Circuite cu reactie pozitiva

Circuite basculante
Circuite basculante bistabile
Circuite basculante monostabile
Circuite basculante astabile
Circuite basculante
Circuite caracterizate prin existena unor stri bine determinate, ntre
care au loc tranziii rapide, numite procese de basculare. Un proces de
basculare const din modificarea rapid a unor cureni sau tensiuni,
procesul rapid implicnd existena unor bucle de reacie pozitiv sau a
unor rezistene negative. Declanarea basculrii se poate face din
exterior, prin intermediul unor semnale de comand, sau din interior,
prin acumularea lent i atingerea unui stadiu critic de ctre anumite
mrimi electrice din circuit.
Circuitele basculante prezint dou stri bine determinate, fie stabile, fie
instabile. O stare stabil este o stare n care circuitul poate rmne o
perioad de timp nelimitat n lipsa unui semnal de comand. Intr-o
stare instabil circuitul rmne un timp limitat, dup care basculeaz n
cealalt stare, fr a interveni vreun semnal de comand de basculare
extern.
Circuitele basculante se pot grupa, dup numrul strilor stabile, n:
- circuite basculante bistabile, pentru care ambele stri sunt stabile
- circuite basculante monostabile, prezentnd o stare stabil i una
instabil
- circuitele basculante astabile, cu ambele stri instabile
Circuite basculante bistabile

Circuitele basculante bistabile se caracterizeaz prin existena a

dou stri stabile, n care pot rmne un timp orict de lung.
Bascularea dintr-o stare n alta declansata cu ajutorul unor
impulsuri de comanda.
Circuit bistabil: un exemplu de circuit secvenial (circuit definit
prin faptul c ieirile sale au valori logice ce depind de o anumit
secven a semnalelor care s-au manifestat anterior n circuit).
Circuitele secveniale prezint deci posibilitatea stocarii informatiei
(memorrii)
Spre deosebire de circuitele secveniale, circuitele
combinaionale, constnd din combinaii de pori logice, au ieiri
care depind doar de intrrile prezente n acel moment.
Circuitele bistabile pot fi clasificate n circuite simetrice i
circuite nesimetrice.
 Circuite Basculante Bistabile Simetrice
Cu Componente Discrete

Schema de principiu se prezint

n figura alaturata

A1 i A2 sunt dou amplificatoare

legate n reacie pozitiv, prin
divizorul format de rezistenele R
i r
Proiectarea cu componente discrete

Etajele amplificatoare formate din

tranzistoarele T1 i T2

Cuplate ntre ele prin elementele de

reacie pozitiv constituite din
divizoarele de tensiune R si r

O parte din tensiunea colector-

emitor a unui tranzistor este
transmisa n baza celuilalt tranzistor
Functionarea circuitului
Daca are loc o cretere mic a
curentului IC1, aceasta duce la
micorarea tensiunii UC1, care este
transmis prin divizorul R-r n baza
tranzistorului T2. Scderea tensiunii UB2
va fi amplificat i inversat de
tranzistor, astfel nct crete tensiunea
UC2, iar aceast cretere va fi transmis
n baza tranzistorului T1 prin divizorul
R-r. Prin urmare IC1 crete i mai mult.
In consecinta apare un proces de
basculare, care se dezvolt n
avalan: curentul IC1 crete i curentul
IC2 scade, pna cnd T1 devine saturat,
iar T2 blocat.
Starea este stabil, deoarece bucla de reacie pozitiv este ntrerupt datorita
starii de blocare a tranzistorului T2
Dou stri stabile:
1. T1 - conductie (saturat), T2 - blocat
2. T1 - blocat, T2 - conductie (saturat)
Pentru ca CBB s funcioneze aa cum s-a
artat mai sus, elementele sale trebuie
dimensionate astfel nct s fie satisfacute
urmtoarele condiii:
1). cnd T1 este blocat, T2 trebuie s fie
saturat
2). cnd T1 este saturat, T2 trebuie s fie
blocat
3). cnd T1 i T2 se gsesc n stare activ,
amplificarea pe bucla de reacie pozitiv
trebuie s fie supraunitar.
Datorit simetriei circuitului, condiiile 1) i
2) sunt echivalente. n afar de acestea se
poate demonstra c dac sunt satisfcute
condiiile 1) i 2) atunci va fi satisfacut i
condiia 3). n concluzie, conditia 1) este o
condiie necesar i suficient pentru ca
circuitul s funcioneze corect.
Condiia 1) impune respectarea urmtoarelor inegaliti:
UB1 0
IB2 IBs
Declanarea Circuitelor Basculante Bistabile
Dou metode fundamentale de declanare a CBB:
a). declanarea pe ci separate pentru fiecare tranzistor n parte (CBB de tip
RS).
b). declanarea pe o cale comun (CBB de tip T).
CBB folosesc una din metodele de declanare de mai sus, sau ambele metode
(CBB de tip RST sau JK).
Impulsurile de declanare pot fi aplicate pe baza sau pe colectorul
tranzistoarelor.
Polaritatea impulsurilor de declanare poate fi att pozitiv ct i negativ.

Semnalul de declanare nu are rolul propriu-zis de a determina el singur

bascularea CBB, el are rolul de a iniia un proces regenerativ prin care
circuitul s comute singur.
Indiferent de tipul tranzistorului (pnp sau npn), declanarea cu impulsuri care
comand blocarea tranzistorului conductor prezinta anumite avantaje:
- sensibilitatea CBB este mare
- energia impulsului necesar pentru a produce bascularea este mai mic
Un CBB realizat cu tranzistoare npn va bascula n condiii optime dac se
aplic un impuls negativ pe baza tranzistorului saturat
Pentru a comanda un CBB att cu impulsuri, ct i cu nivele de tensiune
circuitele de declanare conin de obicei un circuit de difereniere RC.
Prin difereniere, apar att vrfuri pozitive ct i vrfuri negative, deci ar exista
posibilitatea unei rebasculri nedorite.
Pentru a evita aceast situaie, circuitele de difereniere sunt urmate de diode
care mpiedic trecerea vrfurilor cu polaritatea nedorit.

Declanarea pe ci separate pe baz

Circuitul n starea T1-saturat i T2-

blocat.
Dac se aplic un impuls de
declanare la intrarea S de
amplitudine EC, acesta va fi
difereniat de circuitul de difereniere
R2C2. Dioda D2 va mpiedica
trecerea vrfurilor pozitive i va
permite trecerea vrfurilor negative
de tensiune, care vor bloca i mai
mult tranzistorul T2. Bascularea nu
are loc n acest caz.
Dac se aplic impulsul de declanare
la intrarea R, vrfurile negative de
tensiune ce ajung n baza tranzistorului
T1 vor determina blocarea lui, deci
bascularea CBB.
Pentru ca n regim staionar s fie
blocate ambele diode, se recomand
polarizarea lor invers cu o tensiune
EP. Valoarea acestei tensiuni se alege
cu ceva mai mare dect tensiunea
baz-emitor a tranzistorului saturat.

Declanarea pe ci separate pe colector

Circuitul de declanare este identic, semnalul de comanda este aplicat n
colectoarele tranzistoarelor. Potenialul EC este folosit ca i tensiune pozitiv de
polarizare pentru diode.
Declanarea pe baze prezinta unele avantaje, pentru c permite obinerea unor
frecvene de basculare mai mari i asigur o sensibilitate mai bun
Declanarea pe o cale comun pe baze

Fie circuitul in starea:

T1-saturat si T2-blocat
Tensiunile in diferite puncte ale
schemei au urmtoarele valori tipice
(pentru tranzistoarele cu siliciu) :
UC1=+0,1V; UB1=+0,7V; UB2=-0,1V
Dioda D1 este conductoare, iar dioda
D2 este blocat cu o tensiune invers
mare. Impulsul de declanare T este
difereniat de grupurile Rd1, C1 i Rd2,
C2. Impulsurile ascuite pozitive
rezultate prin difereniere vor fi tiate
de diodele D1 si D2.
Dintre cele dou impulsuri negative rezultate prin difereniere, va putea trece
numai cel care se aplic n catodul diodei conductoare D1, cellalt impuls nu va
putea trece prin dioda blocat D2.
Impulsul de comanda va determina comutarea circuitului, deoarece un puls
negativ ascutit este aplicat pe baza tranzistorului conductor.
Declanarea pe o cale comun pe colector

Fie circuitul in starea:

T1-saturat si T2-blocat
Tensiunile in diferite puncte
UC1=+0,1V; UC2+EC,
UAEc
Dioda D1 este blocat cu o
tensiune invers aproximativ
egal cu EC, n timp ce dioda
D2 este blocat cu o tensiune
invers mic, egal cu
cderea de tensiune pe
rezistena RC.

Impulsul de declanare aplicat la intrarea T este difereniat de circuitul de

difereniere RdCd. Vrfurile negative de tensiune, rezultate prin difereniere
(datorit polarizrii diodelor) pot ajunge numai pe colectorul tranzistorului
blocat (saltul negativ de tensiune se transmite, n cazul de fa, prin dioda D2 n
colectorul tranzistorului blocat T2) determinand deschiderea acestuia.
CBB de tip S-R asincron

CBB RS cu pori SAU-NU CBB RS simetric cu pori SAU-NU

Un bistabil simplu poate fi construit, din punct de vedere logic, prin

introducerea unei bucle de reacie ntr-o reea de pori, fie pori
SAU-NU, fie I-NU.
Intrrile bistabilului se numesc S (set) i R (reset).
S R Q+
1 0 1
0 1 0 Tabela de adevr a CBB RS
0 0 Q
1 1 Intrri nepermise
CBB de tip SR sincrone
Circuitele bistabile RS sincrone
au dou intrri de date R i S, i
o intrare de tact, T.
Informaia de la intrrile de date
R i S poate fi transmis spre
bistabilul propriu-zis numai
atunci cand impulsului de tact
are valoarea logica 1.
Bistabilul RS sincron are un semnal de ceas (intrarile R
si S raman asincrone), care controleaza evolutia
circuitului.
Deasemenea are alte doua intrari, Sd- si Rd-, care
actioneaza direct asupra iesirilor Q si Q- suprascriind
intrarile R si S.
CBB RS master-slave

CBB RS master-slave: menit a elimina neajunsurile legrii n cascad a mai

multor CBB de tip RS (posibila nedeterminare a strilor fiecrui CBB)
Primul CBB, numit CBB master este comandat de intrrile de date R i S, iar al
doilea CBB din secven se numete CBB slave i este comandat de ieirile
CBB master.
Scurta descriere:
-pe frontul pozitiv al impulsului de ceas, CBB master este deconectat de CBB
slave, deoarece acestea nu pot comunica; pe acest front, intrarile S si R
actioneaza asupra CBB master, determinand bascularile corespunzatoare
-cand semnalul de ceas trece din 1 in 0, pe frontul cazator, intrarile RS slave
sunt conectate la master; iesirile master-ului comanda starea slave-ului
In acest fel, doar un singur CBB este activ la un anumit moment, iesirile
master-slave-ului fiind complet izolate de intrari.
Folosind acest circuit, nedeterminarea logica pentru o secventa de CBB este
evitata.
Circuite basculante monostabile
Circuitele basculante monostabile, (CBM), prezinta o stare stabil i una
instabil; se folosesc mai ales pentru obinerea unor intervale de timp fixe,
marcate precis prin discontinuiti (variaii rapide) de tensiune.
Condiia cea mai important pentru acest circuit este stabilitatea duratei strii
instabile.

CBM cu cuplaj colector - baz

Reacia pozitiv este asigurat cu ajutorul
circuitelor de cuplaj, dar la CBM cuplajul
rezistiv dintre colectorul tranzistorului T1 i
baza tranzistorului T2 este nlocuit cu un
cuplaj capacitiv.
Caracterul diferit al celor dou stri ale
circuitului se datoreaz acestei nesimetrii
a cuplajelor.

Starea stabil: tranzistorul T1 este blocat, pentru c baza lui este legat prin r 1
la -EB, iar tranzistorul T2 este saturat, pentru c baza lui este legat prin r 2 la EC.
Cderea de potenial pe capacitatea C, UC va fi pentru aceast stare stabil de
EC.
 Starea instabil:
Prin aplicarea unui impuls negativ n baza
tranzistorului T2, se iniiaz un proces de
basculare, care poate fi descris astfel:
- tensiunea UB2 scade
- curentul de colector IC2 scade
-potenialul n colectorul lui T2 ( UC2 )
crete, ca si potenialul UB1
- curentul de colector IC1 crete
- potenialul n colectorul lui T1, UC1, scade,
ca si UB2
n felul acesta circuitul trece n starea opus:
T1 este saturat i T2 este blocat
Datorit scderii rapide a tensiunii UC1 de la EC la aproximativ 0V,
condensatorul C va transmite un salt negativ de tensiune, de amplitudine E C, la
baza tranzistorului T2.
Dupa aceasta R tranzitie: UC1(t1) 0,
U C 2 ( t1 ) EC
R + RC 2
UB2(t1) UC1(0) - EC -EC
n timpul strii instabile, condensatorul C se
descarc de la valoarea iniial UC(0) EC,
spre valoarea final UC = -EC - IC0r2 si
tensiunea UB2 crete exponenial spre
valoarea: -UC. Tensiunea pozitiva deschide
T2 si datorita reaciei pozitive, circuitul
rebasculeaz n starea stabil.
Durata strii instabile, determinata de
analiza condiiei de blocare a tranzistorului
T2 i de saturare a tranzistorului T1.
Durata simplificata pentru starea instabila:
Tsi ln2 = 0,69r2C

Declanarea CBM pe o cale pe colector

Circuit de comanda identic ca si in cazul

circuitelor basculante bistabile, format din
circuitul de diferentiere Rd Cd si dioda D1
 CBM realizate cu pori TTL

Circuitul este realizat cu dou pori TTL de tip I-NU si

un circuit RC

Comandat pe frontul negativ al semnalului de

declanare E
La aplicarea semnalului E, la ieirea primei pori P1 va exista un
salt pozitiv care se transmite prin capacitatea C la intrarea porii
P2, care iniial este polarizat la starea stabil, prin rezistena R,
legat la mas. La venirea saltului pozitiv de tensiune pe intrarea
portii P2 aceasta comut, saltul negativ de tensiune de la ieirea
sa transferndu-se la intrarea porii P1, care rmne n starea 1
logic; n timp, prin tranzistorul de ieire al portii capacitatea C se
va descrca de la VCC spre mas. Cnd la intrarea porii P2 se
atinge potenialul de prag de comutare, poarta va comuta n 1
logic, i coroborat cu ncetarea impulsului negativ de declanare,
va face ca poarta P1 s treac n starea 0 logic, starea stabil a
circuitului.
Durata aproximativ a strii instabile este:

V OH + V IL - V OL
T si RCln
VT
CBM realizate cu pori CMOS

Circuitul este realizat cu dou pori CMOS de tip SAU-NU si un circuit

RC
Comandat pe frontul pozitiv al semnalului de declanare I
Starea stabil a circuitului este cea n care ieirea Q este la 0 datorita
rezistenei R legate la VDD
Cnd la intrarea I se aplic un impuls pozitiv de declanare, poarta P1
va prezenta la ieire un salt negativ de tensiune, care, prin intermediul
capacitii C, va ajunge la intrarea lui P2 producnd comutarea acesteia
n 1 logic. n continuare capacitatea C se va ncrca de la VDD, iar cnd
potenialul pe bornele sale va ajunge la valoarea potenialului de prag
de basculare, poarta P2 va bascula n starea 0, starea stabil a
circuitului. Durata strii instabile se determin cu formula:

V DD
T si RCln
V DD - V T
Circuite basculante astabile (CBA)
CBA cu componente discrete
Existena a dou stri instabile
Comutarea se execut ntr-un timp
foarte scurt i apare ca o variaie brusc
a mrimilor electrice
Bascularea se declaneaz fr
semnale aplicate din exterior
Duratele starilor determinate de CBA cu cuplaj
parametrii circuitului colector - baz

CBA este de fapt un oscilator care produce semnal dreptunghiular

la ieirea sa
Durata impulsurilor i perioada de repetiie sunt determinate de
valorile unor elemente de circuit
Faptul c rezistenele R1 i R2 sunt legate la sursa +EC, asigur ca
niciunul dintre tranzistoarele T1 i T2, n regim staionar, s nu
rmn blocat pentru o perioada de timp nedefinita
Fie starea n care tranzistorul T1 este blocat i
tranzistorul T2 conduce; aceasta implic ca
potenialul pe capacitatea C2 s fie n scdere,
condensatorul descrcndu-se prin circuitul EC,
R2, C2 i tranzistorul conductor T2. Pe msura
scderii curentului de descrcare care trece prin
R2, crete potenialul n baza tranzistorului T1,
iar cnd potenialul UB1 va depi tensiunea de
prag de deschidere a tranzistorului T1, acesta
devine conductor, iar potenialul din colectorul
su va ncepe
Aceasta s la
va duce scad.
scderea potenialului bazei lui T2, ce va determina
ieirea sa din saturare. Bucla de reacie pozitiv va impune un proces n
avalan, ce va duce n final la blocarea tranzistorului T2, i circuitul va
trece astfel n a doua stare instabil. Tranzistorul T1 fiind n conducie,
acum se va descrca capacitatea C1, prin circuitul EC, R1, C1 i T1.
Starea aceasta va dura pn cnd tensiunea din baza lui T2 va depi
valoarea de prag de deschidere i tranzistorul T2 se va deschide,
restabilindu-se bucla de reacie pozitiv, ce va declana bascularea n
n prima stare, pe lng descrcarea capacitii C2, are loc
ncrcarea capacitii C1, prin circuitul EC, RC1, C1 i rezistena de
intrare a tranzistorului conductor T2. Constanta de timp de
ncrcare este 1i RC1C1. Pentru a doua stare, se va ncrca
capacitatea C2 prin lanul EC, RC2, C2 i tranzistorul saturat T1, cu o
constant de timp 2i RC2C2
Duratele celor dou perioade instabile se determin dup
formulele:
Tsi1 0,69R1C1
Tsi2 0,69R2C2

Pentru un CBA simetric, pentru care R1 =

R2 = R, iar C1 = C2 = C, se va genera un
semnal rectangular (o tensiune
rectangular) n colectoarele
tranzistoarelor, avnd o perioad T
1,4RC i cu un factor de umplere 1/2
CBA realizate cu circuite TTL

Funcionare: dac la momentul t<t1 la intrarea porii P1 (punctul A) avem

semnal logic 0, la ieire (punctul B) vom avea 1 logic, iar la ieirea
porii P2 vom avea 0 logic. Asadar, potenialul punctului A tinde s
creasc spre VH, condensatorul C ncrcndu-se prin rezistena R de la
tensiunea din punctul B. La momentul t=t1 cnd VA=VT, (potentialul de
prag al P1), ieirea porii P1 comut din 1 n 0, ceea ce determin
comutarea ieirii porii P2. Saltul de tensiune din D de la VL la VH se
Tensiunea din punctul A scade exponenial spre valoarea tensiunii VL de
la ieirea porii P1, pe msur ce are loc descrcarea capacitii C prin
R spre potentialul scazut al punctului B. La momentul t=t2, VA=VT ceea
ce determin din nou comutarea celor dou pori. Saltul de tensiune din
punctul D se transmite prin capacitatea C n A. n continuare capacitatea
se va ncrca prin rezistena R, iar potentialul din A va crete...
Fenomenul continu att timp ct circuitul este sub tensiune
CBA realizat cu trigger Schmitt

Condensatorul C se ncarc i
se descarc prin rezistena R,
tinznd spre nivelele tensiunii de
ieire, dar la atingerea pragurilor
de basculare VT1 i VT2 circuitul
comut dintr-o stare n alta.
Duratele strilor sunt:
V 0H - V T 2
T 1 = RC ln
V 0H - V T 1
V 0L - V T 1
T 2 = RC ln
V 0L - V T 2

Pentru circuitul integrat 413:

T1 0,86RC
T2 0,83RC
CBA realizate cu cristale de cuar i pori logice
Cuarul este tiat dup anumite direcii cristalografice, este slefuit
i i se depun electrozi metalici pe dou fee paralele. Din punct de
vedere electric cristalul ofer o impedan cu proprieti de circuit
rezonant.
Oscilatoarele cu cuar realizate cu circuite CMOS asigur
avantajul consumului de putere redus i a stabilitii frecvenei pe
o gam larg a tensiunii de alimentare.

Oscilatorul fundamental conine un amplificator i o reea de

reacie. Circuitul prezentat n figura, denumit i reea cu cuar,
este indicat a fi utilizat mpreun cu un amplificator, care asigur
un defazaj de 180
 Probleme propuse
Sa se proiecteze un circuit basculant monostabil cu
porti CMOS avand perioada starii instabile egala cu
0,1ms.
Sa se calculeze perioada starii instabile pentru un
circuit monostabil cu porti TTL avand urmatoarele
componente: R=220 si C=47nF.