Metode i tehnici de studiu a

suprafeelor
curs opional

-4-

Imagistica si caracterizarea topografic a suprafeei

Cele mai rspndite tehnici de imagistic a suprafeei si msurare a caracteristicilor

morfologice ale acesteia
2

SPM - Scanning probe microscopy

O comparaie ntre diversele forme de SPM

* Rezoluia lateral depinde de performanele manipulatorului XY

3

1. Microscopia de for atomic (AFM)

Laser
Oglinda

Matrice de fotodiode

Cantilever

Eantion
Scanner XYZ piezoelectric

Vrf

Suprafaa eantionului este scanat de vrful ataat cantileverului.

Sistemul este capabil s detecteze i s msoare fore de ordinul nN, folosind detecia
asistat optic.
4

Microscopia de for atomica (AFM)

v

Mod CONTACT
Interaciunea dintre atomii individuali ai varfului cantileverului (tip) i cei ai suprafeei.
Teoria este foarte complexa (forte coulombiene i/sau cele induse de polarizare).
Forele de interactiune tip - suprafa au intensitate considerabil, care pot afecta
starea fizic a suprafeei.
Servete pentru caracterizarea morfologica a suprafeei.

Mod NON-CONTACT
Distanta vrf-suprafa este meninut constant (2-30 nm).

Teorie - simpl, fiind implicate doar fore individuale de interactiune intre UN ATOM din
varful tip-ului (cel mai apropiat de suprafa) si eantion, ca ntreg.

Fore coulombiene, magnetostatice, van der Waals (cu 2 - 4 ordine de marime mai
mici decat in cazul tehnicii CM).

Mod REZONANT (TAPPING)

O combinaie a celor dou moduri precedente.

Se bazeaza pe amortizarea oscilatiilor i pe modificarea frecvenei proprii de
rezonan a lamelei cantileverului, n condiiile apropierii vrfului de suprafa.
Se evita apariia efectelor de forfecare in timpul zgrierii probei.

Microscopia de for atomic (cont.)

n principiu, AFM n mod contact amintete de pickup, sau de stylus profilometer.
AFM incorporeaza, totusi, o serie de rafinamente ce
permit atingerea rezoluiei la scara atomica:
1. Detecia sensibil la faz (lock-in).
2. Cantilevere sensibile (constant elastic mic)
3.Vrfuri mai ascuite.
4. Posibilitatea poziionrii vrfului n condiii de nalt
acurate spaial.
5. Reacie negativ pentru controlul intensitii forei.
Dependena de distana interatomic a
intensitii i a semnului forelor van der
Waals.

Rugozitatea medie a suprafeei:

1 D
| z0 z ( x) | dx
D 0

unde:

z0

1 D
z ( x) dx
D 0
6

AFM n mod contact. Topografia suprafeei

Este tehnica folosit cel mai frecvent.
Permite determinarea topografiei suprafeei, prin deplasarea vrfului activ pe suprafaa de
studiat. Exist, in principal, 3 moduri de operare:

O imagine CM a unui strat de TiO2

depus prin ablaie laser

AFM in Contact Mode. Topografia suprafeei

O imagine a suprafetei unui film de

TiO2 obinut prin pulverizare
magnetron.

AFM in Contact Mode. Topografia suprafeei

O imagine de eroare in cazul scanrii

n contact-mode a suprafeei unui film
de TiO2, depus prin PLD

AFM in Contact Mode. Imagistica de forta

Este folosit pentru a scana

suprafee relativ plate. Operatia
este asigurata intr-un mod mai
precis si mai rapid prin eliminarea
buclei de control automat cu
reacie negativ (feedback). z =
const.

Aplicatii in fizica polimerilor, semiconductorilor, materialelor compozite s.a.

10

AFM in mod contact. Imagistica de for

atomic
Distinge regiuni cu valori diferite
ale coeficientilor de frecare static.
Permite obinerea de imagini cu
contururi foarte nete n cazul oricror
suprafee.
Poate fi folosit in asociaie cu
alte tehnici AFM, pentru o
caracterizare mai complet.
Aplicaii in tehnologia
semiconductorilor, polimerilor,
dispozitivelor de stocare n mas,
detectarea contaminrii superficiale,
n nano-tribologie etc.
11

AFM in Contact Mode. Imagistica de forta

In acest caz se traseaza caracteristicile

forta-distanta, din care se deduc valorile
componentei verticale a fortei cu care varful
actioneaza asupra suprafetei, in mod
contact.

Utilizare: caracterizarea catalizatorilor,

semiconductorilor, polimerilor, straturilor
subtiri, dispozitivelor de stocare a
informatiei, contaminarii suprafetei.

12

AFM n mod contact. Imagistica forei de

adeziune
Se obin informatii asupra proprietilor de aderen a suprafeei eantionului.
Se scaneaza suprafata trasandu-se curbele F(d). Se alcatuiete o harta a valorilor forei
corespunztoare saltului (SNAP BACK).

13

AFM n mod contact. Modul spreading resistance

Aici se foloseste un tip conductor pentru a obtine,
de exemplu, concentratia dopanilor intr-un
semiconductor.
Este asigurata o valoare relativ mare a fortei pentru
a strapunge stratul nativ de SiO2
Cantileverul fiind acoperit cu un strat exterior
conductor, se mapeaza conductivitatea locala a
suprafeei.
Se foloseste in mod curent in asociatie cu o alt
metod convenional de imagistic AFM.

14

AFM n mod rezonant (tapping mode)

O imaginea TM a suprafetei de lucru

a unei matrite pentru
manufacturarea CD-urilor.

15

AFM in modul rezonant. Imaginea de faz

Msurtorile se efectueaza, de obicei, n

asociaie cu alte metode conventionale de de
imagistic topologic pentru a obtine hari
bidimensionale ale proprietilor de suprafa,
cum ar fi hrile compoziiei, aderenei,
coeficientului de frecare, sau viscoelasticitatea.

Informatii pretioase pentru o gama larga de

aplicatii (biologie, magnetism etc.)

16

Kelvin SPM

n acest caz, ntre vrf i eantion se

aplica o diferen de potenial electric.
Se obin informaii despre distribuia
superficial a potenialului electric.
Metoda permite localizarea i
identificare cauzelor apariiei defectelor
din structura unor dispozitive cu structura
multi-material si multi-strat.

17

Microscopia de for magnetic

(MFM)
Folosit n cercetarea fundamental i aplicativ, pentru a obine imaginea de domenii
magnetice n cazul materialelor feromagnetice masive, a straturilor subiri feromagnetice, discurilor
si benzilor magnetice, magnetilor permanenti si materialelor magnetice moi.

18

2. Microscopia folosind efectul tunel (STM)

Permite maparea topografiei suprafeei,

punnd n eviden detalii de dimensiuni
atomice:
v

Determinarea topologiei suprafatei.

Caracterizarea cresterii suprafetei si a

pozitiilor de legatura interatomice.

Rezoluie:
lateral < 1
verticala < 0.1

Not:
Ceea ce se msoara din punct de vedere
fizic este densitatea electronic a
supafeei, nu pozitia atomilor!
Imaginile sunt frecvent interpretate ca
atomi, ns aceasta nu este in mod
necesar adevarat in orice circumstane.

19

Schema unui
dispozitiv STM

Destinat doar
investigarii
suprafeelor
conductoare

Inventatorii STM, Gerd Binnig si Heinrich Rohrer au fost rsplatii cu premiul Nobel in
fizic
n anul 1986.
20

Principiile fizice ale STM

EV

TipSTM

Eantion
1

EV

EF

EF

Bulk

Bulk

Barierde
potenial

EV

Barierde
potenial

TipSTM

Eantion
d

EF

EV

EF

Bulk

Bulk
Barierde Barierde
potenial
potenial

21

Principiile fizice ale STM

tipSTM

Aplicnd o tensiune de polarizare V:

Eantion

EV

EV

d
EF

EF

masiv
Barierde
potenial

masiv
Barierde
potenial

j densitatea de curent;

1, 2 constante;

V tensiunea aplicata;

s distana vrf - eantion

av valoarea medie a lucrul de extracie a perechii tip-suprafa;

22

Moduri de operare a STM

Dou moduri de operare: curent constant si nlime constant

Modul de operare n curent constant este
cel mai frecvent utilizat.

Este aleasa o valoare a I tunel (0.1 - 1 nA).

Pentru a pstra
Itunel = constant,
valoarea lui z trebuie ajustat n mod automat de
un circuit de reacie invers.

23

Modul curent constant

n acest mod se nregistreaz

cureni de tunelare de pn la 30 pA, valoare
suficient de mic pentru a putea investiga. i:
suprafetele cu conductivitate electric
scazut,
preparate biologice.

24

Modul nlime constant

n acest caz se fixeaza o anumita valoare a lui
z, urmnd a se msura Itunel direct
fr feedback.
Apare o variatie periodica a distantei dintre
tip si atomii din regiunea de suprafa.
In pozitia in care tip-ul va fi exact deasupra
unui atom de pe suprafata, curentul de tunelare
va fi maxim.
Cand vrful se va gasi deasupra unei
adncituri, curentul de tunelare va fi mult mai
mic.
Folosit doar pentru suprafetele foarte plate!
25

Modul nlime constant (cont.)

Dificultile STM:
Complexitatea interpretarii rezultatelor
in cazul unor anumite suprafete:
imaginea suprafetei nu este
determinat doar de relief, ci i de:
- densitatea de stri electronice,
- semnul si valoarea tensiunii de
polarizare,
- valoarea curentului etc.

26

Ce informatii putem obtine din imaginile STM?

1. Segregarea atomilor la suprafata

inclusiv segregarea impuritatilor la limitele de graunti

cristalini.

Imaginea reprezinta suprafata (110) a aliajului Fe-3.5 at%

Si. Aproximativ 1/3 din atomii de la suprafata sunt
atomi de Si (de culoare inchisa in imaginea alaturata)
care substituie atomi de Fe!
Atomii de carbon nu este detectabil direct, dar ei
mascheaza atomii de Fe din randurile centrale ale
structurii de tip scara.

Imagini din articolul H. Biedermann, M. Schmid, P. Varga, Surf. Sci. 331-333 (1995) 787-793.
27

Ce informatii putem obtine din imaginile STM?

2. Procese de cretere la suprafa
(i) Pb and Cu sunt metale non-miscibile:
rPb= 1.37 rCu.

Es Pb = 0.50 J/m2, n timp ce Es Cu = 1.96 J/m2.

In conformitate cu teoria clasica a fenomenelor de

cretere, Cu trebuie sa creasca sub forma de insule pe
Pb

(ii) Atomii de Pb sunt foarte mobili!

O insula de Cu formata pe Pb are, la randul ei o
suprafata pe cele doua extremitati laterale ale ei, ceea
ce se reflecta in creterea energiei de suprafa.

Configuraia cea mai favorabil (energie minim) este

aceea in care aceste extremitii sunt acoperite cu atomi
de Pb.

Un compromis intre tendina de

segregare a Cu i mobilitatea mai
ridicat a atomilor de Pb.
28

Alte aplicaii ale STM

Nanolitografia
Calea cea mai direct de prelucrare a unei suprafete.
Suprafata eantionului de sub vrful STM poate fi topit i evaporat.

Un exemplu de litografie STM: o imagine STM a 3 ML de film, pe durata

expunerii la 3 pulsuri electrice.
29

Nano-anodizarea
v

Se aplica o tensiune electric ntre varful unui cantilever conductor si suprafaa metalic
de anodizat; se produc procese electrochimice care conduc la formarea de
nanostructuri oxidice.

Folosind electro-litografierea se pot modifica proprietatile geometrice si compozitionale

locale ale suprafetei eantionului.

.
30

Nano-manipularea

Fe pe Cu (111)

31