Cap4 TEC 2016

Capitolul IV
TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP (TEC)
09.01.17
DE
Capitolul IV
TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP
4.1 Prezentare general

4.2 TEC cu poart jonciune
4.3
Tranzistorul MOS cu canal indus
4.4
Tranzistorul MOS cu canal iniial
09.01.17
DE
Tranzistorul cu efect de cmp (TEC)

Curentul principal e controlat printr-un cmp electric (camp de control);
curentul principal circul printr-un canal conductor, bordat de 2 electrozi: surs S
i dren D
tensiunea aplicat pe un al treilea electrod (gril G) modific cmpul de control
vGS
-
EC
+ vDS
iD
canal n
Fig. 4.1
09.01.17
DE
Clasificarea TEC
TEC
TEC J
canal n
canal p
TEC S
canal n
canal p
canal indus
canal n
canal p
canal initial
canal n
canal p
TEC MOS
TEC-J (J-FET),
TEC cu poarta jonctiune
TEC-S (MES-FET),
TEC cu poarta Schottky
TEC-MOS (MOS-FET),
TEC cu poarta MOS
09.01.17
DE
Simbolurile TEC
TEC-J cu canal p
TEC-J cu canal n
TEC-MOS cu canal n
09.01.17
TEC-MOS cu canal p
DE
Capitolul IV

4.3
4.4
09.01.17
DE
4.2.1 Structura TEC-J
S
SiO2
SiO2
n+
rs
SiO2
p+
SiO2
rd
L
canal n
n+
a-xd0
substrat p
B
09.01.17
Fig. 4.2a
DE
5.2 TEC cu poart joniune
Observaii
TEC-J are 4 electrozi: S-surs, D-dren, G-poart (gril), Bsubstrat (bulk).
n practic se folosete mult TECJ cu 3 electrozi; prin
construcie substratul e legat la surs (B S).
Cmpul electric de control acioneaz numai n zona de sub
poart.
Structura ideal cuprinde numai aceast zon (Fig. 4.2b).
09.01.17
DE
-vGS
G
RSS
a-xd0
D
RSS
B
Fig. 4.2b
09.01.17
L
DE
4.2.2 Conductana canalului. Tensiunea de prag

Conductana canalului
conductana
constructiv
a W
g q N
o
n D L
(4.1a)
conductana efectiv
g o,ef
xd
g o (1 )
a
2 S
xd
B 0 vGS
qN D
09.01.17
1
2
DE
Modularea grosimii canalului
g 0,ef
xd
vGS
xd 0
g0 1
1
a
B 0
(4.1b)
- Limea zonei de barier n canal
xd 0
vGS
2 S

B 0
qN D
g 0,ef
Conductanta modulata de campul electric controlat de
09.01.17
DE
VGS
Tensiunea de prag
vGS VT
09.01.17
g 0,ef 0
xd a
qN D 2
VT B0
a
2 S
TEC-J canal n
(4.2a)
qN A 2
VT
a B0
2 S
TEC-J canal p
(4.2b)
DE
conductana efectiv functie de tensiunea de prag
g o ,ef
B 0 vGS
go 1
V
B
0
T
(4.1c)
conductana efectiv maxim
go,ef max
09.01.17
B0
go 1
V
B
0
T
DE
Tensiunea de prag
-VGS
-VT
-VGS
S
SiO2
SiO2
n+
SiO2
n+
p+
L
on
canal off
a-xd0
substrat p
Fig 4.2c
09.01.17
SiO2
B
DE
Conductana efectiv functie de tensiunea de poarta
g0,ef
VT
VGS
Fig. 4.2d
09.01.17
g0,ef max
DE
4.2.3 Regimuri de funcionare

iG 0 , iB 0
Funcionare n conducie
iD 0
VT vGS 0 , vDS 0
TEC-J canal n
(4.3a)
0 vGS VT , vDS 0
TEC-J canal p
(4.3b)
vGS VT sau vDS 0
TEC-J canal n
(4.3c)
vGS VT sau vDS 0
TEC-J canal p
(4.3d)
Funcionare n blocare
09.01.17
iD 0
DE
4.2.4 Relaii ntre cureni i tensiuni

1. Zona liniar
I D 2I DSS

VDS VGS VT
VGS VDS
1
VT
V
T
-VGS
S
SiO2
n+
D
SiO2
SiO2
VDS,sat
n+
p+
substrat p
Fig 4.2e
2VDS,sat
+VDS
G
SiO2
VDS
0
B
1.Zona liniar
VGS = 0
iD go ,ef vDS
g o ,ef
g o ,ef
2I
DSS
VT
(4.4a)
VGS = VT/2<0
(4.1b)
VGS = VT <0
v
1 GS
VT
(4.1d)
Fig. 4.2f
formula (4.1d) - empiric

zona liniar: TECJ o rezisten
09.01.17
1/g0,ef controlat prin vGS

DE
2. Zona cvasiliniar
I D 2I DSS
VDS VGS VT
VGS VDS
1
VT
VT
-VGS
S
SiO2
n+
VDS
2VDS,sat
D
SiO2
SiO2
VDS,sat
n+
p+
substrat p
Fig 4.2g
V DS
+VDS
G
SiO2
0
B
2.Zona de tranziie (cvasiliniar)
vDS vGS VT
vGD vGS 0
canalul se ngusteaz
de la S spre D
rata de cretere
a lui iD cu vDS scade
2

vGS vDS vDS
iD I DSS 2 1
2
VT VT VT

09.01.17
DE
(4.4b)
3. Saturaie incipient
VDS VGS VT
V
I D I D ,sat I DSS 1 GS
VT
-VGS
S
SiO2
n+
2VDS,sat
+VDS
G
SiO2
VDS
D
SiO2
SiO2
VDS,sat
n+
p+
substrat p
Fig 4.2h
0
B
Zona de saturatie
vDS vGS VT
3. Saturaie incipient
vDS ,sat vGS VT
(4.5a)
vGD vGS vDS VT

canalul se nchide la D
iD iD ,sat
09.01.17
vGS
I DSS 1
VT
I DSS
vDS ,sat 2
VT2
DE
(4.4c)
4. Zona de saturaie (activ)

I D I D ,sat
VDS VGS VT
VGS
I DSS 1
VT
-VGS
S
SiO2
n+
2VDS,sat
D
SiO2
SiO2
VDS,sat
n+
p+
A
substrat p
Fig 4.2i
VDS
+VDS
G
SiO2
0
B
4.Saturaie propriu-zis (zona activ)
v DS v DS ,sat vGS VT
v AS vDS ,sat
(4.5b)
vGA vGS v AS VT
canalul se nchide pe
distana dintre planele A i D
Lef L xa
vGS
iD I DSS ,ef 1
VT
09.01.17
DE
Curentul IDSS
I DSS iD ,sat
VGS 0
IDSS curentul maxim prin tranzistor

IDSS dat de catalog
I DSS
W
L
09.01.17
I DSS ~ n p
2 aW
~ g 0 q n N D
L
I DSS
factorul geometric al TEC
DE
W
~
L
Modularea lungimii canalului (efectul Early)
I DSS ,ef ~
I DSS
W
Lef
I DSS ,ef
I DSS
W
~
L
vGS
iD I DSS ,ef 1
VT
Lef vDS Lef vDS ,sat
vGS
iD I DSS 1
VT
09.01.17
Lef
dLef
dvDS
DE
vDS vDS ,sat ...

vDS ,sat
L
Lef
Lef vDS L
vDS vDS , sat
1
VF
(4.6a)
Lef vDS ,sat L

VF1
dLef
dvDS
vDS ,sat
VF 20...100 V
vDS vDS ,sat

L
1
Lef
VF
09.01.17
(4.6b)
DE
iD I DSS
iD I DSS
vDS - vDS , sat

vGS
1- 1
VT
VF
2
vGS
1- 1 n p vDS - vDS ,sat
VT
vGS
iD I DSS 1
VT
1 n p vDS
IDSS curentul maxim prin tranzistor

n( p )
VF
1
VF
tensiunea Early
n( p ) - parametrul Early
09.01.17
DE
(4.4d)
(4.4e)
|VGS|
Efectul lui VGS
|VT|
-VGS
S
SiO2
G
SiO2
n+
D
SiO2
SiO2
n+
p+
substrat p
Fig 4.2j
+VDS
0
B
4.2.5 Modelarea TEC-J

1) Modelarea n regim staionar
ID
IG
VGS
I S I DSS 1
VT
1 n p VDS
Punctul static de funcionare
Q I D ,VGS ,VDS
VDS VDS ,sat VGS VT
09.01.17
saturaie
DE
(4.7a)
2) Modelarea n regim cuasistaionar
iD vGS ,vDS
vGS
I DSS 1
VT
1 v
n p
DS
vgs - semnal mic de joas frecven
vGS VGS vgs iD I D id
vDS VDS v gs
VGS v gs
iD I DSS 1
1 n p VDS vds
VT
iD I DSS

VGS
VGS v gs
1
2 1
VT V T
VT
Componenta continu
V
I D I DSS 1 GS
VT
09.01.17
1 V
n p
DS
DE
v gs
1 n p VDS vds
VT
Componenta dinamic (de semnal)

v gs
VGS
id I DSS 2 1
VT VT

Condiia de semnal
mici ~ v
d
gs
id ~ vds
v gs
VGS
1 n p VDS vds I DSS 1
V T
VT
v gs VGS VT
v gs
VGS
id I DSS 2 1
V
T

T
(4.8)
1 V
n p
DS
V GS
I DSS 1 n( p )vds
V T
v gs
VGS
V GS
id I DSS 2 1
I DSS 1 n( p )vds
VT VT
V T

id g m v gs g ds vds
09.01.17
DE
n( p )vds
id g m v gs g ds vds
(4.7b)
gm - conductana de transfer /mutual / panta tranzistorului
gm
id
v gs
2
vds 0
I DSS
VT
2 I D I DSS
VGS
VT
VT
gds - conductana de ieire
g ds
09.01.17
id
vds
vdg 0
VGS
I DSS 1 n( p ) I D n( p )
VT
DE
3) Modelare la semnal mic, frecvene

joase
id is g m v gs g ds vds
(4.7c)
ig 0
id
ig=0
G
v gs
g m v gs
is
gm - conductana de transfer / panta tranzistorului:

rds =1/gds - rezistena de ieire:
09.01.17
DE
rds
vds
Fig. 4.2k
4. Modelare la semnal mic, frecvene nalte

Capaciti interne Cgs , Cgd
Capaciti de barier ale J-GS i J-GD - polarizate invers
dqGS
qGS vGS qGS VGS

dvGS
qGD vGD qGD VGD
09.01.17
v gs QGS C gs v gs
Q
dqGD
dvGD
v gd QGD C gd v gd
Q
DE
dqGS
dvGS
dqGD
dvGD
C gs
C gd
Relaii generale ntre cureni i tensiuni
vGS
dqGD
iD I DSS 1
1 n p v DS
VT
dt
dq
dq
iG GS GD
dt
dt
vGS
iS I DSS 1
VT
09.01.17
1 n p vDS dqdtGS
DE
(4.7d)
Componentele dinamice ale curenilor
id g m v gs g ds vds C gd
ig C gs
dv gs
dt
C gd
dv gd
dt
dv gd
(4.7e)
dt
is g m v gs g ds vds C gs
dv gs
dt
La frecvene joase reactanele Cgs i Cgd sunt foarte mari

efect neglijabil
09.01.17
DE
Circuit echivalent natural de semnal mic, frecvene nalte
C gd
ig
G
v gs
-
g m v gs
C gs
rds vds
-
is
S
Fig. 4.2l
09.01.17
id
DE
4) Parametrii dinamici
a) Conductanele tranzistorului
iD vGS ,vDS
vGS
I DSS 1
VT
VGS
I D I DSS 1
VT
1 v I
DS
n p
id
1 V
n p
DS
v gs
VGS
V GS
id I DSS 2 1
I DSS 1 n( p )vds g m v gs g ds vds
VT VT
V T

2I
g m DSS
VT
vGS
1
VT
iD
2I DSS
vGS
VT
09.01.17
vGS
2I DSS
v GS
1 1 n p vDS
1
VT
VT
V T
DE
iD
vGS
2I
DSS
VT
VGS
2I DSS
V GS
1 1 n p VDS
1
VT
VT
V T
iD
gm
vGS
gm - conductana de transfer /mutual / panta tranzistorului:

Variaia curentului la ieire produs de variaia tensiunii de comand
V
g ds I DSS 1 GS n( p )vds
VT
iD
V
I DSS 1 GS n( p ) n( p ) I D
vDS Q
VT
g ds rds1
iD
vDS
gds - conductana de ieire:

Variaia curentului la ieire produs de variaia tensiunii de ieire
09.01.17
DE
iD
id
vGS
iD
v gs
vDS
Q
vds g m v gs g ds vds
Q
Conductana de transfer /mutual / panta tranzistorului

gm
id
v gs
vds 0
iD
vGS
2
Q
I DSS
VT
2 I D I DSS
VGS
VT
VT
n TEC-J:
VT 0 g m 0
p TEC-J:
VT 0 g m 0
2 I DSS
gm gm
VT
09.01.17
V
1 GS
VT
2 I D I DSS

VT
DE
(4.9a)
Rezistena de
ieire
1
ds
g ds r
rds
09.01.17
iD
v DS
n( p ) I D
Q
(4.9b)
n p I D
DE
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
b) Capacitile de barier
C gs
C gd
dqGS
dvGS
dqGD
dvGD
C gs0 C gs
VGS 0
C gs0
1 VGS
B0
C gd 0
1 VGD
B0
DE
(4.9d)
mj
C gd 0 C gd
1 1
m j ...
2 3
09.01.17
(4.9c)
mj
VGD 0
4.2.6 Comportarea cu temperatura

1. Parametrii statici
Curentul IDSS
IDSS ~ n(p)
n(p)
IDSS
B0
|VT|
Tensiunea de prag VT
VT ~ B0
Tensiunea VF
VF nu variaz cu temperatura.
09.01.17
DE
IDSS
2. PSF-ul de drift nul cu temperatura
ID
T0 < T1 <T2
IDSS(T0)
VDS > VDS,sat
IDSS(T1)
IDSS(T2)
Z
VT(T2)
VT(T1)
VT(T0) VGSZ
Fig. 4.2m
09.01.17
DE
IDZ
VGS
IDSS
|VT|
Q(IDZ , VGSZ) - constant cu temperatura
VGSZ VT T0 0.7V
T
I
I DZ 0.49 DSS 0
VT2 T0
3. Curentul ID
09.01.17
ID > IDZ
ID
ID < IDZ
ID
DE
4. Parametrii dinamici
Panta gm
T
IDSS
|VT|
gm
Conductana gds
gds nu variaz cu temperatura.
Capacitile Cgs , Cds
T
09.01.17
B0
Cgs , Cgd
DE
Analogie
Hidrodinamica
Electroni
Molecule de lichid (ap)
Curent electric
Curgerea lichidului
Terminalele dispozitivelor
Bazine infinite cu lichid
Potenialele terminalelor
Nivelurile lichidului n bazine
Potenial pozitiv
Un nivel al lichidului mai mic dect cel
de referin pentru bazin
Potenial negativ
Un nivel al lichidului mai mic dect cel
de referin pentru bazin
09.01.17
DE
JFET analogie hidrodinamic

Echilibru
ID = 0
VS
VS = 0
VG = 0
VD = 0
POART
SURS
09.01.17
DREN
DE
Strcutura JFET
Modelarea
grosimii canalului
-VGS
-VT
-VGS
S
SiO2
SiO2
n+
SiO2
n+
p+
L
on
canal off
t-xd0
substrat p
B
09.01.17
SiO2
DE
Modularea grosimii canalului
g 0,ef
vGS
xd
xd 0
g0 1 g0 1
1
a
a
B 0
vGS
VGS VT
09.01.17
g 0,ef
g 0,ef 0
DE
JFET - analogie hidrodinamic

Efectul lui
ID = 0
VGS
-VGS
V
VTG
VS
-VT
VDS
VD
SURS
DREN
09.01.17
DE
Conducie
Efectul lui VGS
V
I D 2 I DSS 1 GS
VT

2
VDS VDS
V 2V 2
T
T
-VGS
S
SiO2
D
SiO2
SiO2
n+
p+
substrat p
0
B
09.01.17
|VT|
+VDS
G
SiO2
n+
|VGS|
DE
Conducie
VDS
Efectul lui VDS
2 2
V GS VVGS
VDS
DS
I DSS
I DD 2I DI DSS
1
2
,sat 1
V
V T VTT 2VT

VDS ,sat VGS VT
-VGS
S
SiO2
D
SiO2
SiO2
VDS,sat
n+
p+
substrat p
0
B
09.01.17
+VDS
G
SiO2
n+
2VDS,sat
DE
JFET analogie hidrodinamic

Efectul lui VDS
ID > 0
VS
VD
SURS
09.01.17
VDS
POART
DREN
DE

Efectul lui VDS
ID = ID, sat
VS
VDS,sat
POART
VD
SURS
09.01.17
DREN
DE

ID ID, sat
Efectul lui VDS
VG
VG
VS
VDS
VD
SURS
09.01.17
DREN
DE
Capitolul IV

4.3
4.4
09.01.17
DE
4.3.1. Structura MOS

Metal
Oxid
S
SiO2
D
SiO2
SiO2
n+
rs
RSS
rd
n+
Semiconductor
substrat p
Fig. 4.3a
B
La TEC-MOS in raport cu TEC-J
lipsete zona p+ de poart

electrodul de poart este dispus pe un strat izolant de oxid
n cazul MOS cu canal indus, nu exist canal care s conecteze zonele n+
09.01.17
DE
Tranzistorul MOS vedere tridimensional
S,D,G,B electrozii tranzistorului
Fig. 4.3b
L - lungimea canalului
W - limea canalului
L / W factor de aspect (geometric)
09.01.17
DE
Observatii
In aplicatii se folosete:
tranzistorul MOS cu 4 electrozi (2 porti de comanda):
G poarta principala si B poarta secundara
tranzistorul MOS cu 3 electrozi (o poarta G): prin constructie, substratul B se
leaga la sursa S
TEC-MOS-ul are 2 jonctiuni, intotdeauna invers polarizate: J-BS si J-BD.
09.01.17
in regim stationar si cvasistationar curentii de substrat sunt neglijabili.

Curentii de poarta sunt neglijabili datorita oxidului izolator
DE
4.3.2 Antrenarea canalului

Structura MOS la echilibru ( absenta polarizrii )
iD
D
Fig. 4.3c
ntre S i D sunt 2 diode dispuse spate n spate
Un curent
iD0
ntre S si D
inducerea unui canal n ntre zonele n+
vGS 0
09.01.17
DE
iD 0
e+ din B, din vecintatea interfeei substrat - oxid de poart sunt ndeprtai de

potenialul pozitiv al G
e- din B sunt atrai n vecintatea interfeei substrat - oxid de poart de potenialul

pozitiv al G
vGS
concentraia e- devine predominant fa de concentraia de e+

pe o zon foarte ngust
semiconductorul s-a inversat (p n)
vGS VT
concentraia de e- din zona ngust de tip n e egal cu
concentratia de e+ din volumul B
09.01.17
DE
Antrenarea canalului - Evidenierea procesului
VGS
VT
+V
+VGS
=GSVT
S
SiO2
SiO2
n+
n+
CSR
CSR
canal n
regiune de golire
substrat p
B
Fig. 4.3d
09.01.17
DE
Structura MOS - Diagrama energetic la echilibru
M - electrodul G (nivelul Fermi EFm)
Ec,ox
O - oxidul de poarta (nivelul Ec, ox)

S - substratul (diagrama sem. p)
Ec
EFm
q|F|
Ei
Ev
Fig. 4.3e
09.01.17
DE
EFs
Structura MOS - Diagrama energetic la

M
vGS = VT
S
qVox
Ec
Ei
EFs
Ev
q|F|
q|F|
qvGS=qVT
EFm
Fig. 4.3f
-xos
Diferena energetic
0 xc
xd,max
EFs EFm qvGS qVT
Curbarea benzilor energetice n B pe o poriune ntre 0 i xd,max (zona de barier)

09.01.17
DE
Distribuia tensiunii pe structura MOS
vGS VT Vox 2 F Vox
Notaie:
2 F
Vox
tensiunea pe oxid
2|F|
tensiunea pe semiconductor (inversie puternica)
E F s Ei
x 0
Ei
x xd ,max
EF s q F
ntre planele (x=0) i (x=xc) semiconductorul e de tip n

pentru x>xc substratul rmne de tip p
09.01.17
DE
Sarcina electric din semiconductor

xc
xd,max
Fig. 4.3g
Qn - sarcina mobil electroni n canal ( de grosime xc )
QB0 - sarcina fix ioni negativi n zona de barier ( de grosime xd,max )
QB 0 4 S qN A F
12
Qn Cox vGS VT
Qn QB0
09.01.17
DE
4.3.3 Tensiunea de prag

VT - tensiunea aplicata pe G ce produce antrenarea canalului
1. Tranzistorul MOS cu o poart
VT VT0
B legat la S
Structura MOS ideal
VT 0 Vox
QB0
Vox
Cox
Legea Gauss
Cox capacitatea pe unitatea de arie a oxidului de poarta

Structura MOS real
VT 0 Vox VFB
09.01.17
DE
(4.10a)
VFB tensiunea de benzi netede

Structura MOS real la echilibru termic
curbarea nivelelor energetice EC, Ei si EV datorit:
sarcinilor din oxidul de poart: sarcini de volum (ox); sarcini de
interfa (QSS)
diferena dintre lucrul mecanic de extractie a e- din metal,
respectiv din substrat
VFB MS
Qss
1
Cox Cox
xox
x
0 xox ox x dx
VFB tensiunea ce trebuie aplicat pe G pentru a elimina curbura benzilor
09.01.17
DE
2. Tranzistorul MOS cu dou pori

Structura MOS ideal
S i D legate la mas
G i B polarizate diferit
x
xd ,max Qn QB0
vGS= VT
S
-xox
xc
xd,max
n+
RSS
B
09.01.17
-vBS
DE
Fig. 4.3h
QB
VT
VFB
Cox
(4.10b)
QB 0
QB QB 0
VT
VFB
Cox
Cox
QB0 2 S qN A
1
2
QB qN A xd ,max 2 s qN A vBS
VT VT 0
- factor de substrat
09.01.17
vBS
QB 0

Cox
DE
(4.10c)
1
2
Concluzii
VT tensiunea de prag a tranzistorului MOS cu 2 porti
VT 0 VT
vBS 0
tranzistorul cu o singur poart
(4.11a,c) au fost deduse pentru n-MOS, dar sunt valabile i pentru

p-MOS
Tabelul 4.1
09.01.17
DE
4.3.4 Conductana canalului
W
gC
L
W, L, xc
xC
xC
W
W
0 q n n x dx L n 0 qn x dx L n Qn
dimensiunile geometrice ale canalului
mobilitatea electronilor (valoarea medie)
Qn
sarcina purttorilor mobili din canal
Qn Cox vGS VT
v DS 0
W '
gc
k n vGS VT
L
09.01.17
DE
(4.11a)
4.3.5 Regimuri de lucru

iG 0 , iB 0
Funcionare n conducie iD 0
vGS VT 0 , vDS 0
MOS canal n
(4.12a)
vGS VT 0 vDS 0
MOS canal p
(4.12b)
vGS VT sau vDS 0
MOS canal n
(4.12c)
vGS VT sau vDS 0
MOS canal p
(4.12d)
Funcionare n blocare iD 0
09.01.17
DE
Regimuri de polarizare - n MOS
Fig. 4.3i
09.01.17
DE
4.3.6 Relaii ntre cureni i tensiuni la MOS

n-MOS n conducie:
n regim cvasistaionar
vGS VT 0 , vBS 0
iG 0 , iB 0
singurul curent prin tranzistor este iD 0
daca vDS
Domeniul tensiunii vDS se mparte n dou zone:
09.01.17
DE
1) Zona cvasi-liniar (de triod)

0 < vDS
< vGS VT
+vGS > VT
canal n
vCS
n+
n+
dvCS
y
RSS
-vBS
vCS(y) - tensiunea pe canal (poziia y)
09.01.17
DE
Fig. 4.3j
+vDS
vGC = vGS vCS(y) > VT

vGC (y) tensiunea poart - canal n poziia y, vGC > VT
Din (4.11a)
W '
W '
gC y
k n vGC y VT
k n vGS vCS VT (4.11b)
L
L
Conductana canalului scade pe direcia y de la S spre D
iD
v DS
g y dv y
C
iD kn vGS VT vDS
CS
vDS
iD k n ( p ) vGS VT vDS
09.01.17
DE
(4.13a)
vDS

2
Factorul de curent
kn( p)
W '
W
kn( p)
n ( p )Cox
L
L
(4.14)
ID
VGS = 3VT
2) Zona liniar
VGS = 2VT
vDS vGS VT
VDS
(4.13b)
MOS - o rezisten controlat prin vGS
09.01.17
DE
VGS = VT >0
Fig. 4.3k
3) Zona de saturaie / activ
vDS vDS ,sat vGS VT

saturaie incipient: vDS vDS ,sat
kn( p)
iD iD , sat
2
DS , sat
kn( p)
2
vGS VT 2
(4.13c)
saturaie propriu-zis vDS vDS ,sat
iD
iD
09.01.17
kn( p)
2
(vGS VT ) 2 (1 n ( p ) vDS )
kn( p )
2
( vGS
vDS vDS ,sat

VT ) ( 1
)
VF
2
DE
(4.13d)
(4.13e)
Parametrii statici
tensiunea de prag VT
factorul de curent kn(p)
parametrul n(p) / Tensiunea Early VF
Observaii
a) Ecuaiile i funcionarea MOS -ului sunt similare cu cele ale TEC-J

b) n saturaie, apare modularea lungimii canalului (vezi analiza facut la TEC-J n
paragraful 4.2.3
c) Relaiile (4.13) sunt valabile i pentru p-MOS, dar trebuie s se lucreze cu |vDS|
i |vGS
09.01.17
- VT|
DE
Caracteristici de ieire
vDS vDS ,sat vGS VT

vDS vDS ,sat vGS VT
saturaie propriu-zis : v DS
vDS
kn( p) 2
kn( p )
vGS VT 2
iD iD , sat
vDS , sat
2
2
vDS ,sat
n mic ( 1 n vDS ) 1
iD se satureaz cu vDS
( 1 n vDS ) 1
Fig. 4.3l
09.01.17
DE
vDS vDS ,sat vGS VT

vDS vDS ,sat vGS VT
saturaie propriu-zis : vDS
vDS
kn( p )
iD
( vGS VT )2 ( 1 n vDS )
2
vDS ,sat iD crete liniar cu vDS
Fig. 4.3m
09.01.17
DE
Caracteristica de transfer
saturaie propriu-zis : vDS vDS ,sat vGS VT
iD
kn( p )
2
( vGS VT )2 ( 1 n v DS )
iD crete parabolic cu vGS
Fig. 4.3n
09.01.17
DE
4.3.7 Modelarea TEC-MOS
1. Modelarea n regim staionar
ID IS
k n p
2
VGS VT 2 1 n p VDS
IG I B 0
Punctul static de funcionare
Q I D ,VGS ,VDS ,VBS

VDS VDS ,sat VGS VT
09.01.17
saturaie
DE
(4.15a)
2. Modelarea n regim cuasistationar

vgs - semnal mic de joas frecven
vGS VGS v gs
iD I D id
vDS VDS vds
vT VT0 n p VBS vbs

vT VT0 n p
VBS
v BS VBS vbs
1 n p
1 n p
vbs VT
vbs
2 VBS
2 VBS
kn p
n p
iD
VGS v gs VT
vbs
2
2
V
BS
09.01.17
DE
1 n p VDS vds
Componenta -continu ,staionar

kn p
2
ID
VGS VT 1 n p VDS
2
Componenta dinamic (de semnal)
id kn p VGS VT
1 V
n p
DS
vds
n p
v gs
vbs
2 VBS
kn p
2
VGS VT vds
2
kn p
v gs
2 VBS
(4.15b)
Semnal mic dac
id ~ v gs
id ~ vbs
id ~ vds
v gs VGS VT
Condiia de semnal mic - TEC
09.01.17
DE
vbs

n p
(4.8)
id kn p VGS VT

n p
v gs
vbs
2
V
BS
id g m v gs g mb vbs g ds vds
gm - panta principal
gmb - panta raportat la substrat
gds - conductana de ieire,
09.01.17
DE
kn p
2
VGS VT vds
2
3) Circuitul echivalent de semnal mic, frecvene joase
id is g m v gs g mb vbs g ds vds
ig ib 0
(4.15c)
id
+
gmvgs
G
vds
rds
ig=0
id = is
vgs
Fig. 4.3o
09.01.17
DE
gmbvbs
ib=0
vbs
Tranzitorul MOS cu 3 electrozi - B legat la S -vbs= 0

Circuitul echivalent simplificat - identic cu TEC-J
D
ig=0
+
gmvgs
rds
vds
vgs
S=B
Fig. 4.3p
09.01.17
DE
Efectul rezistenelor serie de surs i dren
id
rd
D
gmvgs
ig=0
G
+
ib=0
vgs
- S
rs
id = i s
S
09.01.17
gmbvbs
vds
rds
vbs
Fig. 4.3r
DE
3.Modelare la semnal mic, frecvene nalte

Capaciti interne
Fig. 4.3t
09.01.17
DE
a) Capacitile jonctiunilor
Capaciti de barier ale J-BS i J-BD identice, polarizate invers
dq BS
qBS vBS q BS VBS
dvBS
dq BD
q BD vBD q BD VBD
dvBD
09.01.17
DE
vbs QBS Cbs vbs

Q
vbd QBD Cbd vbd

Q
b) Capaciti de poart
qGS
dqGS
qGS VGS
vgs QGS C gs vgs
dvGS Q
qGD
dqGD
qGD VGD
vgd QGD C gd vgd
dvGD Q
qGB
dqGB
qGB VGB
v gb QGB C gb v gb
dvGB Q
09.01.17
DE
Relaii generale ntre cureni i tensiuni
dqGD dqBD
iD iDS
dt
dt
dqGS dqGD
iG
dt
dt
dqBS dqBD
iB
dt
dt
dqGS dqBS
iS iDS
dt
dt
iDS
kn p
1
VGS v gs VT
n p vbs
2
2
V
BS
iDS - curentul principal al tranzistorului

09.01.17
DE
(4.15d)
1 n p VDS vds
Componentele dinamice de semnal mic, frecvene nalte
id g m v gs g mb vbs g ds vds C gd
ig C gs
dv gs
C gd
dv gd
dt
Cbd
dvbd
dt
dv gd
dt
dt
dvbs
dvbd
ib Cbs
Cbd
dt
dt
(4.15e)
is g m v gs g mb vbs g ds vds C gs
09.01.17
DE
dv gs
dt
Cbs
dvbs
dt
Circuitul echivalent de semnal mic, frecvene nalte

D
vgd
Cgd
G
Cbd
ig
ib B
vds
rds
gmvgs
gmbvbs
Cgs
vgs
is
rs
S
Fig. 4.3u
09.01.17
vbd
id
rd
DE
vbs
Cbs
4) Parametrii dinamici
a) Conductanele tranzistorului
iD vGS ,vDS kn p vGS VT 1 n p vDS I D id

2
I D I DSS VGS VT 1 n p VDS

2
id kn p VGS VT

n p
v gs
vbs
2
V
BS
kn p
VGS
id g m v gs g mb vbs g ds vds
g m kn p VGS VT
iD
kn p vGS VT 1 n p vDS
vGS
09.01.17
DE
kn p vGS
VT
VT
vds
gm - conductana de transfer /mutual / panta tranzistorului(principal)

gm
iD
vGS
kn p VGS VT 2k n p I D
Q
variaia curentului la ieire produs

de variaia tensiunii de comand
(aplicat pe poarta principal-G):
g m g m kn p VGS VT 2k n p I D (4.16a)
09.01.17
DE
Fig. 4.3v
gmb - panta raporat la substrat (secundar)
n p
g mb kn p VGS VT
2 VBS
g mb
iD
vBS
n p
g m
2 VBS
Variaia curentului la ieire produs de variaia tensiunii de substrat(B) :
g mb
iD
vBS
g mb g m
09.01.17
iD
VT
dVT
dvBS
iD

v
GS
n p
VT
v BS
Q
gm
Q
(4.16b)
2 VBS
DE
n
2 VBS
gds - conductana de ieire:
kn p
g ds
iD
vDS
VGS VT
kn p
2
vds
VGS VT vds
iD
g ds r
vDS
1
ds
Variaia curentului la ieire produs de variaia tensiunii de ieire
09.01.17
DE
Conductana de ieire
iD
g ds
vDS
n p I D
(4.10a)
Rezistena de ieire
rds
09.01.17
n p I D
DE
(4.10b)
b) Capaciti de barier
Cbs 0
Cbs
mj
1 VBS B 0
Cbd
Cbd 0
mj
1 VBD B 0
Cbs 0 Cbs
VBS 0
Cbd 0 Cbd V
09.01.17
1 1
m j ...
3 2
BD 0
DE
(4.17a)
(4.17b)
c) Capaciti de poart
Cos Cod Cox LDW

Cgs ,i
2
Cox LW
3
Cgs Cgs ,i
Cgd ,i 0
2
Cod Cox LD L W
3
Cgd Cgd ,i Cod Cox LDW
C gb 0
09.01.17
(4.17c)
(4.17d)
(4.17e)
DE
2. Capaciti de poart - demonstratie
Ci
Cgs ,i
Capacitati intrinseci
dQn ,T
dvGS
Qn ,T Sarcina totala a purtatorilor mobili din canal

L
Qn,T W Qn dy
0
Qn Sarcina pe unitatea de arie a purtatorilor mobili

din canal
Qn y Cox vGS vCS y VT
09.01.17
DE

L
Qn,T WCox vGS vCS y VT dy

0
dQn QnWdy QnWdy

dvCS
ID
QnWvd QnW n
dt
dt
dy / vd
dy
dQn
dt
09.01.17
Incrementul sarcinii putatorilor mobili din

canal (asociat distanei dy)n poziia y fat
de surs(vezi Fig.4.3n)
Incrementul timpului timpul necesar puttorilor
mobili s strbat distana dy prin canal
DE
W n Qn dvCS W n Cox vGS vCS y VT dvCS

dy
ID
ID
vGS VT
2
W C n
Qn,T
vGS vCS y VT dvCS
ID
0
Limita integralei: y=L s-a schimbat cu:
vCS L vDS vGS VT
ce corespunde saturatiei incipiente
2
n Cox
2
Qn ,T WLCox vGS VT
ID
vGS VT
3
2
2
Cgs ,i
09.01.17
2
ox
dQn ,T 2
Cox LW
dvGS
3
Cds ,i
DE
dQn,T
0
dvDS
Tensiunea de prag la MOS cu o poart

Analogie hidrodinamic
VGS = 0
VS = 0
VG
09.01.17
VS = VB = 0
VGS
VT0
DE
VD = 0
VGS > VT0
VS = 0
VG
09.01.17
VS = VB = 0
VGS
VD = 0
VT0
DE
VGS > VT0
VS = 0
VG
09.01.17
VS = VB = 0
VGS
VD = 0
VT0
DE
Tensiunea de prag la MOS cu dou pori

VBS = 0
VB = 0
VS = 0
VD = 0
VT0
VG = 0
09.01.17
DE
VBS < 0
VS = 0
VT
VBS
VG = 0
09.01.17
DE
VD = 0
VGS = VT > 0
VS = 0
VD = 0
VGS = VT
VG
09.01.17
VG = 0
DE
VDS > 0
VGS > VT0
VS = 0
VD
VG
VS = VB = 0
VGS
VD = 0
VT0
VDS
09.01.17
DE
VDS = VDS,sat
VS = 0
VD
VG
ID = ID,sat
VS = VB = 0
VGS
VT0
VDS,sat
VDS
09.01.17
DE
VDS > VDS,sat
VS = 0
VD
VG
ID ID,sat
VS = VB = 0
VT0
VDS > VDS, sat

09.01.17
DE
Capitolul IV

4.3
4.4
09.01.17
DE
4.4 Tranzistorul MOS cu canal initial
4.4. Tranzistorul MOS cu canal iniial

Metal
Oxid
S
SiO2
D
SiO2
SiO2
n+
rs
RSS
rd
substrat p
n+
Semiconductor
canal n
Fig. 4.4a
substratul p, canalul n, zonele n+ de S si D de la structura TEC-J

electrodul de poart, oxidul de poarta de la MOS cu canal indus
09.01.17
DE
Canalul n
creat printr-un proces tehnologic
rezultat datorit sarcinilor din oxid
Tensiunea de prag
canal n
VT<0
canal p
VT>0
09.01.17
tranzistorul conduce si la vGS=0
DE
Caracteristici statice la MOS cu canal inial

Caracteristica de tranfer
Fig. 4.4c
Fig. 4.4b
09.01.17
DE
Regimuri de lucru
iG 0 , iB 0
Funcionare n conducie iD 0
vGS VT
vDS 0
MOS canal n
(4.18a)
vGS VT
vDS 0
MOS canal p
(4.18b)
vGS VT sau vDS 0
MOS canal n
(4.18c)
vGS VT sau vDS 0
MOS canal p
(4.18d)
Funcionare n blocare iD 0
09.01.17
DE
Funcionare n conducie
Regim de acumulare/mbogire:
vGS 0 canal n
vGS 0 canal p
funcionare similar cu MOS cu canal indus
Regim de golire/srcire:
VT vGS 0
VT vGS 0
canal n
canal p
funcionare similar cu TEC-J
09.01.17
DE

Cap4 TEC 2016

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Cap4 TEC 2016

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Capitolul IV

TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP (TEC)

4.1 Prezentare general

Tranzistorul MOS cu canal indus

Tranzistorul MOS cu canal iniial

4.1 Prezentare general

Tranzistorul cu efect de cmp (TEC)

4.1 Prezentare general

TEC cu poarta jonctiune

TEC cu poarta Schottky

TEC cu poarta MOS

4.1 Prezentare general

4.1 Prezentare general

Tranzistorul MOS cu canal indus

Tranzistorul MOS cu canal iniial

4.2.1 Structura TEC-J

5.2 TEC cu poart joniune

4.2 TEC cu poart joniune

4.2 TEC cu poart joniune

4.2.2 Conductana canalului. Tensiunea de prag

Modularea grosimii canalului

- Limea zonei de barier n canal

Conductanta modulata de campul electric controlat de

4.2 TEC cu poart joniune

4.2 TEC cu poart joniune

conductana efectiv functie de tensiunea de prag

conductana efectiv maxim

4.2 TEC cu poart joniune

Conductana efectiv functie de tensiunea de poarta

4.2 TEC cu poart joniune

4.2.3 Regimuri de funcionare

vGS VT sau vDS 0

vGS VT sau vDS 0

4.2.4 Relaii ntre cureni i tensiuni

4.2 TEC cu poart joniune

formula (4.1d) - empiric

1/g0,ef controlat prin vGS

4.2 TEC cu poart joniune

2.Zona de tranziie (cvasiliniar)

4.2 TEC cu poart joniune

vDS ,sat vGS VT

vGD vGS vDS VT

4. Zona de saturaie (activ)

4.2 TEC cu poart joniune

4.Saturaie propriu-zis (zona activ)

4.2 TEC cu poart joniune

IDSS curentul maxim prin tranzistor

factorul geometric al TEC

4.2 TEC cu poart joniune

Modularea lungimii canalului (efectul Early)

Lef vDS Lef vDS ,sat

vDS vDS ,sat ...

4.2 TEC cu poart joniune

Modularea lungimii canalului (efectul Early)

vDS vDS , sat

Lef vDS ,sat L

vDS vDS ,sat

4.2 TEC cu poart joniune

Modularea lungimii canalului (efectul Early)

vDS - vDS , sat

IDSS curentul maxim prin tranzistor

Efectul lui VGS

4.2 TEC cu poart joniune