ELECTRONICA

ANALOGA I

Transistor Bipolar

1
Ing. William A. Cifuentes
 Transistor Bipolar: Introduccion
Los componentes basicos de todo sistema electronico hoy en dia
son los dispositivos semiconductores.
El mas famoso y comunmente usado es el BJT (Bipolar Junction
Transistors).
Este puede ser usado como amplificador o puerta logica..

El BJT dispone de tres terminales:

colector : C
base :B
emisor : E

2
 Construccion del Transistor
Hay dos tipos de transistores: (a) pnp y (b) npn.

3
 Modos de operacion
Una union pn tiene dos diferentes tipos de polarizacion:
- Polarizacion directa.
- Polarizacion inversa.
Ahora, a un dispositivo de dos uniones pn tiene cuatro tipos de
polarizacion. BC union BE union Modo de
operacion

E C
n
p
n

Inversa Inversa Corte

IE IC
Directa Directa Corte
IB
Inversa Directa Activa
B

Directa Directa Saturacion

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 Terminales y simbolo del transistor
La siguiente figura muestra la posicion de los terminales y los
Simbolos de los diferentes tipos de BJT.
C C
La Base est situada en el
p n
centro y es ms delgada que el
B
n
B
p colector y el emisor.
p n
Los terminales emisor y
colector son de el mismo tipo
E E
(a) de material semiconductor,
C C
mientras que la base de otro
B B
pnp npn tipo de material.
E E
(b)
Fig. 4.1: (a) Position of terminals (b) Type of BJT

5
 Corrientes del transistor
C Notas:
I C I
C
-La flecha esta siempre en el
C
B B Emisor.
-La flecha siempre apuntan hacia la
I I I
B
E I
E
B E E Capa tipo N.
-TLa flecha indica la direccion de la
pnp npn
Corriente de Emisor
- pnp: E-B
- npn: B-E
IC=Corriente de Colector
IB= Corriente de Base
IE= Corriente de Emisor

6
Operacin del transistor
Hay tres tipos de conexiones del transistor o configuraciones en
Circuito electrico :
a) CB (Base Comun)
b) CE (Emisor Comun)
c) CC (Colector Comun)
Las configuraciones estan basadas en como esta conectado el
Transistor con respecto de la seal de entrada y salida.

Configuration Input terminal Output terminal

CB E C
CE B C
CC B E

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Configuracion de base comun CB
La figura presenta la configuracion en base comun para transistor
PNP y NPN.
CB se deriva del hecho de que :
- La base es comun entre i/p y o/p.
- La base es el terminal mas cercano a tierra.

C
IC C IC
B B
IB IB
E IE E IE
pnp npn
Fig. 4.3: Symbols used with the CB configuration

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 Analisis de base comun para PNP
Paso 1:
Union B-E debe estar en polarizacion directa.

E C B
p
n
p

IB IE
B E
VEB
VEB pnp

9
Analisis de base comun para PNP
Paso 2:
Union B-C debe estar en polarizacion inversa
ICBO=ICO=0 A es una corriente inversa de saturacin
y normalmente se conoce como corriente de fuga.

C
E C ICBO
p
n
p

B
B IB

VCB pnp
10
Analisis de base comun para PNP
La corriente de base, IB (A) es pequea comparada con la
Corriente de emisor, IE (mA) y la corriente de colector,IC (mA).

La relacion entre estas tres corrientes por LCK es :

IE = I B + I C

La corriente de colector es producto de la suma total de la

corriente de emisor y la corriente de fuga.

La corriente de emisor que fluye por el colector es: DC IE .

El valor es grande en comparacion con la corriente de fuga

11
 Analisis de base comun para PNP
El analisis puede entenderse por las siguientes expresiones:
IC = IC(majority) + IC(minority)

IC = IE + ICBO

IC = IE (ignore ICBO Por su pequeo valor)

IC
= Ideal = 1, pero en realidad esta entre 0.9 y 0.998.
IE

12
Caracteristicas de base comun para PNP
IE(mA) IC(mA)
VCB= -20 V
IE=6 mA
VCB= -10 V 5
IE=5 mA
V CB= -1 V
9 6 Saturation
IE=4 mA
region
7 4
Active region IE=3 mA
5 3
IE=2 mA
3 2
IE=1 mA
1 1 Cutoff regionIE=0 mA
V (V)
CB
VBE(V)
-5 -10-15-20
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

Caracteristicas de entrada en Caracteristicas de salida en

base comun para PNP base comun para PNP

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 Configuracion de Emisor Comun (CE)

Es llamada Emisor Comun por que: :

- El Emisor es referencia comun entre los terminales i/p
y o/p.
- El Emisor es el terminal que esta mas cerca de Tierra.

La mayoria de diseos de amplificadores usan coneccion

CE debido a su alta ganancia de corriente y voltaje.

Dos caracteristicas son necesarias para describir el

comportamiento para CE ;Parametros de Entrada (base
terminal) y Salida (collector terminal).

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Polarizacion de una configuracion de emisor
comun en region activa

C IC

n
IC
IB p
B n VCC IB VCC
VBB VBB
IE E IE

(a) npn transistor configuration

C IC
IC
IE IC IB
p
IB
n VCC
IB B VCC
p
VBB
VBB IE
IE E

(b) pnp transistor configuration

Fig 4.7 : Common-emitter configuration

15
 Caracteristicas de emisor comun en
un transistor npn

(a) - Caracteristicas de colector = Caracteristicas de salida.

(b) - Cracteristicas de base = Caracteriticas de salida.
16
 Configuracion de un transistor como
amplificador

Ejemplo:
a) Usando las caracteristicas o/p, determine IC a IB=30 A
VCE=10 V.
b) Usando las caracteristicas i/p, determine IC a VBE=0.7 V
y VCE =10 V.

17
Solution: (a)
IC(mA)

IB=60 uA
6
IB=50 uA
5
IB=40 uA
4
Saturation Active region
region IB=30 uA
3
2 IB=20 uA

IB=10 uA
1
IB=0 uA
VCE(V)
VCE(sat) 5 10 15 20
ICEO ICBO Cutoff region

18
Solution: (b)

IB(uA) IC(mA)
VCE= 1 V
VCE= 10 V IB=60 uA
100 VCE= 20 V 6
90 IB=50 uA
5
80 IB=40 uA
70 4
Saturation Active region
60
region IB=30 uA
50 3
40 IB=20 uA
2
30
20 IB=10 uA
10 1
IB=0 uA
VBE(V) VCE(V)
5 10 15 20
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 VCE(sat)
ICEO ICBO Cutoff region

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 Beta ()
La relacion entre la corriente de colector en dc (IC) y la
corriente de base en dc (IB) es dc beta (dc ) que es la
ganancia de corriente, donde IC e IB determinan un punto
de operacion, Q(quiescent point).

Se define por la siguiente ecuacion: IC

dc IB

30 < dc < 300 2N3904

En un datasheet, dc=hFE

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 Beta (ac)
En alterna el ac beta es definido como los cambios en (IC)
comparado con los cambios en (IB) donde IC e IB son
determinados por el punto de operacion.
En el datasheet, ac=hfe
Es definido por la siguiente ecuacion:

IC
ac IB VCE=constant
Ejemplo :
De las caracteristicas o/p de la configuracion de CE
halle ac y dc con un punto de operacion a IB=25
A y VCE =7.5V.
21
Solucion:

IC
ac Vce constant
IB

IC(mA)
IC 2 IC 1 3.2 m 2.2m

IB 2 IB1 30 20 IB=60 uA
1m 6
100
10 IB=50 uA
5
IB=40 uA
4
IC Saturation
dc region 3
IB2 Active region IB=30 uA
IB IC2 Q- IB=20 uA
2
2 .7 m
IC Ipoint
25
B1 IB=10 uA
IC1 1
IB=0 uA
108 VCE(V)
VCE(sat) 5 10 15 20
VCE 7.5 V Cutoff region

22
Analisis de relaciones :
CASE 1
IE IC IB (1)
subtitute equ. IC IB into (1) we get
IE ( 1)IB

CASE 2
IC IC
known : IE (2)
IE
IC IC
known : IB (3)
IB
subtitute (2) and (3) into (1) we get,

and
1 1-

23
Configuracion de colector comun (CC)
Tambien llamada emisor seguidor.
Se llama configuracion de emisor comun por que la fuente de
seal y la carga comparten el colector como una terminal o
Punto de conexin comn.

El Voltaje o/p es obtenido del terminal del emisor.

La caracteristica de entrada de la configuracion de CC es

similar que la configuracion CE.

Todas las relaciones de corriente para configuracion CE son

aplicables para la configuracion CC.

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Polarizacion de una configuracion de colector
comun en region activa
C IC IC

n IB VEE
IE
IB p
B n VEE VBB
Vout
VBB IE
E

(a) npn transistor configuration

C IC IC

p VBB IB VEE
IE
IB n
B p VEE
Vout
VBB
IE
E

(b) pnp transistor configuration

Fig 4.8 : Common-collector configuration

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Caracteristicas de Colector Comun en
un transistor npn
IE(mA)

IB=60 uA
6
IB=50 uA
5
IB=40 uA
4
Saturation Active region
region IB=30 uA
3
2 IB=20 uA

IB=10 uA
1
IB=0 uA
VCE(V)
VCE(sat) 5 10 15 20
Cutoff region
Fig 4.9 : Output characteristic in CC configuration
for npn transistor

26
Ejemplo :
Calcule la corriente de emisor para la configuracion de
colector comun de la figura:

27
Limites de operacion del transistor
Algunos BJT son usados como amplificador. Por tanto es
importante saber los limites de operacion.
Al menos tres parametros se mensionan en el data sheet.
Estos son:
a) Maxima potencia disipada en el colector: PCmax o PD
b) Maximo voltaje Colector-Emisor: VCEmax Algunos la
llaman VBR(CEO) o VCEO.
c) Maxima corriente de colectro: ICmax
Hay algunas reglas que deben seguirse para utilizar el
transistor como amplificador. Las reglas son:
i) El transistor necesita operar en la region activa!
ii) IC < ICmax
ii) PC < PCmax

28
 Limites de operacion del transistor

Nota: VCE es maximo e IC es minimo (ICmax=ICEO) en la region de corte.

IC es maximo y VCE es minimo (VCEsat ) en la region de saturacion.
El transistor opera en la region activa entre corte y saturacion.

29
 Ejemplo :
PD: maximum power Con respecto a la figura:
IC(mA) dissipation line paso1:
La maxima potencia disipada en el
colector,
IB=60 uA
ICmax 18 PD=ICmax x VCEmax (1)
= 18m x 20 = 360 mW
IB=50 uA paso 2:
15 En algun punto de las caracteristicas el
IB=40 uA producto es igual a 360 mW.
12
Saturation Active region I =30 uA Ejemplo. 1. Si elegimos ICmax= 5 mA,
region 9 B sustituimos en (1), tenemos
VCEmaxICmax= 360 mW
6 IB=20 uA VCEmax(5 m)=360/5=7.2 V

IB=10 uA Ejemplo.2. si elegimos VCEmax=18 V,

3
subtitute into (1), we get
IB=0 uA VCEmaxICmax= 360 mW
VCE(V) (10) ICmax=360m/18=20 mA
VCE(sat) 5 10 15 20 VCEmax
Cutoff region

30
 Variables que pueden afectar PDmax

PDmax es ususlmente especificado a 25C.

A temperatura alta disminuye PDmax
Ejemplo;
Un factor de 2mW / C indica la disipacin de
potencia maxima se reduce 2mW cada grado
centgrado de aumento de temperatura .

31
Ejemplo:

El transistor 2N3904 usado en un circuito con

VCE= 20 V. este circuito tiene una temperatura de
1250C. Calcule el nuevo maximo IC.
El transistor 2N3904 tiene una potencia maxima
de disipacion de 625 mW. El factor es 5
mW/0C.

32
Solucion:
Step 1:
Incremento de la temperatura : 1250C 250C = 1000C
Step 2:
Derate transistor : 5 mW/0C x 1000C = 500 mW
Step 3:
Maxima potencia disipada a
1250C = 625 mW500 mW=125 mW.
Step 4:
Ahora ICmax = PCmax / VCE=125m/20 = 6.25 mA.

33
Ejemplo:
Los parametros del transistor 2N3055 son:
- Maxima potencia disipada @ 250C=115 W
- Factor=0.66 mW/0C.
El transistor esta siendo usado a una temperatura de 780C.
a) Encuentre la nueva maxima potencia disipada.
b) Encuentre el maximo IC si VCE=10V, 20 V
y 40 V.

34
Solucion:
Paso 1:
Incremento de la temperatura : 780C 250C = 530C
paso 2:
Derate transistor : 0.66mW/0C x 530C = 35 mW
Paso 3:
Maxima potencia disipada a 780C = 115W 35W=80 mW.
Paso 4:
ICmax = PCmax / VCE=80m/10 = 8 mA (point C)
ICmax = PCmax / VCE=80m/20 = 4 mA. (point B)
ICmax = PCmax / VCE=80m/40 = 2 mA (point A)

35
 Prueba del Transistor
1. Trazador de curvas
Provee graficas d elas curvas caracteristicas.
2. Multimetros
Algunos multimetros miden DC o HFE.
3. Ohmimetro

1. Curve Tracer
Provides a graph of the characteristic curves.
2. DMM
Some DMMs will measure DC or HFE.
3. Ohmmeter

36