -continu ,staionar


kn p
2
ID
VGS VT 1 n p VDS
2

Componenta dinamic (de semnal)

id kn p VGS VT

1 V
n p

DS

vds

n p
v gs
vbs

2 VBS

kn p
2

VGS VT vds
2

kn p
v gs

2 VBS

(4.15b)

Semnal mic dac

id ~ v gs

id ~ vbs

id ~ vds

v gs VGS VT
Condiia de semnal mic - TEC
09.01.17

DE

vbs

n p

(4.8)

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

id kn p VGS VT


n p
v gs
vbs

2
V

BS

id g m v gs g mb vbs g ds vds
gm - panta principal
gmb - panta raportat la substrat
gds - conductana de ieire,

09.01.17

DE

kn p
2

VGS VT vds
2

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

3) Circuitul echivalent de semnal mic, frecvene joase

id is g m v gs g mb vbs g ds vds
ig ib 0

(4.15c)

id
+

gmvgs
G

vds

rds

ig=0

id = is

vgs

Fig. 4.3o
09.01.17

DE

gmbvbs
ib=0

vbs

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Tranzitorul MOS cu 3 electrozi - B legat la S -vbs= 0


Circuitul echivalent simplificat - identic cu TEC-J
D

ig=0

+
gmvgs

rds

vds

vgs

S=B

Fig. 4.3p

09.01.17

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Efectul rezistenelor serie de surs i dren

id

rd
D

gmvgs
ig=0

G
+

ib=0

vgs

- S

rs

id = i s

S
09.01.17

gmbvbs

vds

rds

vbs

Fig. 4.3r
DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

3.Modelare la semnal mic, frecvene nalte


Capaciti interne

Fig. 4.3t
09.01.17

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

a) Capacitile jonctiunilor
Capaciti de barier ale J-BS i J-BD identice, polarizate invers

dq BS
qBS vBS q BS VBS
dvBS
dq BD
q BD vBD q BD VBD
dvBD

09.01.17

DE

vbs QBS Cbs vbs


Q

vbd QBD Cbd vbd


Q

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

b) Capaciti de poart

qGS

dqGS
qGS VGS
vgs QGS C gs vgs
dvGS Q

qGD

dqGD
qGD VGD
vgd QGD C gd vgd
dvGD Q

qGB

dqGB
qGB VGB
v gb QGB C gb v gb
dvGB Q

09.01.17

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Relaii generale ntre cureni i tensiuni

dqGD dqBD
iD iDS

dt
dt
dqGS dqGD
iG

dt
dt
dqBS dqBD
iB

dt
dt
dqGS dqBS
iS iDS

dt
dt
iDS

kn p
1

VGS v gs VT
n p vbs
2

2
V

BS

iDS - curentul principal al tranzistorului


09.01.17

DE

(4.15d)

1 n p VDS vds

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Componentele dinamice de semnal mic, frecvene nalte

id g m v gs g mb vbs g ds vds C gd
ig C gs

dv gs

C gd

dv gd
dt

Cbd

dvbd
dt

dv gd

dt
dt
dvbs
dvbd
ib Cbs
Cbd
dt
dt

(4.15e)

is g m v gs g mb vbs g ds vds C gs

09.01.17

DE

dv gs
dt

Cbs

dvbs
dt

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Circuitul echivalent de semnal mic, frecvene nalte


D

vgd
Cgd
G

Cbd

ig

ib B

vds

rds

gmvgs

gmbvbs

Cgs

vgs

is

rs
S

Fig. 4.3u
09.01.17

vbd

id

rd

DE

vbs

Cbs

4.2 TEC cu poart joniune

4) Parametrii dinamici
a) Conductanele tranzistorului

iD vGS ,vDS kn p vGS VT 1 n p vDS I D id


2

I D I DSS VGS VT 1 n p VDS


2

id kn p VGS VT


n p
v gs
vbs

2
V

BS

kn p

VGS

id g m v gs g mb vbs g ds vds
g m kn p VGS VT

iD
kn p vGS VT 1 n p vDS
vGS
09.01.17

DE

kn p vGS
VT

VT

vds

4.2 TEC cu poart joniune

gm - conductana de transfer /mutual / panta tranzistorului(principal)


gm

iD
vGS

kn p VGS VT 2k n p I D
Q

variaia curentului la ieire produs


de variaia tensiunii de comand
(aplicat pe poarta principal-G):

g m g m kn p VGS VT 2k n p I D (4.16a)
09.01.17

DE

Fig. 4.3v

4.2 TEC cu poart joniune

gmb - panta raporat la substrat (secundar)

n p

g mb kn p VGS VT
2 VBS

g mb

iD
vBS

n p

g m
2 VBS

Variaia curentului la ieire produs de variaia tensiunii de substrat(B) :

g mb

iD

vBS

g mb g m
09.01.17

iD

VT

dVT
dvBS

iD

v
GS

n p

VT
v BS
Q

gm
Q

(4.16b)

2 VBS
DE

n
2 VBS

4.2 TEC cu poart joniune

gds - conductana de ieire:

kn p

g ds

iD
vDS

VGS VT

kn p
2

vds

VGS VT vds

iD
g ds r
vDS

1
ds

Variaia curentului la ieire produs de variaia tensiunii de ieire

09.01.17

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Conductana de ieire

iD
g ds
vDS

n p I D

(4.10a)

Rezistena de ieire

rds

09.01.17

n p I D

DE

(4.10b)

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

b) Capaciti de barier

Cbs 0
Cbs
mj
1 VBS B 0
Cbd

Cbd 0

mj
1 VBD B 0

Cbs 0 Cbs

VBS 0

Cbd 0 Cbd V
09.01.17

1 1
m j ...
3 2

BD 0

DE

(4.17a)

(4.17b)

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

c) Capaciti de poart

Cos Cod Cox LDW


Cgs ,i

2
Cox LW
3

Cgs Cgs ,i

Cgd ,i 0

2
Cod Cox LD L W
3

Cgd Cgd ,i Cod Cox LDW

C gb 0

09.01.17

(4.17c)

(4.17d)

(4.17e)

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

2. Capaciti de poart - demonstratie

Ci

Cgs ,i

Capacitati intrinseci

dQn ,T

dvGS

Qn ,T Sarcina totala a purtatorilor mobili din canal


L

Qn,T W Qn dy
0

Qn Sarcina pe unitatea de arie a purtatorilor mobili


din canal
Qn y Cox vGS vCS y VT
09.01.17

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus


L

Qn,T WCox vGS vCS y VT dy


0

dQn QnWdy QnWdy


dvCS
ID

QnWvd QnW n
dt
dt
dy / vd
dy

dQn
dt

09.01.17

Incrementul sarcinii putatorilor mobili din


canal (asociat distanei dy)n poziia y fat
de surs(vezi Fig.4.3n)
Incrementul timpului timpul necesar puttorilor
mobili s strbat distana dy prin canal
DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

W n Qn dvCS W n Cox vGS vCS y VT dvCS


dy

ID
ID
vGS VT

2
W C n
Qn,T
vGS vCS y VT dvCS

ID
0
Limita integralei: y=L s-a schimbat cu:
vCS L vDS vGS VT
ce corespunde saturatiei incipiente
2
n Cox
2
Qn ,T WLCox vGS VT
ID
vGS VT
3
2
2

Cgs ,i
09.01.17

2
ox

dQn ,T 2

Cox LW
dvGS
3

Cds ,i
DE

dQn,T

0
dvDS

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Tensiunea de prag la MOS cu o poart


Analogie hidrodinamic
VGS = 0

VS = 0
VG

09.01.17

VS = VB = 0
VGS

VT0

DE

VD = 0

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Analogie hidrodinamic
VGS > VT0

VS = 0
VG

09.01.17

VS = VB = 0
VGS

VD = 0
VT0

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Analogie hidrodinamic
VGS > VT0

VS = 0
VG

09.01.17

VS = VB = 0
VGS

VD = 0
VT0

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Tensiunea de prag la MOS cu dou pori


Analogie hidrodinamic
VBS = 0
VB = 0
VS = 0

VD = 0

VT0

VG = 0

09.01.17

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Analogie hidrodinamic
VBS < 0

VS = 0

VT

VBS

VG = 0

09.01.17

DE

VD = 0

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Analogie hidrodinamic
VGS = VT > 0

VS = 0

VD = 0
VGS = VT

VG

09.01.17

VG = 0

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Analogie hidrodinamic
VDS > 0

VGS > VT0

VS = 0
VD
VG

VS = VB = 0
VGS

VD = 0
VT0

VDS

09.01.17

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Analogie hidrodinamic
VDS = VDS,sat

VS = 0
VD
VG

ID = ID,sat

VS = VB = 0
VGS

VT0

VDS,sat
VDS

09.01.17

DE

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

Analogie hidrodinamic
VDS > VDS,sat

VS = 0
VD
VG

ID ID,sat

VS = VB = 0
VT0

VDS > VDS, sat


09.01.17

DE

Capitolul IV
TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP

4.1 Prezentare general


4.2 TEC cu poart jonciune
4.3

Tranzistorul MOS cu canal indus

4.4

Tranzistorul MOS cu canal iniial

09.01.17

DE

4.4 Tranzistorul MOS cu canal initial

4.4. Tranzistorul MOS cu canal iniial


Metal

Oxid

S
SiO2

D
SiO2

SiO2
n+

rs

RSS

rd

substrat p

n+

Semiconductor

canal n

Fig. 4.4a

substratul p, canalul n, zonele n+ de S si D de la structura TEC-J


electrodul de poart, oxidul de poarta de la MOS cu canal indus
09.01.17

DE

4.4 Tranzistorul MOS cu canal initial

Canalul n
creat printr-un proces tehnologic
rezultat datorit sarcinilor din oxid

Tensiunea de prag

canal n

VT<0

canal p

VT>0

09.01.17

tranzistorul conduce si la vGS=0

DE

4.4 Tranzistorul MOS cu canal initial

Caracteristici statice la MOS cu canal inial


Caracteristica de tranfer

Caracteristici de ieire

Fig. 4.4c

Fig. 4.4b

09.01.17

DE

4.4 Tranzistorul MOS cu canal initial

Regimuri de lucru

iG 0 , iB 0
Funcionare n conducie iD 0

vGS VT

vDS 0

MOS canal n

(4.18a)

vGS VT

vDS 0

MOS canal p

(4.18b)

vGS VT sau vDS 0

MOS canal n

(4.18c)

vGS VT sau vDS 0

MOS canal p

(4.18d)

Funcionare n blocare iD 0

09.01.17

DE

4.4 Tranzistorul MOS cu canal initial

Funcionare n conducie
Regim de acumulare/mbogire:

vGS 0 canal n
vGS 0 canal p
funcionare similar cu MOS cu canal indus
Regim de golire/srcire:

VT vGS 0
VT vGS 0

canal n
canal p

funcionare similar cu TEC-J

09.01.17

DE