INTRODUCCION:

El transistor de unin bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor)

constituye uno de los componentes ms ampliamente utilizado
dentro de los circuitos electrnicos, tanto digitales como analgicos.
Su descubrimiento en 1947 se debe a Walter H. Brattain y John
Bardeen que trabajaban en los laboratorios de la Bell Telephone, y
supuso una revolucin importante en el campo de la electrnica, ya
que este dispositivo de estado slido presentaba numerosas ventajas
(reducido tamao, menor absorcin de potencia, no requiere
filamentos ni periodos de calentamiento, etc) frente a su antecesor el
tubo electrnico (vlvula).
El nombre de transistor se debe, como se pondr de manifiesto ms
adelante, a que en su funcionamiento se produce un fenmeno de
transferencia de resistencia (TRANSfer resISTOR), existiendo un
flujo de electrones y huecos, de ah el trmino bipolar.
Desde el punto de vista fsico, los transistores bipolares son
dispositivos de tres terminales y existen dos estructuras bsicas: pnp
y npn.
ENFOQUE INTUITIVO:

El transistor de unin bipolar (del inglesBipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus
terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias
al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como
emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P"
se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a
que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin.
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor.
Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho
mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.
los transistores pueden parecer simples. Sin embargo, su desarrollo requiri muchos
aos de investigacin. Antes de los transistores, muchos elementos electrnicos
usaban los dispositivos conocidos como vlvulas, y otros tenan conmutadores
mecnicos para realizar sus tareas. Todo esto cambi en 1958, donde unos ingenieros
pusieron dos transistores en un cristal de silicona creando el primer circuito integrado,
que ms tarde condujo al microprocesador.
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO:
Las funciones que puede tener un transistor son variadas, ya que puede
amplificar, conmutar, rectificar y hacer de oscilador.
El funcionamiento es el sgt :El emisor enva electrones y el colector los recibe, y
la base simplemente modula el paso de dicho electrones. Si aplicamos una
corriente elctrica entre el emisor y la base, variar la que va desde el emisor y el
colector. Esta es una de las bases de amplificacin del transistor.

ESTRUCTURAS Y SIMBOLOGAS:
Los transistores de unin bipolares (BJTs) son dispositivos de estado slido
formados por tres capas (o zonas) dopadas alternativamente, donde la capa
intermedia es muy estrecha en comparacin con la longi tud de difusin de los
portadores minoritarios correspondientes a esa capa. Dependiendo de que la
capa intermedia sea tipo n o tipo p el transistor ser pnp o npn, respectivamente.
En las figuras 1.1 y 1.2 se muestran las estructuras bsicas de ambos tipos de
transistores as como los smbolos correspondientes.
Figura 1.1 Transistor npn. (a) Estructura bsica. (b) Smbolo.

Figura 1.2 Transistor pnp. (a) Estructura bsica (b) Smbolo.

DEFINICIN DE TENSIONES Y CORRIENTES:

Dado que el transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales se pueden definir

tres corrientes y tres tensiones. La definicin de estas corrientes y tensiones se puede
hacer siguiendo diferentes criterios de signos. As por ejemplo, las corrientes se
pueden definir todas entrantes , todas salientes, etc. En este libro el sentido de las
corrientes se definir de tal forma que stas coincidan con el flujo fsico de las mismas
cuando los transistores estn funcionando en la regin activa directa ; en cuanto a las
tensiones, se definirn entre la zona p y n para las uniones B-E y B-C (tanto si se trata
de transistores pnp como npn ) y entre colector y emisor
En resumen, las corrientes y tensiones tal y como se indica en la fig 1.3
Figura 1.3 Criterio de signos de corrientes y tensiones. (a) Transistor npn; (b) Transistor
pnp.
Por tanto, las relaciones de corrientes y tensiones, aplicando Kirchoff, son:
REGIONES DE FUNCIONAMIENTO DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES:
Como ya se ha indicado, los transistores bipolares se pueden considerar que estn formadosp
dos uniones pn, (o np ), una la B-E y otra la B-C que comparten una misma zona (la base). Dad
que cada una de estas uniones puede estar polarizada en inverso o en directo, las posibl
regiones o modos de funcionamiento en continua son cuatro, cada una de las cuales recibe u
nombre concreto:
1. Regin de corte (cutoff region): las dos uniones en inverso.
2. Regin activa directa (forward-active region) : la unin B-E en directo y la unin B-C en
inverso.
3. Regin activa inversa (inverse-active region): la unin B-E en inverso y la unin B-C en
directo.
4. Regin de saturacin (saturation region): las dos uniones en directo.

Figura 1.4 Regiones de funcionamiento de los BJT. (a) Transistor npn;(b) Transistor pnp.
FUNCIONAMIENTO CUALITATIVO:
Dentro de este apartado se va a realizar una descripcin cualitativa del funcionamiento d
los transistores bipolares. Este estudio debe servir para entender el comportamiento d
los BJTs y las diferentes corrientes que se generan ante las diferentes situaciones d
polarizacin (directa e inversa) de las dos uniones: base-emisor y base-colector.

ESTUDIO CUALITATIVO DEL TRANSISTOR PNP:

En la figura 1.5 se muestran los perfiles de concentracin de portadores en equilibr

trmico, y las dos zonas de vaciamiento (o zonas de deplexin, wE y wC ) con sus ion
asociados.
Como se puede comprobar, se ha supuesto que las diferentes zonas (Emisor, Base
Colector) estn uniformemente dopadas y donde el emisor(tipo p en este caso) es
mucho ms dopado que el colector. Tambin se ha supuesto que la base, tipo n, tiene un
magnitud de dopado inferior a la del emisor pero superior a la del colector. Todo e
responde a las realizaciones prcticas de BJTs.
En la figura 1.5, pE0 representa la concentracin de portadores mayoritarios (huecos) en
emisor, nE0 es la concentracin de portadores minoritarios (electrones) en el emisor, nB0 es
concentracin de portadores mayoritarios (electrones) en la base, pB0 es la concentracin
portadores minoritarios (huecos) en la base, pC0 es la concentracin de portadores mayoritar
(huecos) en el colector, nC0 es la concentracin de portadores minoritarios (electrones) en
colector, wE y wC representan las zonas de vaciamiento B-E y B-C, respectivamente, y wB es
zona de volumen de base.

Figura 1.5 Perfiles de concentracin de portadores en un BJT pnp en equilibrio.

En equilibrio trmico, como ya se conoce del estudio del diodo de unin, no hay flujo neto de
corriente, por lo tanto todas las corrientes de arrastre son iguales y opuestas a las component
de difusin para cada tipo de portadores en cada unin. Esto es, a los huecos del colector o de
emisor les cuesta trabajo difundirse hacia la base en contra del campo elctrico creado por los
iones de la red cristalina. Una situacin similar se produce para los electrones de la base. Al ig
que ocurre en las uniones aisladas, estas barreras slo permiten el paso a aquellos portadores
carga con energa cintica superior al potencial de barrera. Para el caso representado en la figu
1.5, el diagrama de bandas de energa, la densidad de cargas y el campo elctrico, tendrn una
forma similar a los mostrados en la figura 1.6.

Figura 1.6 Transistor pnp en equilibrio trmico. (a) Diagrama de bandas de energa; (b)
densidad de cargas; (c) campo elctrico.
POLARIZACIN DEL BJT:
De acuerdo a su polarizacin el diodo tiene distinto comportamiento de acuerdo a sus
uniones .
Unin BE
Unin CE

Unin Unin Comportamiento

BE BC
Inversa Inversa Zona de corte(circuito abierto )
Inversa Directa Zona activa inversa (mala
amplificacin)
Directa Inversa Zona activa(amplificacin )
Directa Directa Zona de saturacin (corto
circuito)
 REGIN ACTIVA DIRECTA:
IEp = corriente de emisor debida a los huecos
que se inyectan (difusin) desde el propio
emisor, a travs de la unin B-E polarizada en
directo.
IEn = corriente de emisor debida a los
electrones que se inyectan (difusin) desde la
base, a travs de la unin B-E polarizada en
directo.
ICp = corriente de colector debida a los
huecos inyectados desde el emisor (que
atraviesan la unin B-E, zona de base y unin
B-C).
ICn = corriente de colector debida a la
corriente inversa de saturacin (electrones
generados trmicamente).
IB1 = corriente de base debida a los
electrones que se inyectan (difusin) desde la
propia base. Figura 1.7 Componentes de corriente y flujo de
IB2 = corriente de base debida a los portadores en un transistor pnp funcionando con la
electrones que entran en la base para unin B-E en directo y la unin B-C en inverso (regin
reemplazar los electrones que se recombinan activa directa).
con los huecos inyectados desde el emisor.
IB3 = corriente de base debida a la corriente
inversa de saturacin (electrones generados
trmicamente).
Como se puede comprobar el emisor inyecta portadores y el colector recolecta
parte de los inyectados desde el emisor, esto explica los trminos emisor y
colector.
De la figura 1.7 se deducen, tambin las siguientes relaciones:

Como ya se coment anteriormente, en la prctica los transistores se fabrican de tal forma

que:
a) El dopado del emisor es mucho mayor que el de base y ste a su vez mayor que el de
colector.
b) La longitud de la zona de base (wB) es muy pequea en comparacin con la longitud de
difusin de los portadores minoritarios (Lp ) correspondientes a esa zona (esto es: wB<<
Lp).
c) La primera de estas condiciones supone que IEp >> IEn y por tanto la corriente de emisor
IE, se puede aproximar a la corriente de huecos inyectada en la base: IE IEp. La segunda
de las condiciones ( wB<< Lp) supone que apenas existe recombinacin de huecos en la
base: IB2 0, por lo tanto IEp ICp.
d) Por otra parte la corriente IB3 es muy pequea (IB3= ICn 0) ya que representa la
corriente inversa de saturacin (unin B-C en inverso), esto supone que: IC= ICp + ICn
ICp .

e) Para dar una idea del grado de las aproximaciones expuestas en el prrafo anterior, se
definen dos parmetros: factor de transporte de base (T) y eficiencia de inyeccin de
emisor () que vienen dados por:

Es evidente que si no existe recombinacin en la base (IB2 0) entonces T 1, y

tambin 1si IEn0. Otro parmetro que se define en la regin activa es alfa de
corriente continua (DC) y es un parmetro importante del transistor, como se pondr de
manifiesto ms adelante, y representa, aproximadamente, el cociente entre la corriente
de colector y emisor ( por tanto DC <1):
Dado que en la regin activa directa se cumple que ICp>> ICn , entonces la ecuacin
<1.11> se puede escribir como:

Otro parmetro de gran inters, al que tambin se har referencia ms adelante, es al

cociente entre la corriente de colector y la de base (IC /IB ). Esta ganancia de corriente se
define por la letra DC , y teniendo en cuenta que IE = IB + IC y la expresin de DC (dada
en la ecuacin <1.11>) se obtiene:

Finalmente indicar que en la regin activa las corrientes de emisor, base y colector
(definidas de acuerdo con el criterio adoptado siempre son positivas (IE>0, IC>0, IB>0),
ya que tanto las corrientes de emisor como la de colector son la suma de dos
componentes, y nicamente en la corriente de base aparece un trmino que resta (IB3);
pero su valor es muy pequeo frente a la suma de los otros dos, ya que se trata de una
corriente inversa de saturacin (unin B-C en inverso).
REGIN ACTIVA INVERSA:

Esta regin de funcionamiento se caracteriza por tener la unin B-E en inverso y la B-C en
directo. Se trata, por tanto, de un modo de funcionamiento similar al de la regin activa
directa. De hecho si el transistor fuera totalmente simtrico (zonas de colector y emisor
iguales en dimensiones y nivel de dopado) el comportamiento en las regiones activas
directa e inversa sera exactamente el mismo. Las diferentes componentes de corriente
para este modo de funcionamiento se muestran en la figura 1.8.
IEp = corriente de emisor debida a los
huecos inyectados desde el colector
(que atraviesan la unin B-C, zona de
base y unin B-E).
IEn = corriente de emisor debida a la
corriente inversa de saturacin
(electrones generados trmicamente).
ICn =corriente de colector debida a los
huecos que se inyectan (difusin)
desde la base, a travs de la unin B-C
polarizada en directo.
ICp =corriente de colector debida a los
huecos que se inyectan (difusin)
desde el propio colector, a travs de la Figura 1.8 Componentes de corriente y flujo de portadores e
unin B-C polarizada en directo un transistor pnp funcionando con la unin B-E en inverso y
IB1 = corriente de base debida a la unin B-C en directo (regin activa inversa).
corriente inversa de saturacin
(electrones generados trmicamente).
IB2 = corriente de base debida a los
electrones que entran en la base para
reemplazar los electrones que se
recombinan con los huecos inyectados
desde el colector.
IB3 = corriente de base debida a los
electrones que se inyectan (difusin)
desde la propia base.
Como se puede comprobar, en este caso, es el colector el que inyecta portadores y el emisor
el que los recolecta (al contrario de lo que ocurra en la regin activa directa).
Las corrientes de emisor, colector y base vienen dadas por:

Donde:

Al igual que en la regin activa directa, en la activa inversa tambin se puede definir los
parmetros: factor de transporte de base y eficiencia de inyeccin de emisor, que en este
caso definiremos por las letras TR y R, respectivamente.
Es evidente que si no existe recombinacin en la base (IB20) entonces TR1. Y tambin R
1 si ICn0.Otro parmetro que se define en la regin activa es el alfa de corriente continua
(RC) que representa, aproximadamente, el cociente entre la corriente de emisor y colector
(RC<1):

Y como en la regin activa inversa se cumple que IEn<< IEp , entonces la ecuacin <1.21>
se puede escribir :

El otro parmetro de inters, al que tambin se har referencia ms adelante, es el

cociente entre la corriente de emisor y la de base (-IE/IB). Esta ganancia de corriente se
define por la letra RC , y teniendo en cuenta que IE= IB +IC y la expresin de RC (ecuacin
<1.21>)se obtiene:
REGIN DE SATURACIN:
En el caso de que las dos uniones estn polarizadas en directo (regin de
saturacin) las componentes de corriente y flujo de portadores responden a
la situacin mostrada en la figura1.9.

Figura 1.9 Componentes de corriente y flujo de portadores en un transistor pnp

funcionando con las dos uniones en directo (regin de saturacin).
De la figura 1.9 se deducen las siguientes relaciones:

Tanto la corriente de emisor como la de colector pueden tomar valores que pueden ser
positivos o negativos.
Esto es, si IEp1 + IEn > IEp2, entonces IE es positiva, en caso contrario ser negativa. Algo
similar se puede decir de la corriente de colector: si ICp1>ICp2 + ICn, entonces IC es positiva
en caso contrario ser negativa.
Las posibles combinaciones de signos que se pueden dar entre IE e IC son tres: IE >0 e IC >0,
IE <0 e IC <0, IE >0 e IC <0. Esta ltima conclusin se puede demostrar fcilmente a partir de
las ecuaciones <1.24> a <1.29>; en efecto, se puede escribir: IE = ICp1 - ICp2 +IEn +IB2 +IB3
.ICp1 - ICp2 +IEn e IC = ICp1 - ICp2 -ICn.
Es evidente que la nica situacin que no puede darse es IE < 0 e IC >0, ya que ello supondr
que ICp1 - ICp2 +IEn <0 e ICp1 - ICp2 -ICn >0 y esto no es posible.
La corriente de base siempre es positiva. Es evidente que en saturacin, los cocientes
IC/IE e IC/IB nada tienen que ver con las relaciones establecidas para el caso de que el
transistor est funcionando en la regin activa (esto es, en saturacin: DC IC/IE y dc
IC/IB, siendo DC y DC los parmetros definidos para el caso de que el transistor est
funcionando en la regin activa). Es ms, dado que la corriente de colector en saturacin
(ecuacin <1.24>) siempre es inferior a la de la regin activa y la corriente de base
siempre es superior en saturacin (ecuacin <1.25>) que en activa
Se puede decir que en saturacin se cumple la desigualdad DC >IC/IB (evidentemente,
en el caso de funcionamiento en el lmite entre activa y saturacin se cumple tambin
DC =IC/IB).
Algo similar se puede decir si se compara son la regin activa inversa. En saturacin RC -
IE/ Ic y RC-IE/ IB, ya que estos dos parmetros se definen exclusivamente para la regin
activa inversa. Ahora la corriente de colector en saturacin (ecuacin <1.24>) siempre es
mayor que la regin activa inversa, y las corrientes de base es inferior en saturacin
(ecuacin <1.25>) que en activa inversa. Se puede decir que en saturacin se cumple la
desigualdad RC> -IE/ IB
 REGIN DE CORTE:
La regin de corte se caracteriza porque las dos uniones estn polarizadas en inverso. Por
tanto, las componentes de corriente son las que se muestran en la figura 1.10 y todas
ellas representan corrientes inversas de saturacin, y sus valores sern muy pequeos. En
este modo de funcionamiento las corrientes de emisor y base (definidas con el criterio de
la figura 1.3) son negativas y la de colector es positiva. En efecto, de la figura 1.10 se
deduce que:

Donde IEp = IB1 ; IEn = IB2 ; ICn = IB3 ; ICp = IB4.

Figura 1.10 Componentes de corriente y flujo de portadores en un transistor pnp
funcionando con las dos uniones polarizadas en inverso (regin de corte).

Para finalizar, indicar que definiendo las corrientes de emisor, base y colector, los signos de
estas corrientes en funcin de la regin de funcionamiento, junto con los valores de las
tensiones en las tres uniones.
APLICACIONES:
Una de las aplicaciones ms importantes de los transistores en electrnica analgica es la
de amplificacin de seales elctricas de amplitud variable, tanto de voltaje como de
corriente. Dependiendo de la funcin que se pretenda realizar, los circuitos amplificadore
TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR:
La funcin del transistor como interruptor es exactamente igual que la de un dispositivo
mecnico: o bien deja pasar la corriente, o bien la corta. La diferencia est en que
mientras en el primero es necesario que haya algn tipo de control mecnico, en el BJT la
seal de control es electrnica. En la Figura 3 se muestra la aplicacin al encendido de
una bombilla.

Fig: El transistor bipolar como interruptor de corriente

TRANSISTOR COMO RESISTENCIA VARIABLE:
Al igual que en el potencimetro, en el transistor se puede ajustar su resistencia entre
colector y emisor, con la diferencia de que la seal de mando no es mecnica, sino elctri
a travs de la base. Como se ver ms adelante, con una pequea seal aplicada en la bas
puede gobernarse el BJT, con lo que aparece un concepto nuevo: la amplificacin de
seales. Esta funcin es la base de la electrnica analgica, aquella en la que se procesan
seales de tensin respetando su forma de onda temporal.

Fig: Transistor bipolar operando como resistencia variable