Coducia electric n

Materiale semiconductoare
 Este foarte important sa avem o baza a intelgerii
semiconductorilor deoarece din ele deriva intreaga electronica ce
sta la baza existentei oricarei arhitecturi de calcul din prezent, de
la cel mai simplu calculator de buzunar, un aparat de ras, un
telefon mobil pana la procesoarele din interiorul instalatiilor
industriale sau al calculatoarelor de proces.

Un material semiconductor este alcatuit din atomi legati prin

legaturi COVALENTE, deci nu metalice. Ceea ce inseamna ca
electronii de valenta din structura unui material semiconductor nu
formeaza nori de electroni liberi, ci sunt tinuti in loc de legaturile
covalente dintre atomii care ii impart. Elementele cele mai utilizate in
constructia semiconductorilor sunt Ge (germaniul) si Si (Siliciul).
La metale intalnim o structura cristalina,
unde in nodurile retelei cristaline se
gasesc plasati ioni pozitivi, in timp ce
printre noduri se afla electroni care pot
migra dintr-o regiune in alta sub influenta
unui camp electric.
n legaturile metalice, electronii care
pleaca vor fi inlocuiti de alti electroni
care vin, astfel incat, in orice zona a
conductorului, se va gasi in permanenta
acelasi numar de electroni (conductoarele
metalice nu se dezechilibreaza din punct
de vedere al sarcinii electrice
Spre deosebire de metale, in semiconductoare, conductivitatea creste
puternic odata cu temperatura.
La temperaturi foarte coborate, semiconductoarele sunt izolatoare, iar
la temperaturi ridicate sunt conductoare destul de bune.
De ce se intampla acest lucru?
Pentru ca, spre deosebire de metale, crescand temperatura in
semiconductor creste si numarul electronilor liberi.
De exemplu, in Siliciu pur, concentratia electronilor liberi creste de la
1017 electroni / mm cub (la temperatura camerei) pana la 1024 electroni
/ mm cub, la temperatura de 700 C.
Concentratia electronilor liberi in metale este de aproximativ 1028 /
mm cub si nu se modifica prin variatia temperaturii.
La semiconductori, sub influenta unui stimul energetic extern (poate fi
si o tensiune mai mica de 1V aplicata cel putin o secunda) electronii de
valenta din atomii neutri incep sa se desprinda din legatura de valenta si
sa se comporte ca niste electroni de conductie (liberi) din structura unui
conductor metalic, plecand in directia indicata de campul electric aplicat
si lasand in urma lor, in locurile pe care le parasesc, ''goluri'', adica
legaturi co-valente nesatisfacute de numarul necesar de electroni.
Daca tensiunea electrica aplicata la extremitatile materialului
semiconductor persista, electronii din legaturile covalente vecine (cei
care nu au ajuns electroni de conductie ci au ramas electroni de valenta
localizati) pot migra pe directia campului electric inspre goluri pentru a
le umple. Ca urmare, electronii de valenta calatoresc in structura sarind
de la un gol la altul, in atomii de unde acestia pleaca pentru a umple un
gol instalandu-se inevitabil, un alt gol.
In semiconductoare este caracteristic faptul ca la conductie
participa pe langa electronii liberi (deveniti electroni de conductie) si
electronii de valenta ramasi legati de atomii din reteaua cristalina, care
migreaza prin structura materialului pentru a completa legaturile
covalente ramase nesatisfacute.

Deoarece fenomenul migrarii electronilor de valenta pentru a umple

golurile este de asemenea influentat de campul electric extern aplicat
semiconductorului, in sensul dirijarii miscarii electronilor de valenta
in sensul campului aplicat, la scara macroscopica, ceea ce constatam
ca se intampla este ca are loc o deplasare a electronilor de valenta
(localizati) intr-un sens si a golurilor corespunzatoare in sens opus.
S-a recurs la conceptul de "gol" pentru a se face diferenta intre
electronii de conductie si electronii de valenta care formeaza fluxul
electric prin conductor.
De ce?
Pentru ca la aplicarea unui camp electric extern (tensiune electrica la
extremitatile semiconductorului), electronii liberi (deveniti electroni
de conductie) circula sa spunem precum un avion prin structura
materialului din punctul A in punctul B, in timp ce electronii de
valenta care participa la conductie sar de la un atom la altul, drumul
lor fiind comparabil cu acela al unui automobil care parcurge pe o
sosea serpuita distanta din punctul A in punctul B.
Diferenta dintre cele doua tipuri de purtatori de sarcina mobili este ca
electronii liberi (de conductie) se misca mult mai usor (deci implicit
mai repede) prin structura materialului decat o fac electronii de
valenta.
Asadar cei doi curenti electrici nu sunt egali ca intensitate, curentul de
conductie fiind un curent de intensitate mai mare, in timp ce curentul
format din electronii de valenta care sar din atom in atom este un
curent de intensitate mai mica raportatat la curentul de conductie.

Tocmai pentru a marca diferenta dintre aceste doua fenomene s-a

convenit reprezentarea fluxul electronilor de valenta care participa la
conductie prin fluxul golurilor care se deplaseaza prin conductor ca
urmare a deplasarii electronilor de valenta in sens opus
Practic orice curent electric este alcatuit din electroni.
Insa datorita faptului ca in semiconductoare avem doua tipuri de
curenti, pentru a diferentia clar pe unul de celalalt, s-a convenit ca acel
curent electric alcatuit din electroni de conductie sa fie referit ca un
curent electric CLASIC (ca in orice material conductor metalic)
Curentul electric produs prin deplasarea electronilor de valenta din
atom in atom prin structura materialului sa fie referit ca un curent
electric ATIPIC (care nu se intalneste in conductoarele metalice)
Datorita faptului ca aceasta curgere a electronilor de valenta intr-un
sens este echivalenta cu o curgere a golurilor in sens opus, s-a convenit
ca acest curent de valenta sa fie reprezentat ca un curent de goluri.