Electrnica

Cuarto
Electromecnica
 Aislante
Es un elemento que prcticamente no conduce la
corriente elctrica. No existe un aislante ideal, es
decir que no conduzca absolutamente nada de
corriente.
Valencia 8 electrones
 Conductor ideal
Es un elemento que no ofrece resistencia alguna al
paso de la corriente. En realidad no existe, ya que
todo elemento ofrece resistencia.

Valencia 1 electrn
 Semiconductor
Es un material (slido o lquido) capaz de conducir
la electricidad mejor que un aislante, pero no
mejor que un conductor.

Valencia 4 electrones
 Electrones de valencia:
Son los electrones que se encuentran en el ltimo
nivel de energa del tomo, en la ltima rbita;
siendo los responsables de la interaccin entre
tomos de distintas especies o entre los tomos de
una misma.
 Conductividad elctrica:
Es la capacidad de conducir la corriente elctrica
cuando se aplica una diferencia de potencial.
La conductividad elctrica es una de las
propiedades fsicas ms importantes. Ciertos
metales, como el cobre, la plata y el aluminio, son
excelentes conductores.
 Conductividad elctrica:
Por otro lado, ciertos aislantes, como el diamante
o el vidrio, son muy malos conductores.
A temperaturas muy bajas, los semiconductores
puros se comportan como aislantes.
Sometidos a altas temperaturas, mezclados con
impurezas o en presencia de luz, la conductividad
de los semiconductores puede aumentar de forma
extraordinaria y llegar a alcanzar niveles cercanos
a los de los conductores.
 Semiconductores, el Silicio (Si) y el Germanio (Ge)
 Semiconductores, el Silicio (Si) y el Germanio (Ge)
 Cristales de Silicio
Al combinarse los tomos de Silicio para formar un
slido, lo hacen formando una estructura ordenada
llamada cristal. Esto se debe a los "Enlaces
Covalentes", que son las uniones entre tomos que
se hacen compartiendo electrones adyacentes de
tal forma que se crea un equilibrio de fuerzas que
mantiene unidos los tomos de Silicio.
 Enlace Covalente tomo Si y GaAs
 Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el
anterior, se le aade un pequeo porcentaje de
impurezas, es decir, elementos trivalentes o
pentavalentes, el semiconductor se denomina
extrnseco, y se dice que est dopado. Los
materiales semiconductores estn compuestos por
dos tipos de impurezas:
Cristal o elemento P (positivo)
Cristal o elemento N (negativo)
 Impurezas:
Suelen ser elementos pertenecientes a los grupos
tercero y quinto de la tabla peridica y se mezclan
con el germanio o el silicio en estado de fusin
para que algunos tomos de estos sean
sustituidos por tomos de impureza durante el
proceso de cristalizacin.
 Cristal o elemento P (positivo)
Es un material semiconductor combinado con
impurezas positivas. Su composicin se forma con
los elementos semiconductores Germanio o Silicio
y con elementos de impurezas como lo son el
Aluminio, Galio o Indio.
Entre las impurezas de valencia 3, tenemos el
Aluminio, Boro y Galio.
Cristal de Silicio dopado con tomos de valencia 3.
 Cristal o elemento N (negativo)
Es un material semiconductor combinado con
impurezas negativas. Su composicin se forma
con los elementos semiconductores Germanio o
Silicio y con elementos de impurezas como lo son
el Arsnico, Antimonio o Fsforo.
Existen impurezas de valencia 5 como el Arsnico,
el Antimonio y el Fsforo.
El Diodo Semiconductor
El diodo es el dispositivo semiconductor que
conduce energa en una sola direccin actuando
como un interruptor.
Si se polariza directamente, conduce la energa
elctrica y, si se polariza inversamente, actuar
como un aislante.
El Diodo Semiconductor
La polarizacin directa en la electrnica se debe al
suministro de energa elctrica positiva por el lado
en el que hay material P (+) y, la polarizacin
indirecta, es cuando la energa con carga negativa
pasa por el cristal P (+), originando que el
elemento electrnico se comporte como un
aislante.
El Diodo Semiconductor
El Diodo Semiconductor
El material base en la construccin del diodo es el
Cristal de Silicio. Este es el semiconductor ms
utilizado, pero el Germanio y otros materiales
semiconductores operan bajo los mismos principios
generales.
Cuando el silicio est en forma lquida (fundido), se
mezclan ciertas impurezas intencionalmente.
Este proceso de contaminacin es llamado dopaje
(doping). Si se mezcla, por ejemplo, el
elemento fsforo con el silicio, se obtendr un
material tipo-N que conduce electricidad por medio
de electrones libres.
El Diodo Semiconductor
Si se utiliza, en cambio, el elemento boro, se
obtiene material tipo-P y este, a diferencia del
material tipo-N, conduce electricidad solo por
medio de hueco.
El Diodo Semiconductor
Un hueco es la situacin que aparece cuando un
tomo, en vez de agregar un electrn libre al
momento de ser dopado, genera la deficiencia de
un electrn en la estructura.
El Diodo Semiconductor
El Diodo Semiconductor
El Diodo Semiconductor
El Diodo Semiconductor
El Diodo Semiconductor
APLICACIONES DEL DIODO
Rectificadores de media onda
Rectificadores de onda completa
Filtros y reguladores de la fuente de
alimentacin
Circuitos limitadores y sujetadores con diodos
Multiplicadores de voltaje
Fuente de alimentacin
Rectificador de media onda
Rectificador de media onda
Rectificador de media onda
Rectificador de media onda
Rectificador de media onda
Cul es el valor promedio del voltaje rectificado de
media onda en la figura?
Rectificador de media onda
Rectificador de media onda
Trace los voltajes de salida de cada rectificador
correspondientes a los voltajes de entrada
indicados
Rectificador de media onda

Error
Rectificador de media onda
El voltaje de pico inverso (PIV) es igual al valor pico del voltaje
de entrada y el diodo debe ser
capaz de soportar esta cantidad de voltaje en inversa repetitivo.
La capacidad de un diodo deber ser por lo menos 20% ms alta
que el PIV.
Rectificador de media onda
Acoplamiento por transformador
Permite que la fuente de voltaje se reduzca como sea necesario;
La fuente de ca se asla elctricamente del rectificador, con lo
que se evita el peligro de choques elctricos en el circuito del
secundario.
Rectificador de media onda

Determine el valor pico del voltaje de

salida en la figura 2-10 si la relacin de
vueltas es de 0.5.
RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA
Permite corriente unidireccional (en un sentido)
a travs de la carga durante los 360 del ciclo de
entrada, mientras que un rectificador de media
onda permite corriente a travs de la carga slo
durante la mitad del ciclo.
El resultado de la rectificacin de onda completa
es un voltaje de salida con una frecuencia del
doble de la frecuencia de entrada y que pulsa
cada semiciclo de la entrada.
RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA
RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA
Determine el valor del voltaje rectificado
de onda completa mostrado en la figura
RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA
Rectificador de onda completa con
derivacin central
RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA
Rectificador de onda completa con
derivacin central
RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA
Rectificador de onda completa con
derivacin central
RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA
Rectificador de onda completa con
derivacin central
Obtener un voltaje de salida
RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA
Rectificador de onda completa con
derivacin central

Voltaje de pico inverso

RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA
Muestre las formas de onda de voltaje a travs de cada una de las
mitades del devanado secundario y a travs de RL cuando se aplique una
onda seno con pico de 100 V al devanado primario en la figura.

Qu voltaje de pico inverso nominal debe tener el diodo?

RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA
RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA
Rectificador de puente de onda
completa
RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA
Rectificador de puente de onda
completa
RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA
Rectificador de puente de onda
completa

Voltaje de pico inverso

RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA
Determine el voltaje pico de salida para el rectificador de puente de
la figura. Suponiendo el modelo prctico, qu voltaje de pico
inverso nominal se requiere para los diodos? Se especifica que el
transformador tiene un voltaje rms de 12 V en el secundario para los
120 V estndar a travs del primario.