Espintronica

Integrantes:
DUrso Gustavo
Flores Martin
Vallavela Janet
Lonzalles Matas
Kasiauk Juan Pablo
Ocampo Carlos
Gustavo DUrso
Spin del electrn
El espn del electrn es parte fundamental de las propiedades magnticas de la
materia. Es un fenmeno complejo y difcil de comprender como una propiedad
fsica de la materia, explicable solamente en el contexto de la mecnica cuntica
como uno de los requisitos para poder caracterizar la energa del electrn en
presencia de un campo magntico externo. Buscando describir cul es el sentido
fsico de esta propiedad, se le ha asemejado a la rotacin o al comportamiento
direccional de una brjula (aguja magntica); puede girar en la direccin de las
manecillas del reloj en sentido contrario y tiene asociado un vector, llamado
vector de espn, el cual puede apuntar ya sea arriba abajo en relacin a un
campo magntico, asocindose a cada sentido un 1 un 0. Por este motivo, el
espn presenta elegantemente a una clase nueva de lgica binaria de unos y
ceros. As como el flujo de carga es utilizado para transmitir informacin de un
medio a otro en dispositivos convencionales, el flujo de espn puede cumplir la
misma funcin, de esta manera, se dispone de dos propiedades a travs de las
cuales es posible transportar informacin entre dispositivos. La implementacin
del espn da lugar a lo que se conoce como "bits cunticos" los cuales explotan los
estados del espn como superposiciones de 0 y 1 que pueden representar
simultneamente cada nmero entre 0 y 255. Esto puede dar lugar a una nueva
generacin de ordenadores, la computacin cuntica
Una ventaja del espn sobre la carga es que el espn puede ser
fcilmente manipulado por campos magnticos externamente
aplicados, una propiedad ya en uso en la tecnologa magntica
de almacenamiento. Otra propiedad ms sutil (pero
potencialmente significativa) del espn, es su larga coherencia y
su tiempo de relajacin, ya que una vez alineado ste tiende a
permanecer de esa manera por largo tiempo, a diferencia de
los estados de carga, las cuales se destruyen
fcilmente esparcindose colisionando con defectos,
impurezas u otras cargas. Estas caractersticas abren la
posibilidad de desarrollar dispositivos que podran ser mucho
ms pequeos, que consuman menos electricidad y que se
puedan utilizar para computadoras ms poderosas que no
podran ser posibles si se basaran solamente en la carga del
electrn. Gracias a la investigacin se espera tener un
conocimiento ms amplio sobre el comportamiento del espn
del electrn en materiales y por tanto acerca de la fsica del
estado slido, que conducir a una nueva poca de dispositivos
electrnicos basados en el flujo de espn adems del flujo de
carga.
Espn del electrn y momento magntico
intrnseco

El momento magntico est

relacionado con el hecho de
que las partculas elementales
tienen momento angular
intrnseco. Antes se pensaba
que las propiedades
magnticas de la materia se
apoyaban slo en el momento
magntico orbital debido al giro
del electrn sobre su rbita,
pero ciertos experimentos
revelaron la existencia de
Las investigaciones de Otto Stern y Walter Gerlach ofrecieron
pruebas concluyentes del espn del electrn. El experimento
consiste en un horno caliente donde se genera un rayo de
tomos gaseosos y se hace pasar a travs de un campo
magntico homogneo no uniforme. La interaccin entre el
electrn y el campo magntico desva al tomo de su
trayectoria rectilnea. Como el movimiento del espn es
totalmente aleatorio, los electrones presentes de la mitad de
los tomos van a girar en una direccin y esos tomos se
desvan en un sentido; los electrones de la otra mitad de los
tomos girarn en sentido opuesto y estos tomos se desviaran
en la otra direccin. Como consecuencia, en la pantalla de
deteccin se observarn dos manchas de la misma intensidad.
En el experimento se utilizaron tomos de plata, los cuales
presentan un slo electrn sin aparear, por esta razn se puede
suponer que en el estudio se utilizaron tomos de hidrogeno 9
En la figura se pueden apreciar los electrones como si fueran bolas que
giran sobre su propio eje y la relacin entre el momento angular y el
momento magntico. La forma de representar el espn es por medio de
un vector de espn que apunta hacia arriba para un electrn que gira
de oeste a este y un vector que apunta hacia abajo para un electrn que
gira de este a oeste. En un campo magntico externo, los espines de los
electrones tienen diferentes energas de acuerdo a su giro.
 Corriente spintrnica

Cuando hablamos de corrientes polarizadas en espintronica

nos referimos a corrientes elctricas que tienen una gran
parte de sus electrones con un estado de espn definido.
Para generar una corriente polarizada solo necesitamos
hacer pasar una corriente elctrica por un conductor
ferromagnetico con una imantacin definida.
Debido a la imantacin del material los electrones con spin
antiparalelo son dispersados, mientras que los que tienen
un spin paralelo pueden pasar sin inconveniente. Esto se
refleja en un aumento de la resistencia para los electrones
con spines en estado antiparalelo. Volviendo al
modelo de Mott, se puede entender mejor este efecto,
como se puede apreciar en la figura.
Figura 1: a) Figura superior: Esquema de
bandas de un metal ferromagntico.
b) Figura inferior: La conductividad puede
ser interpretada en dos canales
independientes para cada espn
Martin Flores
Vallavela Janet

Espintrnica definicin :
La palabra Espintrnica es un neologismo derivado de los
conceptos de espn y electrnica y se conoce tambin con el
nombre de magnetoelectrnica. El concepto bsico de la
Espintrnica es la manipulacin de corrientes de espn,
contrario a la electrnica convencional en la que se omite el
espn del electrn.
El espn se representa con un vector y lleva asociado un
diminuto campo magntico. Para un electrn (esfera) que gire
de oeste a este, el vector apunta hacia el norte (arriba) y si gira
de este a oeste el vector se dirige al sur (abajo).
Los materiales que se utilizan generalmente para crear dispositivos
basados en la tecnologa de la Espintrnica ,son ferromagnticos ,
donde se opera con electrones polarizados a travs del magnetismo,
o sea que todos ellos poseen el mismo valor de espn y con sistemas
capaces de ser sensibles a dicha polarizacin.

Tambin debemos mencionar que se estn haciendo estudios

para crear materiales semiconductores espintrnicos.
Para que sirve?
Esta nueva tecnologia sirve para trasferir informacion
magnetica a un semiconductor.
Una de las principales ventajas que tiene es que necesitan de
mucha menos energa para funcionar.
La Espintrnica nos permite solucionar muchos de los
problemas que presenta la informtica actual.

Aplicaciones
En un futuro prximo se comercializarn las memorias
magnticas no voltiles basadas en uniones tnel magnticas
de aplicacin en las memorias RAM de ordenadores y en
memorias para cmaras digitales, telfonos mviles.
Desarrollar semiconductores capaces de manipular el
magnetismo de los electrones. Y los semiconductores se
utilizan para fabricar microchips, que estn en el corazn de
todos los ordenadores y de muchos otros dispositivos
electrnicos.
Desde hace aos los cientficos de IBM comprobaron que
pequeas alteraciones en las resistencias magnticas
aumentaban de manera exponencial la capacidad de los discos
duros, permitiendo as, entre otras cosas, reducir el tamao de
los aparatos electrnicos.
 Discos duros ya utilizan
un dispositivo de lectura
de spin-sensibles.

La Espintrnica no solo servir para desarrollar

dispositivos de almacenamiento de datos: podra
usarse para reemplazar toda la parte lgica de un
ordenador, desde el microprocesador al disco duro
yla memoria RAM.

La importancia de los avances en Espintrnica radica

en que esta tecnologa resultar clave para crear los
llamados "bits cunticos" o qubits, con los que se
espera aprovechar los estados del espn como
superposiciones de 0 y 1,
dando lugar a una nueva generacin de ordenadores
conocidos como ordenadores cunticos.

Nuevos materiales para fabricar dispositivos

espintrnicos es el grafeno, han propuesto fabricar
materiales consistentes en capas de grafeno
Conclusin
La Espintrnica ser la informtica del futuro, marcar un antes y
un despus en la ciencia. El tiempo lo dir.

Lo que queda claro, es si la Espintrnica puede superar el

problema de la calefaccin que la electrnica convencional se
enfrenta a sus propios dispositivos cada vez ms pequeos.

Los dispositivos espintrnicos deben ser ms rpidos y requerir

menos energa que los dispositivos electrnicos tradicionales.

El grafeno es bastante sorprendente. Debido a las especiales

caractersticas del material, en l los electrones se comportan de
manera tal que su masa "desaparece" a efectos prcticos; en otras
palabras, se mueven sin inercia, como los rayos de luz o las
partculas aceleradas a velocidades relativistas cercanas a la de la
luz.

Los "bits cunticos" de la espintrnica qubits explotan a los

estados del espn como superposiciones de 0 y 1 que pueden
representar simultneamente cada nmero entre 0 y 255
La esperanza es que con la Espintrnica, si no se logran reducir los
costos de algunos servicios, por lo menos se obtenga ms calidad al
mismo precio, esta revolucin promete cambiar todo nuestro sistema
de vida y, por supuesto, hacerlo ms rpidamente que la anterior.

La manipulacin de los espines es, en teora, relativamente sencilla,

pero su inyeccin y deteccin en condiciones prcticas constituye un
enorme reto en los prximos aos.

El resultado de la Espintrnica nos podra llevar a los equipos que

requieren mucha menos energa que los convencionales logrando as
una conservacin de nuestro planeta ya que ha eso debemos apuntar
cualquier proyecto para dejar un mundo donde se pueda habitar para
las nuevas generaciones.
 Lonzalles Matias

SPIN-LED

Para conseguir la orientacin del espn adecuada se puede

usar la tcnica elctrica de inyeccin-deteccin que se basa en que
el transporte en metales ferromagnticos est polarizado en espn.
Por tanto, la idea es utilizar contactos de metales ferromagnticos
precisamente para inyectar, o detectar, un tipo concreto de
orientacin en el espn en un material semiconductor.
Una de las estrategias de fabricacin seguidas se basa en
insertar una barrera tnel entre los contactos para introducir una
resistencia dependiente del espn. De este modo se pueden fabricar
dispositivos electrnicos basados en materiales semiconductores,
como el LED (light-emitting diode), pero con una mayor
funcionalidad al controlar adems el espn de los portadores de
carga.
 Spin-LED

La figura muestra el esquema tpico de un diodo emisor

de luz (LED) de espn. Este tipo de dispositivos se basan en la
recombinacin radiactiva de los portadores de carga, en este caso
de espn polarizado, dando como resultado la emisin de luz
circularmente polarizada. En este caso los electrones, polarizados
en espn, se estn inyectando desde un contacto ferromagntico y
se recombinan con los huecos, que no estn polarizados en espn,
del sustrato que est dopado tipo p. La polarizacin de la luz
emitida, por tanto, es circular y da informacin acerca del espn de
los electrones inyectados, lo que aporta mayor funcionalidad al
dispositivo frente a un LED convencional.
 Tipos de transistores a
spin

Figura 2: (a) emisor de perfil, (b) emisor superior, (c) geometra de Hanle oblicua.
 En la actualidad, diversos grupos de investigacin estn
ampliando el uso de la Espintrnica a los LED orgnicos (OLED) o
LEDs de plstico que son mucho ms baratos que los inorgnicos
que se usan hoy en da para semforos, fuentes de iluminacin de
edificios, indicadores de encendido de ordenadores, televisores,
telfonos mviles, reproductores de DVD y otros dispositivos
electrnicos. Tambin se est aplicando este tipo de tecnologa a
los transistores, piezas bsicas de la informtica. Los ordenadores,
por ejemplo, funcionan porque la corriente elctrica de los
electrones se reduce por los transistores a un cdigo binario de
unos y ceros.
El objetivo es acercarse a un transistor de espn orgnico
basado en un interruptor semiconductor orgnico para su
implementacin en ordenadores ultra-veloces y otros dispositivos
electrnicos
 DIODOS ORGANICOS
-OLED-
El material encargado de emitir la luz es una materia orgnica.

Los OLED tienen varias ventajas:

Son de bajo costo de fabricacin en comparacin con los leds,

gastan poca energa, emiten mucha luz y con ellos es posible
producir dispositivos tanto micromtricos, adecuados para fabricar
pantallas de alta definicin, como de gran rea, para producir
grandes paneles de iluminacin.

Su desventaja_
Es el corto tiempo de vida (alrededor de 1000hs en los
sofisticados), debido a la degradacin de las molculas orgnicas
al contacto con el oxigeno.
 POR MEDIO DE NANOPARTICULAS DE DIOXIDO DE
SILICIO, QUE FORMAN UN SITEMA OPTICO LLAMADO
CRISTAL COLOIDAL, SE PRODUCEN DIODOS EMISORES
DE LUZ ORGANICOS DE ALTA EFICIENCIA.
Ubicado en algo as como un nanosanduche, el componente
orgnico
del OLED forma parte de un dispositivo de varias capas
superdelgadas.
La base es un vidrio donde se pone un metal que equivaldra
a la primera tajada de pan;
como la idea es que la luz la atraviese, debe ser transparente
y por eso se usa xido de
indio dopado con estao, mejor conocido como ITO. La
siguiente nanocapa corresponde
a una molcula orgnica, tambin transparente, encima de la
cual se riega un polmero
luminiscente orgnico MDMO-PPV, que contiene las
nanoesferas o cristal coloidal.
Finalmente, se cubre el dispositivo con una capa metlica que
lo corona: el pan que
completa el nanosanduche. En el caso de la patente de
invencin javeriana, la novedad ha
sido la mejora en la eficiencia de la luz que emite al utilizar
cristales coloidales, los cuales
funcionan como una lente que concentra la luz y la enfoca
para un mismo lado, en lugar de
que salga dispersa hacia todas partes.
Juan Pablo
Kasiauk
Vlvula de espn y FET
La
Espintrnico
vlvula de espn es un componente que est constituido
por 3 capas, 2 de materiales ferromagnticos y uno no
magntico de 3nm de espesor. Su funcin principal es
controlar el espn de los electrones que circulan por el
dispositivo como se muestra en la figura 3.1

Figura 3.1 Capas de una vlvula

de espn y su interaccin con una
corriente espn polarizada
Para ejemplificar el funcionamiento de la vlvula de espn, veremos
el transistor de efecto de campo espintrnico que cuenta con una
fuente una compuerta y un colector tal como un FET 1 (Field Effect
Transistor) normal, solo que en este caso tanto la fuente como el
colector son materiales ferromagnticos, el medio a travs del cual
fluyen los portadores de carga (canal) es un semiconductor. La
fuente enva electrones de espn polarizados por el canal hacia el
colector sin que se altere el estado de espn. Si se aplica un voltaje
a la compuerta los espines de los electrones se ven afectados, estos
rotan y el colector los rechaza4
Figura 2.5 y 2.6 Diseo de un
FET espintrnico. Dispositivo
semiconductor que controla un
flujo de corriente por un canal
semiconductor, aplicando un
campo elctrico perpendicular a
la trayectoria de la corriente.
Como se aprecia en la figura 2.6, el espn del electrn gira al
interactuar con el voltaje de la compuerta del FET, lo cual consume
menos energa y se hace ms rpido que sacar un electrn de un
canal. Una gran ventaja frente a los FETs convencionales es que en
los FET espintrnicos pueden cambiar la orientacin de la fuente o
del colector con solo cambiar el campo magntico externo, es decir,
se tendran compuertas lgicas cuya funcin se puede cambiar en
el vuelo.

El problema de los FETs espintrnicos es que la inyeccin de una

corriente polarizada de espines de un material ferromagntico a un
semiconductor no es sencillo, por ello se cree que se lograra una
inyeccin adecuada mediante el uso de semiconductores
magnticos, los cuales incorporan el magnetismo impurificando los
cristales semiconductores con tomos como los del manganeso
Ocampo Carlos
La espintronica y la
informtica
 Memorias NO Voltiles MRAM
(magneto resistive random access memory)

* Se almacena la informacin de forma magntica, ofrecen

mayor velocidad de trabajo y consumen muy poca energa
(3volts 25mW)
* El procedimiento de grabado, lectura y borrado de las
celdas magnticas se hace de forma similar a los discos
duros. Funcionan bajo el principio de tunelamiento cuntico
y el de la Magnetoresistencia gigante

* Se ha sugerido que la MRAM sustituya la RAM convencional

que es tpicamente voltil. Esto permitir que el estado
completo de software de una computadora se conserve
despus que el computador sea apagado. En consecuencia,
la utilizacin de la MRAM eliminara el tiempo de arranque.