TEZ DE MASTER

Masterand Cotlearenco Egor

Conductor BODIUL Pavel

Chiinu 2o17
Tema: Cercetarea Efectelor Termoelectrice n Materiale Slabdejenerate
din Bi, Dopate cu Impuriti Acceptoare.
Scopul: Cercetarea proprietilor termoelectrice n fire subiri de Bi dopate cu
impuriti acceptore.
Obiectul cercetrii: Fire subiri de Bi cu diametrul mai mic dect 100 m.

Semimetalele snt substane, care dup proprietile sale electrice ocup poziia ntre
metalele i semiconductoare, se caracterizeaz cu suprapunerea slab a zonei de valen cu cea de
conducie. Dac de exemplu reeaua bismutului ar fi cubic, atunci bismut ar fi metal, ntruct toi
electronii de valen ar fi acoperii zona Briullen doar pe jumtate. n baza acestor putem urmri
proprietile semimetalice a bismutului ca urmare a unei mici deformri, ce transform simpla reea
cubic n reea romboedric cu un numr par de atomi n celula elementar. n cazul reelei
unidimensionale aa deformare, chiar foarte mic, transform metalul n dielectric.

Fig.1. Reprezentarea
schematic a
suprafeelor Fermi n
bismut.
Este cunoscut, c rolul principal la deformarea spectrului energetic al electronilor joac potenialul
periodic al reelei cristaline. Modificarea reelei cristalografice sub influena efectelor de
deformarea acioneaz, n rezultatul final, la structura zonal i situarea nivelului Fermi n
sistem. Dupa cum caracteristicile electronice a metalelor se determin de tipul suprafeei Fermi,
este necesar de cunoscut schimbarea suprafeei Fermi la deformare.
La deformarea, n afar de schimbrile monotone a dimensiunilor diferitor regiuni a
suprafeei Fermi, au loc i schimbri topologice, care se caracterizeaz prin dispariia sau apariia
unei suprafee Fermi (a electronilor sau glurilor). Acestea fenomene au primit denumirea de trecere
topologic a electronilor.

FIG. 2. Dispozitive pentru msurrile

F.E.M.T. i rezistenii la ntindere elastic.
Fig.3. Dependena
magnitorezistenei de cmpul
magnetic a microfirei de Bi 0.01 at
% Sn n condiiile deformrii
unilaterale.
Fig. 4. Dependena dimensional
rezistenei relative R/R0 la
deformarea a micrifibrei din Bi
d=0.45
Fig. 5. Dependenele / pentru
microfibra de Bi-0,01at.%Sn la
deformare unilateral.
Fig. 6. Dependena F.t.e.m. la
deformare firului din Bi cu diametrul
d=450nm la diferite temperaturi.
Concluzii
Cercetarea complex a forei termoelectromotoare, rezistenei fibrelor
submicronice de Bi la ntinderi elastice pn la 2-3% ntindere relativ
n dependen de diametrul fibrei n diapazonul de temperaturi 4,2-
300 K a permis depistarea maximului pozitiv a forei
termoelectromotoare (T), maximul Power factor localizat n regiunea
40-50 K i dependena lui de diametrul fibrei i ntindere.
Din analiza datelor obinute putem afirma urmtoarele cu ct este mai
perfect monocristalul cu att este mai mare conductibilitatea i
respectiv crete Power factor-ul.
S-a observat, de asemenea, c la temperatura camerei n regiunea
ntinderii elastice are loc micorarea rezistenei, creterea forei
termoelectromotoare dup valoare absolut, creterea conductibilitii
i respectiv creterea Power factor-ului. ns creterea Power factor-
ului este limitat de ntinderea elastic.
MULUMESC PENTRU ATENIE!

THANK YOU FOR ATTENTION!