ATOMIC LAYER DEPOSITION

(ALD)

Ricardo Balam Vera Prez

Miguel ngel Olvera
Miguel Serrano Romero
Jairo Esteban Tovar Arellano
 QU ES?
La deposicion de capas atomicas (ALD, del ingles
atomic layer deposition) es una tecnica de
deposicion de vapor quimica donde las
molculas precursoras son pulsadas en un
reactor y reaccionan para cubrir el substrato.
El precursor es seleccionado de manera que no
reacciona consigo mismo, debido a esto
solamente una monocapa puede reaccionar con
el substrato.
Un gas de purga es introducido a la camara para
remover todo el precursor que quedo sin
reaccionar.
El pulso de un oxidante deposita oxgeno y
remueve los ligantes del precursor y otro paso
de purga es repetido.
QU ES?

El ALD una tcnica util para producir

pelculas uniformes con un control preciso
de su espesor.
MECANISMO DE LA REACCIN
En un proceso ALD prototpico, un sustrato se expone a dos reactivos A y B en una
manera secuencial, no se superponen. En contraste con otras tcnicas tales como
deposicion qumica de vapor (CVD), donde procede crecimiento de las pelcula
delgadas en una manera de estado estable, en ALD cada reactivo reacciona con la
superficie de una manera auto-limitado. Las molculas de reactivo restantes se
eliminan y solo entonces se inserta reactivo B en el reactor. Por las exposiciones de
A y B alternantes, una pelcula delgada se deposita.
En ALD, tiempo suficiente se debe permitir que en cada etapa de reaccion se puede
lograr una densidad de adsorcion completa. Cuando esto ocurre, el proceso ha
alcanzado la saturacion. Este tiempo dependera de dos factores clave: La presion
del precursor, y la probabilidad de que se pegue. Por lo tanto, la tasa de adsorcion
por unidad de area de superficie se puede expresar como:

Rabs = S * F
Donde R es la tasa de adsorcion, S es la probabilidad de adherencia, y F es el
incidente molar de flujo.
Los detalles especficos en los mecanismos de reaccion dependen en gran
medida el proceso de ALD particular. Con cientos de procesos disponibles para
depositar oxidos, metales, nitruros, sulfuros, calcogenuros, fluoruros y
materiales, la desintegracion de los aspectos mecanicos de los procesos ALD es
un campo activo de investigacion.
AL2O3 TRMICA ALD
Entre los diferentes procesos publicados en la literatura, la sntesis de Al 2 O 3 de
trimetilaluminio (TMA) y el agua es uno de los mas conocidos, y el crecimiento
autolimitado de Al 2 O 3 se puede lograr en un amplio rango de temperaturas
vara de temperatura ambiente a mas de 300 C.
Durante la exposicion TMA, TMA quimisorbida disociativamente en la superficie
del sustrato y cualquier TMA restante se bombea fuera de la camara.
ALD DE METAL

ALD de metal a travs de reacciones de eliminacion se produce con mayor frecuencia

cuando los metales funcionalizados con halogenos (por ejemplo, fluoruros metalicos)
se hacen reaccionar con los precursores de silicio. Metales comunes depositados
usando reacciones de eliminacion fluorosilano son de tungsteno y molibdeno debido
a que las respectivas reacciones de eliminacion de estos metales son altamente
exotrmicas.Para el ALD de tungsteno, entidades de Si-H y W-F existen en la
superficie del material antes del proceso de purga final, y una velocidad de
deposicion lineal de W se ha observado por cada ciclo reactivo AB.
Las reacciones primarias en la superficie:

WSiF2H* + WF6--> WWF5* + SiF3H

WF5* + Si2H6 --> WSiF2H* + SiF3H + 2H2

En general la reaccion ALD:

WF6 + Si2H6 --> W + SiF3H + 2H2 H = -181kcal

APLICACIONES
microelectronica: tcnica potencial para
depositar alto k (permitividad )oxidos de
compuerta, alto k dielctricos de capacitores,
recubrimiento de electrodos e interconexiones.
pelculas metalicas
aplicaciones biomdicas: depositar pelculas de
TiO2 para crear sensores de gua de ondas
opticas como herramientas de diagnostico, ALD
es una posible proceso de fabricacion de
transistores de efecto de campo organicos
flexibles (OFETs), ya que es un mtodo de
deposicion a baja temperatura
VENTAJAS Y DESVENTAJAS
pelcula con un espesor atomico especfico.
crecimiento de estructuras con multicapas es sencillo.
trabaja con bajas temperaturas
Sustrato debe ser de alta pureza
tcnica de proceso lento.
Precursores deben ser volatil, pero no sujeto a descomposicion
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CONCLUSIONES
Es una tcnica de con bases en la deposicion de vapor qumico donde las molculas
precursoras son pulsadas en un reactor y reaccionan para cubrir el sustrato.
El ALD es una tcnica facil de reproducir ya que el equipo puede ser reproducible de
manera economica sin embargo lo difcil de esta tcnica son los precursores que
utiliza debido a su extremada pureza y volatilidad.
REFERENCIAS
Puurunen, Riikka L. (2005-06-15).
"Surface chemistry of atomic layer deposition: A case study for the trimethylaluminum/water process".
Journal of Applied Physics
Charles P. Poole, Frank J. Owens. (2007). Introduccion a la Nanotecnologa. Espaa: Revert pp. 70-71.