Propiedades elctricas, pticas,

magnticas de Silicio y SnO2

Dulcezita Monzerrat Ramos Gonzlez
 Estructura atmica del silicio

No. Atmico = 14
No. de electrones=14
No. protones=14
No. neutrones= 14

Masa atmica =No .de e-+No. de

neutrones= 28,086
Configuracin electrnica= 1s2 2s2 2p6
3s2 3p2
istopos del silicio
Caractersticas del silicio
Valencia= 4
Estado de oxidacin= -4, +2, +4
Energa de ionizacin (kJ.mol-1): 786
Color = gris oscuro azulado
Densidad=2330 kg/m3
Punto de fusin=1687 K
Punto de ebullicin= 3173 K
Electronegatividad=1.9
Radio atmico (pm): 118
Radio inico (pm) (carga del ion): 26
(+4), 271 (-4)
Tipo de enlace

Los tomos de silicio estn

unidos mediante enlaces
covalentes
 Alotropa del silicio
Estructura cristalina cubica tipo Estructura hexagonal
diamante

Siliceno
Estructura atmica del estao

No. Atmico = 50
No. de electrones=50
No. protones=50
No. de neutrones= 50

Masa atmica = No. e- + No. Neutrones

= 118.710
Configuracin electrnica= [Kr]4d10 5s2
5p2
INTRODU Istopos del estao
CCIN
INTRODU Caractersticas del estao
Color = gris plateado brillante
Nmeros de oxidacin: +2, +4
CCIN

Densidad= 7310 kg/m3

Punto de fusin=505,08 K
Punto de ebullicin= 2875 K
Electronegatividad=1.96
Energa de ionizacin (kJ.mol-1): 707
Afinidad electrnica (kJ.mol-1): 116
Radio atmico (pm): 158
Radio inico (pm) (carga del ion): 294(-4),
93(+2), 74(+4)
Tipo de enlace

Los tomos de estao se

unen mediante enlaces
metlicos
INTRODUCCI Alotropa del Estao
El estao gris, que es un polvo no metlico, semiconductor, frgil y de estructura
cbica, y el estao blanco, que es metlico, conductor de la electricidad y de
estructura tetragonal.
N
INTRODU Estructura atmica del oxigeno

No. Atmico = 8
No. de electrones=8
CCIN

No. protones=8
No. de neutrones=8

Masa atmica = 15.9994

Configuracin electrnica= 1s22s22p4
INTRODU Istopos de oxigeno
CCIN
INTRODU Caractersticas del oxgeno

Color = incoloro
Densidad= 1.429kg/m3
CCIN

Punto de fusin= 50.35 K

Punto de ebullicin= 90.18 K
Electronegatividad=3.44

Orden de enlace 2. Paramagntico (el O2

diamagntico est a 92 kJ/mol por encima)
INTRODUCCI Estructura Cristalina
Cbica simple Enlaces covalentes
N
Estructura Cristalina del SnO2

El xido de estao, o SnO2, presenta

una nica fase estable denominada
Casiterita.
Su celda unidad se compone de dos
tomos de estao y cuatro de
oxgeno. Los
cationes Sn4+ ocupan las posiciones
(0,0,0) y (, , ), mientras que los
aniones O2-
estn localizados a (u,u,0) y (
+ u, - u, ), tomando u un valor
de 0.307
Propiedades elctricas del silicio

Ancho de Banda Prohibida a 0

K: 1.21 e.V

Ancho de Banda Prohibida a

300 K: 1.12 e.V
 Propiedades elctricas
Cristalino
Densidad de
Silicio

corriente
J=nqv*n +
pqv*p

Donde :
n= nmero de electrones de conduccin por volumen
unitario .
p= nmero de huecos de conduccin por volumen unitario.
q= valor absoluto de la carga del electrn o de los huecos,
1.60 x 10-19 C.
vn= velocidad de arrastre de los electrones.
ve= velocidad de arrastre de los huecos.
Propiedades elctricas
Propiedades Fsicas del silicio a 300 K
Propiedad Valor
Banda prohibida de energa, 1.12 eV
Movilidad de electrones 0.135 , m2 / (V*s)
Movilidad
Movilidad de
de huecos
huecos 0.048 , m2 / (V*s)
Densidad de portadores 1.5 x 1016 portadores/m3
Densidad de portadores
intrnsecos
intrnsecos
Resistividad intrnseca 23000 p** m
Resistividad intrnseca 23000 p** m
Densidad 2.3 x 106 g/m33
Densidad 2.3 x 106 g/m
Las propiedades elctricas del silicio se pueden mejorar cuando se agregan
dopantes

Silicio dopado con Boro

Silicio dopado con Boro
Propiedades elctricas del SnO2

El SnO2 es un semiconductor tipo n, con un intervalo de energas prohibido

(directo) de 3.6 eV a 300 K.

Movilidad de electrones 15-50 cm2/Vs

El SnO2 debera comportarse como un aislante en su forma

estequiomtrica. Sin embargo, su usual forma no estequiomtrica
marcada por la sealada presencia de vacantes de oxgeno, le
transforman en un buen conductor
 Propiedades elctricas SnO2
policristalino

Cuando el material es policristalino la

existencia de trampas superficiales crea una
regin de deplecin y una barrera de potencial
cerca de la superficie;

c) Influencia de la quimisorcin de oxgeno,

por creacin de dipolos entre las cargas
quimisorbidas y las cargas no compensadas de
la regin de deplecin, que producen niveles
situados en el gap
Propiedades pticas de Si

Desde un punto de vista ptico el SiP puede ser descrito como una mezcla de silicio
(cristalino y amorfo), aire (poros) y una mezcla de xidos. Todos estos componentes
forman dominios nanomtricos mucho menores que la longitud de onda visible.
Por este motivo el SiP puede ser considerado un medio pticamente
homogneo y continuo.
Propiedades pticas de SnO2

Posee una alta transparencia ptica en el rango visible del espectro electromagntico

Tiene una elevada reflectividad a la luz infrarroja, manteniendo a la vez

su transparencia en el visible. Por lo general el borde de absorcin de
plasma de este material se encuentra en la regin del infrarrojo, por lo
que las radiaciones con longitudes de onda superiores sern reflejadas.

El xido de estao se restringe a la zona visible del espectro, entre 300 nm y 800 nm
(4.13 eV - 1.55 eV).

El oxido de estao abarca un amplio rango de energas dentro del espectro

visible diversos autores reportan bandas de emisin verde, azul y
naranja .
 Propiedades pticas de SnO2

La banda naranja (1.94 eV) se asocia con la existencia

de centros profundos, de elevada probabilidad de
recombinacin radiativa pero fcilmente saturables,
relacionados con la presencia de vacantes de oxgeno en la
superficie.
Por su parte, la emisin azul (2.58 eV), se asocia con
transiciones de menor probabilidad de recombinacin,
relacionadas con defectos intrnsecos
estequiomtricos o estructurales, presentes principalmente
en el material masivo.
La emisin verde (2.24 eV) de mayor energa de
activacin, se asocia a las fronteras de
grano y a la presencia de cristales de elevado tamao.
Propiedades magnticas

Material Propiedad magntica

Estao Paramagntico
Estao (Casiterita) Magntico
O2 Paramagntico

SnO2 Diamagntico

Si Diamagntico