UNITATE DE NVMNT:

L. T. Grigore Antipa

Semiconductori extrinseci
(cu impuriti)

Autor : Profesor Coordonator:

Apetroaie Adrian- Jersinio Prof. Dr. Corneliu Furtun
 Cuprins
Impuritile
Semiconductorii extrinseci
Tipuri de semiconductori extrinseci
Caracteristicele semiconductorilor extrinseci
Observaii
Impuritile semiconductoarelor
extrinseci
Prin impuriti nelegen, n primul rnd ,
atomii unui alt element chimic care ocup
locuri n nodurile reelei materialului de baz.
Impuritile determin abateri ale reelei de la
periodicitate , a periodicitii potenialului
electric din cristal, ceea ce afecteaz structura
nivelelor energetice ale electronilor din
cristalul semiconductor.
De asemenea , impuritile modific
concentraia purttorilor de sarcin.
Impuritile din grupa a cincea a tabelului
periodic , care furnizeaz electronii slab
legai , se numesc impuriti donoare.
De aceea , nivelele energetice din interiorul
benzii interzise , ocupate de electronii slab
legai ai atomilor donori, se numesc nivele
donoare
Deci, att imp ct electronii slab legati rmn
pe nivelele energetice donoare, ei nu participa
la conducia electric , deoarece , dei sunt
slab legai , sunt totui legai de atomii proprii.
Deci, n semiconductorii impurificai cu atomi
donori, conducia electrica este asigurat
majoritar de purttori de sarcin negativi (n) ,
adica de electroni.
Semiconductorii extrinseci
Majoritatea dispozitivelor semiconductoare
sunt construite din materiale semiconductoare
impurificate.
De fapt, n practic este foarte greu s se
obin materiale semiconductoare pure.
Impuritile naturale sau introduse artificial n
reeaua cristalina a semiconductorului
influeneaz drastic proprietile sale
electrice.
Tipuri de semiconductori cu
impuriti
Exist doua tipuri de semiconductori cu
impuriti:
Semicondtori de tip n ( negativ )
Semiconductori de tip p ( pozitiv )
Deosebirea ntre ei este determinat de
semnul purttorilor de sarcin. Semnul
purttorilor este determinat de tipul atomilor
cu impuritate cu care a fost dopat materialul
de baz.
Caracteristicile semiconductorilor
extrinseci
Doua caracteristici ale dependenei de
temperatur a conductivitii electrice a
semiconductorilor (fig 4.11).
Spre deosebire de cazul metalelor, rezistivitatea
electric a semiconductorilor scade cu creterea
temperaturii. Acest lucru se datorete faptului
c odat cu creterea temperaturii, crete si
numrul purttorilor de sarcin.
Dependena de temperatur a rezistivitii
electrice a semiconductorilor este foarte
puternic , scade exponenial cu creterea
temperaturii.
Figura 4.11
Observaii
Dac la temperaturi relativ sczute,
conductivitatea electrica a semiconductorilor
extrinseci este asigurat numai de ctre
purttorii de sarcin de un singur tip, furnizai
de atomii de impuritate, pe masur ce
temperatura crete i pot fi activai electronii
de valen spre banda de conducie , ncepe
sa joace rol tot mai important conductia
intrinsec.
n semiconductorii extrinseci impurificai cu
atomi acceptori, conducia electric este
asigurat majoritar de purttori de sarcina
pozitivi (p) , adic de goluri.
Att imp ct electronii slab legati rmn pe
nivelele energetice donoare, ei nu participa la
conducia electric , deoarece , dei sunt slab
legai , sunt totui legai de atomii proprii.
n semiconductorii impurificai cu atomi
donori, conducia electrica este asigurat
majoritar de purttori de sarcin negativi (n) ,
adica de electroni.

Termistorul , ca element termosensibil de

circuit, are proprietile determinate de
variaia pronunat cu temperatura a
rezistivitii materialelor semiconductoare
Bibliografie

Manual Fizic F1/F2 , clasa a

XII-a , editura Art Rodica
Ionescu Andrei, Cristina Onea,
Ion Toma
 Sfrsit...
V mulumesc pentru atenie!