4.

Propiedades Opticas de los Materiales

4.1 Interacciones de la Luz con la Materia

4.2 Propiedades de la Luz
4.3 La Absorcin de Luz
4.4 La Emisin de Luz
4.5 Dispositivos de Almacenamiento ptico
 4.1 Materiales Opticos.
Interacciones de la Luz con la Materia

4.1.1 Motivacin

Estudio de propiedades pticas ha adquirido importancia debido al

crecimiento de la tecnologa de la informacin:

Transmisin de TV: aumentar anchos de banda de datos y reducir costos.

Materiales y dispositivos: lseres, guas de onda, fotodetectores, etc., y su uso en
equipos de CD, impresoras lser, diagnstico mdico, visores nocturnos,
computacin ptica, aplicaciones solares y optoelectrnica.

El estudio de las interacciones luz-slidos no es nuevo:

4000 aos atrs:

El color lo utilizaban los chinos para determinar la composicin de del cobre

fundido (contenido de Sn).

Galileo: ptica
 4.1.2 Cmo percibimos la luz?
Desde que nacemos la luz entra a nuestros ojos

Es percibida por receptores luminosos especficos (slo

cubren rango especfico de longitudes de onda: luz
visible).

Estos receptores estimulan las terminaciones nerviosas

que transforman la seal luminosa (o las imgenes) en
seales elctricas.

La seal elctrica es transmitida a la corteza cerebral.

Por lo tanto, tenemos un sistema de formacin y

transmisin de imgenes optoelectrnico altamente
desarrollado.
 4.1.3 Qu es la luz?
Intuitivamente, la luz la percibimos como una onda
(electromagntica) que viaja desde una fuente a un punto de
observacin.
Color longitud de onda.
Muchos experimentos confirman la naturaleza ondulatoria de la luz:

Hertz, 1887, descubri efecto fotoelctrico (explicado por Einstein,

1905): luz tiene naturaleza corpuscular!

Emisin de e- desde una superficie metlica despus de iluminarla

con luz de energa apropiadamente alta (ej.: luz azul).

Ahora sabemos que la expresin de energa luminosa ms pequea

es el cuanto de luz o fotn:
E h
Adems, =c, donde c=3x108 [m s-1] es la velocidad de la luz.

Usualmente se usa hc=1,24 eV/m, pues

hc 1,24
E h eV
m
 4.2 Materiales Opticos.
Propiedades de la Luz
4.2.1 Introduccin
Las propiedades pticas de un slido estn determinadas por la
forma en que la luz interacta con ste:

cmo transmite la luz,

cmo refleja la luz y/o
cmo absorbe la luz.

La interaccin luz-materia depende de la naturaleza de la luz

(onda-partcula):

Si es onda e.m. se esperan interacciones entre la componente

de campo elctrico de la luz y las partculas cargadas del slido
(iones y e-).

Absorcin y emisin de fotones.

Emisin de un fotn
Absorcin de un fotn
Normalmente el e- se queda en estado excitado temporalmente y
luego se relaja y emite el exceso de energa.

4.2.2 Constantes Opticas

Cuando la luz pasa a travs de un slido pticamente delgado

tambin polariza los e- de valencia y los iones de la red.

Este proceso da lugar a dipolos inducidos, los que modifican la

constante dielctrica y el ndice de refraccin.

Normalmente, cmo la luz pasa a travs de un slido est

determinado por constantes pticas:

Indice de refraccin: n (direccin)

Coeficiente de absorcin: (atenuacin)

Por otro lado, cuando la luz pasa desde un slido pticamente
delgado (ej.: aire o vaco) hacia un medio pticamente denso el
ngulo de refraccin () es menor que el ngulo de incidencia (i): Ley
de Snell

sen i nmedio
n
sen nvaco

Usualmente nvaco1 (esto es arbitrario)

Luego, la refraccin es provocada por las diferentes velocidades de

la luz en distintos medios: sen i c c
n vaco

sen cmedio v
La magnitud de n depende de la longitud de onda de la luz
incidente: esta propiedad se llama dispersin.
 La profundidad de penetracin caracterstica W se define como
aquella en la cual la intensidad de la luz ha disminuido I 1 1
e 37%
Io e
W absorbancia, (m )
-1 -1

La razn entre la intensidad reflejada (IR) y la intensidad incidente (I o)

es la reflectividad:
I R n 1 k 2
2
R ( Ecuacin de Beer )
I o n 1 2 k 2
En los aisladores: k0

Raislador
n 1
2
( Ley de Fresnel )
n 1 2
En los metales: R es alto pues W0
Especular Difusa Expandida

Constantes Opticas de Algunos Materiales (=600 nm)

Material n k R (%)
Metales
Cobre 0,14 3,35 95,6
Plata 0,05 4,09 98,9
Oro 0,21 3,24 92,9
Aluminio 0,97 6,0 90,3
Constantes Opticas de Algunos Materiales (=600 nm)

Material N k R (%)
Cermicas
Vidrio slice (Vycor) 1,46 10-7 3,50
Vidrio de soda 1,51 10-7 4,13
Cuarzo 1,55 10-7 4,65
Almina (Al2O3) 1,76 7,58
10-7
Semiconductores
Silicio 3,94 0,025 35,42
GaAs 3,91 0,228 35,26
Polmeros
Polietileno 1,51 10-7 4,13
Poliestireno 1,60 10-7 5,32
Politetrafluoroetano 1,35 10-7 2,22
 Parmetros Opticos
La razn entre la intensidad
(=589,3 nm) transmitida (IT) y la intensidad
Material W (mm) K incidente (Io) es la
transmisividad:
Agua 320 1,410-7 IT
T
Vidrio 290 1,510-7 Io
Grafito 610-7 0,8
Oro 1,510-6 3,2
Por conservacin de la energa:
I o I R IT I E

donde IE es la energa perdida por calor. Dividiendo por Io: R T E 1

Io IR

IE (Q)

IT
Aplicacin: Lentes
Para disminuir reflexin: se recubre superficie con pelcula de material
dielctrico.
Normalmente se usa: MgF2 (fluoruro de magnesio).
Resultado: color azuloso en lentes de cmaras
Existe ecuacin que relaciona la reflectividad de la luz a bajas
frecuencias (infrarojo) con la conductividad continua:

R 1 4 o ( Ecuacin de Hagen Rubens)

Indica que materiales con (metales) tambin poseen R.
4.3 Materiales Opticos.
La Absorcin de Luz
Cuando la luz incide sobre un material:
Es reemitida (reflexin, transmisin)
o se extingue (se transforma en calor)
En ambos casos hay interaccin luz-materia.
Uno de los mecanismos de interaccin es la absorcin.
4.3.1.1 Modelo clsico (electrones libres)
Qu les pasa en presencia de un campo elctrico oscilante (e.g., luz)?

+ +

Dipolo se comporta como masa en el extremo de un resorte: existe fuerza

restauradora x:
E
F=-kX

X
4.3.1.2 Modelo Cuntico
4.3.1.2.1 Absorcin de fotones por electrones
Entrega mayor comprensin del fenmeno de absorcin.
Nuevamente la pregunta:
qu sucede cuando la luz incide en un slido?
Luz de energa suficientemente alta incide sobre el slido.
e- del slido absorben la energa de los fotones y son enviados a niveles
de energa .

Semiconductor Metal
E = h > Eg
En semiconductores:

Proceso se llama transicin interbandas.

Si Eu = h = Eg : energa umbral para la absorcin de fotones.

Ejemplo 1: Aislador, vidrio silceo (SiO2)

1,24
Eg=6,2 eV m 0,2 m UV
E g eV
No absorbe luz en el rango visible por el proceso de transicin
interbandas: es transparente a esta radiacin
4.4 Materiales Opticos. La Emisin de Luz
4.4.1 El Proceso de Emisin
Proceso opuesto a la absorcin.
Una vez excitado el e-, este regresa a un estado
desocupado de menor energa.
Esto se acompaa de la emisin de un fotn y/o por la disipacin de calor
(fonones):
t de segundos: brillo.
t fracciones de segundo: luminiscencia.
t s - ms: fosforescencia.
t < ns: fluorescencia.
Fotoluminiscencia: fotones inciden sobre material que reemite luz a una
energa menor.
Fotoluminiscencia: fotones inciden sobre material que reemite luz a una energa
menor.
Ejemplo: Si KCl dopado con iones de Tl+ (Eg=9,4 eV) absorbe luz de 5 eV

Ejemplo: Si ZnS dopado con iones de Cu+ absorbe luz de 3,68 eV y exhibe
luminiscencia a 2,4 eV y 2,8 eV
4.4.2 Aplicaciones
Estos efectos tienen aplicaciones comerciales:
Interior de tubos catdicos de TV: ZnS genera luz cuando le
llegan e- (generados por filamento caliente (rayo catdico)).
Lmparas fluorescentes: interior de tubo de vidrio est cubierto
por tungstanatos o silicatos, los que emiten luz al ser
bombardeados con luz UV (generada por descarga de mercurio).
Se distingue entre:
Emisin espontnea de luz: velas, ampolletas incandescentes,
etc.
Propiedades:
Radiacin a amplia regin angular del espacio.
Normalmente es policromtica (ms de una frecuencia)

Incoherente (fase)
Normalmente ocurre cuando los materiales son altamente calentados
(emisin trmica): la t excita los e- de valencia a > energas, desde las
cuales regresan.
4.4.3 Lser
Emisin estimulada de luz

Caso n2>n1: inversin de la poblacin de e-

Un e- estimula la cada de otro e- con la
misma fase (son coherentes).

Estos 2 e- estimulan la cada de 2 e-, etc.

Avalanchaaa!

En resumen, la emisin estimulada de luz sucede cuando la

radiacin incidente fuerza a los e- a entregar ms fotones al haz
incidente.
LASER: light amplification by stimulated emission of radiation
Amplificacin de luz mediante emisin estimulada de radiacin.

Propiedades:
Altamente monocromtico (transiciones entre 2 niveles energticos
angostos).
Consecuencia: puede enfocarse a punto de 1 m (muy colimado)
Montaje:
El material que genera el lser est embebido en un contenedor largo y
angosto: la cavidad.
Las caras opuestas de la cavidad deben ser absolutamente paralelas
entre si.
Una de las caras est plateada (Ag) y sirve de espejo perfecto.
La otra cara slo tiene una pelcula delgada de Ag: transmite algo de luz.
Estos espejos reflejan una y otra vez la luz lser, aumentando el N de
fotones en cada pasada.
Los e- que sobreviven son los que viajan paralelos a paredes de la
cavidad. Los dems, sern absorbidos por las paredes.
Una fraccin escapa por la ventana y constituyen en haz emergente
Bombeo de e- desde el nivel E1 al E2 (E2>E1)
Un mtodo: bombeo ptico.
- Absorcin de luz proveniente de fuente policromtica.
- Lmparas de Xe para lseres pulsados
- Lmparas de tungsteno-yodo para lseres continuos
- Ms mtodos: colisiones e-gas en una descarga elctrica, reacciones
qumicas, reacciones nucleares, inyeccin externa de un haz de e-.
Los materiales:
-Cristales: rub
-Vidrios: vidrio dopado con neodimio
-Gases: He, Ar, Xe
-Vapores metlicos: Cd, Zn, Hg
-Molculas: CO2
- Lquidos: solventes con molculas colorantes
 Tipos de lseres y caractersticas
Tipo de Longit Divergen Peak de
lser ud de cia del potencia (W)
onda haz
(nm) (mrad)
Rub 694,3 10 5 (continuo)
(Al2O3 dopado 5 106-108 (pulsado 1-3
con Cr3+) ms)

Neodimio 1,064 3-8 103 (continuo)

(Vidrio o YAG
dopado con Nd3+) 104 (pulsado 0,1-1 s)
HeNe 632,8 1 10-3-10-2
CO2 10600 10-1,5x104
9600 2 (continuo)
10 5
(pulsado 0,1-1 s)

Semiconduc 870 250 10-30 (pulsado 0,1

tor 850 500 s)
GaAs 0,1-0,4 (continuo)
GaAlAs
Colorantes 350- 3 0,1 (continuo)
(Colrantes orgnicos
en solventes)
1000 10 105 (pulsado 6 ns)
Lseres de semiconductores
La cavidad est constituida
Aplicaciones: por una combinacin de
Impresoras lser y fotocopiadoras semiconductores tipo n y
Medicin de distancias (topografa) tipo p altamente dopados
Telecomunicacin ptica.
Normalmente no se requiere una pelcula
reflectante, ya que el semiconductor ya lo
es (R35%).
Ventajas: pequeos y eficientes.

Eg puede ajustarse con aleaciones ternarias y

cuaternarias: 1,3 m es la frecuencia deseable
en telecomunicaciones: mnimo de absorcin

La juntura p-n funciona con voltaje hacia

delante
e- de banda de valencia son a BC excitados
si E>Eg
se observa una inversin de poblacin de e-
en la zona de la juntura entre p y n.
 4.4.2 LEDs: Light emitting diodes (diodos de emisin de luz)

Fuentes de luz barata, duraderas y pequeas

Juntura p-n con voltaje hacia delante.
No opera en el modo lser: se omiten caras paralelas, etc., durante
proceso de fabricacin. Luz no es coherente ni colimada.

Se desea que emita en rango visible.

Polmero dopado
Ctodo
Sn, In

Anodo
- Cu,Au,
Ag, Pt

+
Aplicaciones del lser en procesamiento de materiales
Aplicaciones Lser Comentarios
Soldadura YAG Lser de potencia alta Usado para:
Perforaciones profundas
Soldaduras de alto rendimiento

Perforacin YAG Densidades de potencia peak altas Usado

para perforaciones de precisin con:
CWCO2 mnima zona de afectacin trmica,
baja conicidad y
mxima profundidad

Corte YAG Corte de precisin de formas 2D y 3D

complejas a grandes velocidades en
CWCO2 plsticos y cermicas.

Tratamiento CWCO2 Endurecimiento de superficies aceradas con

haz de barrido desenfocado y permitiendo
superficial autotemplado.

Trazado YAG Trazado de grandes reas de cermicas

completamente cocidas.
CWCO2
Fotolitografa Excimer Proceso fotolitogrfico en la fabricacin de
circuitos impresos
 CELDAS SOLARES DE PELCULA DELGADA EN
BASE A OXIDOS SEMICONDUCTORES: Ti3O5

EXPERIMENTO :
Para la elaboracin de una pelcula
semiconductora de oxido de titanio
(TixOy) se parte de la evaporacin de
oxido de titanio (TiO2) granular de
grado q.p., obtenindose pelculas [5]
de un espesor promedio de 1 a 4 mm.
Las mejores uniones fotovoltaicas
(Ti3O5 /Al), se elaboraron a partir de
muestras de (Ti3O5) sobre substratos
de aluminio, sobre las cuales se
evapor como contacto una pelcula
semitransparente (0,1 mm) de fierro
(Fe), por donde penetra la luz a la unin
(Figura 1).
EN SENCILLO
CELDAS SOLARES EN LA AVENTURA ESPACIAL
CELDA FOTOELCTRICACON COLORANTE
HOLOGRAFIAS
Magia, realidad, holografa?
Convential Cathode Material: LSM/YSZ
TALLER PROPIEDADES PTICAS

1.- Se desea construir un material cermico luminiscente que emita luz, en la regin del
espectro visible. Se dispone de un material cuyo ancho de banda entre las bandas de
valencia y de conduccin es Eg = 3,54 eV. La longitud de onda de la radiacin luminiscente
est determinada por las impurezas que se agreguen al material, lo cual determina el ancho
de la banda de energa, en esa zona.

A) Determine la longitud de onda requerida para que un fotn excite un electrn del material
cermico. Indique a que zona del espectro corresponde esta longitud de onda.

B) Al adicionar una impureza (electrones en exceso) al material cermico, sta proporciona una
trampa entre las bandas de valencia y de conduccin, de 1,38 eV. Calcule la longitud de
onda para la radiacin de luminiscencia e indique a que zona del espectro corresponde.

2.- Suponga que un haz de fotones en el vaco choca con una hoja de cermica, cuya constante
dielctrica = 2,3, en un ngulo de 100, con la normal de la superficie del cermico:

A) Calcular el ndice de refraccin del cermico y encuentre el ngulo entre la normal a la hoja y
el haz cuando atraviesa el cermico.

B) Qu fraccin % de los fotones que choca con el cermico se refleja?

DATOS: