Diego Alexander Tibaduiza

DISPOSITIVOS DE MEMORIA Burgos, PhD.

 TERMINOLOGA
Celda de Memoria: Almacena un solo bit
Palabra de Memoria: Grupo de bits en una memoria que representa
instrucciones o datos.
Byte: 8 bits
Capacidad: Forma de especificar cuantos bits se pueden almacenar en un dispositivo o un arreglo
de memoria.
Ej:
Una memoria que puede almacenar 4.096 palabras
de 20 bits.
Capacidad= 4,096*20=81.920 bits
4096x20
PARA RECORDAR
Tamao Nmero Abreviatura
palabra
8 bits 2^8 = 256 1 byte
10 bits 2^10 = 1024 1 KiloByte
20 bits 2^20 = 1 048 576 1 MegaByte
1024KB
30 bits 2^30 = 1 073 741 820 1 Gb (GigaByte)
1024MB

Cunto es un TeraByte? Y un PetaByte?

EJERCICIO 1
Un determinado chip de memoria semiconductora se especifica como 2K x 8.
Cuntas palabras se pueden almacenar en ese chip?
Cul es el tamao de la palabra?
Cuntos bits totales puede almacenar este chip?

2K=2x1024=2048 palabras
Cada palabra tiene 8 bits (1 byte)
Nmero total de bits=2048x8=16384 bits
EJERCICIO 2
Qu memoria almacena la mayor cantidad de bits: Una memoria de 5Mx8 o una
que almacena 1M palabras con un tamao de palabra de 16 bits?

5Mx8=5x1048576x8=41,943,040 bits
1Mx16=1048576x16=16,777,216 bits
La memoria de 5Mx8 almacena mayor cantidad de bits.
MAS TERMINOLOGA
Densidad: Sirve para comparar capacidad. A mayor densidad mayor
almacenamiento de bits.
DIRECCIONES
Direccin y operacin de lectura:
000 Palabra 0
001 Palabra 1
010 Palabra 2
011 Palabra 3
100 Palabra 4
101 Palabra 5
110 Palabra 6
111 Palabra 7
 MAS TERMINOLOGA
Tiempo de acceso: Medida de velocidad de operacin de una memoria. Tiempo en
hacer una lectura.
Memoria voltil: Cualquier memoria que requiere alimentacin para mantener
almacenados los datos.
Memoria RAM: Memoria en la cual la ubicacin fsica real de una palabra de
memoria no tiene efecto en el tiempo que toma para leer o escribir
en esa ubicacin en particular.
Memoria de acceso secuencial (SAM): Tipo de memoria con tiempo de acceso
variable dependiendo de la ubicacin de direccin.

https://sites.google.com/site/lawikiitecno/hardware/memoria/memoria-terciario
MAS TERMINOLOGA
Memoria de lectura-escritura: Memorias en las que se puede leer o escribir con la
misma facilidad.
Memoria de solo lectura (ROM): Memorias en las que la relacin de operaciones de
lectura a las de escritura es muy alta. Son no
voltiles.
Dispositivos de memoria esttica: Dispositivos de memoria en los que los datos no
necesitan ser reescritos peridicamente. Son memorias voltiles.
Dispositivos de memoria dinmica: Los datos no son almecenados permanentemente
aun cuando se aplique energa elctrica. Debe hacer regeneracin
(reescribir).
 MEMORIA PRINCIPAL Y SECUNDARIA

Memoria Memoria
auxiliar: Principal:
almacenamiento Memoria de
masivo (Fuera Trabajo
de la memoria (Almacena
principal) datos e
instrucciones con
los que trabaja
la CPU)
https://elpuig.xeill.net/Members/vcarceler/c1/didactica/apuntes/ud2/na3
OPERACIN GENERAL DE LA MEMORIA
EJERCICIO 3
Describa las condiciones de cada entrada y salida cuando se lee el contenido de la
ubicacin 00100

NO USADAS

0
0 ALTO
1
0 HABILITAR MEMORIA: ALTO
0

0001
CONEXIONES ENTRE LA CPU Y LA MEMORIA
PREGUNTA?
Cules seran las seales de control que se transmiten por el bus de control?
Cules buses son unidireccionales y cuales bidireccionales?
MEMORIAS ROM

https://www.informatica-hoy.com.ar/memoria-ram/memoria-rom.php
SMBOLO DE UNA
MEMORIA ROM [1]
ARQUITECTURA
DE LA ROM [1]
SINCRONIZACIN DE LA ROM [1]
TIPOS DE ROM [1],[2]
ROM PROGRAMADA CON MSCARA
ROMS PROGRAMABLES (PROMs)
ROM PROGRAMABLE Y BORRABLE (EPROM)
ROM PROGRAMABLE Y BORRABLE ELECTRNICAMENTE (EEPROM)

https://www.profesionalreview.com/2017/01/18/memoria-ram-rom-diferencias/
ROM
PROGRAMADA
CON MSCARA
[1]

MROM MOS
LA NROM MOS [1]
SE PUEDE USAR PARA ALMACENAR TABLAS DE FUNCIONES MATEMTICAS.
EJEMPLO: y=x2+3
ROMS PROGRAMABLES (PROMS) [1]
EPROM (PROGRAMABLE Y BORRABLE) [1], [2]

https://es.wikipedia.org/wiki/Memoria_EPROM

http://www.batronix.com/shop/devices/uv-eraser-ler121a.html
EEPROM [1]
 Estructura de celda similar a la de una memoria EPROM
con un solo transistor
MEMORIA FLASH Tiene una capa de xido en la compuerta ms delgada
que permite borrado elctrico

EEPROM
Se puede borra en el circuito
Complejidad y costo del dispositivo

mediante electricidad, byte por byte

FLASH
Se puede borra en el circuito mediante electricidad,
por sector o en masa (todas las celdas)

EPROM
Se puede borrar mediante UV en masa,
se borra y se reprograma todo el circuito

NROM Y PROM
No puede borrarse ni reprogramarse
SMBOLO DE UNA MEMORIA FLASH [1]
CICLO DE LECTURA [1]
APLICACIONES DE LA ROM
FIRMWARE: ALMACENAMIENTO DE DATOS Y CDIGOS DE PROGRAMAS
DISPONIBLES AL INICIAR EL MICROPROCESADOR.
MEMORIA DE ARRANQUE: El sistema operativo no esta en la ROM sino en memorias
masivas externas. En la ROM slo hay un programa
pequeo que dice donde esta el sistema operativo.
TABLAS DE DATOS: Pueden ser usadas para almacenar tablas de datos que no
cambian (Ej: tablas trigonomtricas)
CONVERTIDOR DE DATOS: permiten covertir un cdigo en otro.
GENERADOR DE FUNCIONES: permite generar formas de onda .
GENERADOR DE FORMAS DE ONDA [1]
MEMORIA RAM
(ARQUITECTURA) [1]
RAM ESTTICA (SRAM) [1]

En esencia son flip-flops que permanecern

en un estado especfico indefinidamente mientras
no se interrumpa la alimentacin.

Pueden ser: bipolares, MOS

Usadas en operaciones donde se requiere una alta

velocidad por ejemplo video, memoria cach, etc.
SMBOLO [1]
 RAM
DINMICA
(DRAM) [1]

Las celdas de memoria deben

recargarse peridicamente.

Usadas como memoria principal

debido a su alta capacidad y bajo
consumo de potencia.
EXPANSIN DEL TAMAO
DE LA PALABRA [1]
EJEMPLO DE MEMORIA DE 1KX8 [1]
 EXPANSIN DE
LA CAPACIDAD[1]

Ejemplo de combinacin de dos chips de 16x4 para

formar una memoria de 32x4.
REFERENCIAS
Imgenes y conceptos tomados de los siguientes libros:
[1] Sistemas Digitales, Pincipios y Aplicaciones. Ronald J. Tocci, Neal S. Widmer,
Gregory L. Moss. Pearson, 2007.
[2] Digital design and computer architecture. David Money Harris and Sarah L.
Harris. Second edition. Morgan Kaufman. 2013.