Transductores Opticos y Fotosensibles

TRANSDUCTORES OPTICOS Y
FOTOSENSIBLES
ESPEL – INSTRUMENTACION INDUSTRIAL I

INTRODUCCION
Como ya sabemos, la luz es una forma

de radiación electromagnética
comprendida entre los 380 nm y los 770
nm de longitud de onda a la que es
sensible el ojo humano.

Son de especial importancia tres
regiones del espectro electromagnético:
ultravioleta, visible e infrarrojo.
La división adoptada por la CIE
(Internationale de l’Éclairage – Comité
Internacional de la Iluminación) para las
ondas ultravioleta es:

El infrarrojo se sitúa en un margen
comprendido entre 770-1.000.000nm.
Esta banda también se divide
arbitrariamente como se refleja en la
tabla.

La sensibilidad del ojo humano no es
igual en todo el intervalo y tiene su
máximo para 555 nm (amarillo-verdoso)
descendiendo hacia los extremos
(violeta y rojo). Como no todos los ojos
son idénticos se considera una
respuesta estándar determinada por la
CIE que se reproduce en la figura 2.

 Esta curva es la denominada curva
fotópica y expresa la respuesta relativa
del ojo en función de la longitud de
onda.

FOTOMETRÍA
 La luz, al igual que las ondas de radio, los

rayos X o los gamma es una forma de
energía. Si la energía se mide en joules (J)
en el Sistema Internacional, para qué
necesitamos nuevas unidades. La razón es
más simple de lo que parece. No toda la luz
emitida por una fuente llega al ojo y produce
sensación luminosa, ni toda la energía que
consume, por ejemplo, una bombilla se
convierte en luz.

 Todo esto se ha de evaluar de alguna
manera y para ello definiremos nuevas
magnitudes: el flujo luminoso, la
intensidad luminosa, la iluminancia, la
luminancia, el rendimiento o eficiencia
luminosa y la cantidad de luz.

Flujo luminoso
Empíricamente se demuestra que a una

radiación de 555 nm de 1 W de
potencia emitida por un cuerpo negro le
corresponden 683 lumen.

 Se define el flujo luminoso como la potencia
(W) emitida en forma de radiación luminosa a
la que el ojo humano es sensible.
 Su símbolo es Φ y su unidad es el lumen
(lm).
 A la relación entre watts y lúmenes se le
llama equivalente luminoso de la energía y
equivale a:
1 watt-luz a 555 nm = 683 lm

Intensidad luminosa
El flujo luminoso nos da una idea de la

cantidad de luz que emite una fuente de
luz, por ejemplo una bombilla, en todas
las direcciones del espacio. Por contra,
si pensamos en un proyector es fácil
ver que sólo ilumina en una dirección.

Se conoce como intensidad luminosa
al flujo luminoso emitido por unidad de
ángulo sólido en una dirección
concreta.
Su símbolo es I y su unidad la candela
(cd).

Iluminancia
Quizás haya jugado alguna vez a

iluminar con una linterna objetos
situados a diferentes distancias. Si se
pone la mano delante de la linterna
podemos ver esta fuertemente
iluminada por un círculo pequeño y si
se ilumina una pared lejana el circulo es
grande y la luz débil.

Se define iluminancia como el flujo
luminoso recibido por una superficie.
Su símbolo es E y su unidad el lux (lx)
que es un lm/m2.

Lo que ocurre con la iluminancia se
conoce por la
ley inversa de los cuadrados que
relaciona la intensidad luminosa (I) y la
distancia a la fuente. Esta ley solo es
válida si la dirección del rayo de luz
incidente es perpendicular a la
superficie.

Ley inversa de los cuadrados

¿Qué ocurre si el rayo no es
perpendicular? En este caso hay que
descomponer la iluminancia recibida en
una componente horizontal y en otra
vertical a la superficie.

En general, si un punto está iluminado
por más de una lámpara su iluminancia
total es la suma de las iluminancias
recibidas:

Luminancia
Hasta ahora hemos hablado de

magnitudes que informan sobre
propiedades de las fuentes de luz (flujo
luminoso o intensidad luminosa) o
sobre la luz que llega a una superficie
(iluminancia).

Pero no hemos dicho nada de la luz
que llega al ojo que a fin de cuentas es
la que vemos. De esto trata la
luminancia. Tanto en el caso que
veamos un foco luminoso como en el
que veamos luz reflejada procedente de
un cuerpo la definición es la misma.

Se llama luminancia a la relación entre
la intensidad luminosa y la superficie
aparente vista por el ojo en una
dirección determinada.
Su símbolo es L y su unidad es la
cd/m2.
También es posible encontrar otras
unidades como el stilb (1 sb = 1 cd/m2)
o el nit (1 nt = 1 cd/cm2).
Es importante destacar que sólo vemos
luminancias, no iluminancias.

Rendimiento luminoso o eficiencia
luminosa

Para hacernos una idea de la porción
de energía útil definimos el
rendimiento luminoso como el
cociente entre el flujo luminoso
producido y la potencia eléctrica
consumida

Cantidad de luz
Esta magnitud sólo tiene importancia

para conocer el flujo luminoso que es
capaz de dar un flash fotográfico o para
comparar diferentes lámparas según la
luz que emiten durante un cierto
periodo de tiempo.
Su símbolo es Q y su unidad es el
lumen por segundo (lm·s).

CELULAS SOLARES
“Célula solar” es el término más

comúnmente usado para designar
células fotovoltaicas. Este tipo de célula
es generalmente una célula de silicio
PN que responde a la luz en el margen
de los 350 a 1200 nm y que convierte
eficientemente la luz en electricidad.

Dado que células fotovoltaicas de silicio
son las utilizadas para convertir la luz
solar en electricidad, son denominadas
“células solares”.

La célula de silicio tiene características
estables y puede soportar temperaturas
extremas. Esto la convierte en fuente
de poder conveniente, para uso en
lugares donde existen temperaturas
extremas.

Las células de silicio son fabricadas de
rodajas de silicio, que tienen un espesor
aproximado de 3 décimas de mm (0,3
mm).
La superficie activa de la célula parece
estar coloreada.

Una franja de contactos de níquel
estañados rodea la circunferencia de la
célula, y provee los contactos óhmicos
necesarios para la conexión a circuitos
externos. La superficie inactiva de las
células consiste enteramente en níquel
estañado.

Las células de silicio se proveen en
varios tamaños y configuraciones. Una
célula única generalmente produce
0,45V en el punto operacional
diseñado, con una intensidad de
corriente que depende del tamaño de la
célula.

 A partir de una célula de 5 cm de
diámetro se obtiene fácilmente una
corriente de varios cientos de mA.

Se utilizan los siguientes símbolos:
 C = capacidad inherente
 RSH = resistencia interna de pérdida
 D = tensión de salida limitada por diodo de
juntura ideal
 Rs = resistencia del material y conductores
 RL = resistencia de la carga
RSH y C aumentan mientras que RS disminuye

con el tamaño de la célula.

Características eléctricas
La tensión de circuito abierto de la

célula de silicio varía en forma casi
lineal con el logaritmo de la intensidad
de iluminación y, en principio, no
depende de la superficie de la célula.

 Sin embargo, en celdas muy pequeñas
(aproximadamente 1 cm2) la
conductividad interna de derivación es
mayor y la tensión de circuito abierto es
menor.

La figura 4 nos muestra las
características de la corriente en
función de la tensión, para una
intensidad luminosa solar dada.

La potencia transmitida a la carga es
máxima en el punto donde la curva baja
abruptamente.
Esto define la resistencia óptima de

carga.

REFERENCIAS
lsc = Corriente de cortocircuito
Imp = Corriente a la potencia máxima
Vmp = Tensión a la potencia máxima
Voc = Tensión de circuito abierto

Las figuras 4 a 7 representan las
salidas de las células solares,
determinadas por diferentes
parámetros.

Corriente de célula solar a diferentes
intensidades luminosas (flujo de
energía)

momentos del día

temperaturas

Las células solares pueden ser
conectadas en paralelo y/ o en serie,
para obtener tensiones más altas y
corrientes mayores.

Si una de las células en una conexión
en serie no es iluminada, actúa como
elemento bloqueante, y toda la matriz (o
“red”) conectada en serie muestra un
corte muy marcado.

La corriente contribuida por esta celda
falta en una conexión en paralelo, pero
el funcionamiento de la matriz no se ve
afectado.

La salida de potencia de las células
solares depende de la intensidad de la
luz solar incidente sobre la célula.

 La célula deberá ser montada
formando un ángulo de inclinación
óptimo, determinado por la latitud
geográfica.

 La dirección de la luz solar deberá ser
perpendicular a la superficie de la célula
solar. La salida también varía con el
momento del día y el mes del año.

FOTORESISTENCIA
Principio de funcionamiento
Las fotorresistencias (LDRs, Light
Dependent Resistors, resistencias
dependientes de la luz) son sensores
resistivos basados en semiconductores
empleados para la medida y detección
de radiación electromagnética.

Una LDR está constituida por un bloque
de material semiconductor sobre el que
puede incidir la radicación y dos
electrodos metálicos en los extremos.

Tipos y construcción
Una LDR típica consiste en una fina

capa semiconductora dispuesta sobre
un sustrato cerámico o plástico. La
película semiconductora describe una
pista en zig-zag con contactos
metálicos en los extremos (figura 2).

La forma de la película sensitiva tiene
por objeto maximizar la superficie de
exposición y al mismo tiempo mantener
un espacio reducido entre los
electrodos para aumentar la
sensibilidad.

Entre los materiales semiconductores
más usados para realizar las LDRs se
encuentran el sulfuro de cadmio (CdS)
y el seleniuro de cadmio (CdSe).

 Estos dos materiales son muy
utilizados, sobre todo en los sensores
fotoconductivos de bajo coste; sin
embargo, se caracterizan por una
respuesta relativamente lenta (su
constante de tiempo es del orden de
50ms).

La tensión máxima que pueden
soportar puede llegar hasta 600 V y hay
modelos capaces de disipar más de un
vatio.

Modelo de la LDR
La relación entre la resistencia de la

LDR y la iluminación L puede
modelarse a partir de la ecuación:

 Lo 
RL  Ro  
 L 

donde L es la iluminación (en lux),  es
una constante que depende del material
(entre 0,7 y 1,5) y RL y Ro son las
resistencias a los niveles de luz L y Lo
respectivamente. La expresión anterior
se representa en la figura 3.

La tabla 1 muestra los valores más
habituales de los parámetros del
modelo junto a otros datos
característicos.

Aplicaciones de la LDR
Las aplicaciones de las LDRs se

centran en la medida de luz (fotometría)
y en la detección de cambios de luz.

Las fotorresistencias son sensores
bastante sensibles, sobre todo con
bajos niveles de iluminación, aunque en
esta zona su dependencia con la
temperatura se hace muy acusada.

 Otro inconveniente es su lentitud de
respuesta ya que presentan constantes
de tiempo del orden de segundos lo que
limita su uso a aplicaciones de baja
frecuencia.

Acondicionamiento de la LDR
El acondicionamiento suele realizarse

mediante un divisor de tensión, (figura
4).

Así, en aplicaciones de medida donde
se busca una respuesta lineal, la
obtención del valor de R puede hacerse
calculando el valor que lleve a la
máxima linealidad en el punto central
del intervalo de medida (puede
aplicarse el método del punto de
inflexión).

Para que exista punto de inflexión debe
cumplirse la condición  > 1 por lo que
deberá tenerse en cuenta a la hora de
elegir la LDR en aplicaciones de
fotometría.

Para el circuito de la figura 4 se obtiene
la tensión de salida:

Haciendo que el punto de inflexión de la
expresión anterior coincida con el
centro de nuestro intervalo de medida,
se obtiene un valor de R dado por:

donde RLC es la resistencia de la LDR
en el punto central del intervalo de
medida. La sensibilidad en ese punto se
calcula como:

En relación con la tensión de
alimentación del divisor, y, debe
llegarse a un compromiso entre
precisión, que lleva a elegir valores
bajos de tensión para evitar el
autocalentamiento y sensibilidad, que
aconsejaría valores grandes.

En general, se considera que el
incremento de temperatura debido al
autocalentamiento debe ser más
pequeño que la precisión deseada en la
medida.

Teniendo en cuenta que el incremento
máximo de temperatura por
autocalentamiento (máxima potencia
aplicada, Pmax) se producirá cuando la
resistencia de la LDR sea igual a la
resistencia fija del divisor, R, calculada
anteriormente, se tiene;

siendo  el coeficiente de disipación y
ΔT el incremento de temperatura
máximo permitido por
autocalentamiento.

FOTODIODO
El dispositivo básico fotosensible de

silicio es un diodo de juntura PN de
polarización invertida, el fotodiodo. La
luz de una longitud de onda
conveniente que incide sobre la juntura
produce pares de electrones-huecos
que son barridos a través de la juntura
por el campo creado en la región
neutra.

Esto causa que circule por el circuito
externo una corriente proporcional a la
irradiación efectiva que incide sobre el
dispositivo. En principio el fotodiodo se
comporta como un generador de
corriente constante, hasta que se
alcanza su tensión de avalancha (figura
1).

Tiene un coeficiente de temperatura
bajo y su tiempo de respuesta está en
la escala de los sub-microsegundos. La
respuesta espectral y la velocidad de
respuesta dependen de la geometría y
las impurezas de la juntura.

Todos los detectores de silicio consisten
de un fotodiodo de juntura y un
amplificador. Los fotodiodos son
generalmente hechos de la misma
pastilla (“chip”) de silicio usada en
difusión de impurezas de la sección
amplificadora.

 La corriente del fotodiodo, en la
mayoría de los dispositivos
comerciales, está en el margen de
menos de 1uA hasta decenas de uA. A
la pastilla puede agregársele un
amplificador, a bajo costo.

El coeficiente de absorción de luz en el
silicio decrece con el aumento de la
longitud de onda. Se producen más
parejas de electrones de vacío cerca de
la superficie del silicio cuando la
longitud de onda de la luz incidente es
menor.

Por lo tanto, el fotodiodo tiene una
respuesta pico para una cierta longitud
de onda, en la cual se produce un
máximo de pares de electrones-huecos
cerca de la juntura de un fototransistor.

La mayoría de la radiación incidente es
absorbida cerca de la superficie del
dispositivo para menores longitudes de
onda, y por eso no penetra dentro de la
juntura. Por lo tanto, la respuesta
espectral del fotodiodo depende
principalmente de la profundidad de la
juntura.

La respuesta espectral de un fotodiodo
de germanio se extiende sobre una
gama mucho más amplia de longitudes
de onda que la de un fotodiodo de
silicio

Las figuras 3 y 4 muestran las
configuraciones del circuito equivalente
y del circuito típico de los fotodiodos.

 eo = (is + in + lo) RL
 is = corriente de la señal = iL . R
 iL = luz de entrada (vatios)
 R = responsividad (amperios/vatios)
 in = corriente de ruido
 lo = corriente de oscuridad (o residual) (CC)
 Cp = capacidad de la juntura ≈ 30 pF
 Rp = resistencia de la juntura ≈ 50M
 Rs = resistencia en serie ≈ 7.5 K
 RL = resistencia de carga (agregada por el usuario)

Fotoconductivo

Fotovoltaico

FOTOTRANSISTOR
Tanto la estructura interna de un

fototransistor como su funcionamiento
son similares a las de un transistor
bipolar salvo que la inyección de la
corriente de base se va a lograr, en el
caso del fototransistor, mediante el
mecanismo fotoeléctrico.

Cuando incide un fotón con suficiente
energía en la zona de transición
constituida entre el colector y la base,
se genera un par electrón-hueco. El
campo eléctrico existente en la zona
separa el par y acelera el electrón hacia
la zona N (el colector) y el hueco hacia
la zona P (la base) constituyendo una
fotocorriente primaria, Ifp (figura 1a).

El mecanismo de generación de esta
fotocorriente es, por tanto, idéntico al de
los fotodiodos.
A partir de aquí, el principio de

funcionamiento es idéntico al de un
transistor bipolar.

En definitiva, la corriente que circula por
el colector es mucho mayor que la
fotocorriente primaria y la relación entre
ambas es la ganancia, T
Ic  T  Ifp
Las curvas características de un
fototransistor (corriente de colector-
tensión colector emisor) son similares a
las de los transistores bipolares salvo
que, en vez de reflejarse en función de
la corriente de base, aparecen en
función de la irradiancia de la luz
incidente.

La ventaja del fototransistor frente al
fotodiodo es la ganancia. Sin embargo,
presenta notables inconvenientes como
la mayor dependencia de la
temperatura, la menor linealidad y,
sobre todo, la escasa reproducibilidad y
el mayor tiempo de respuesta.

Por ello, el fototransistor sólo se suele
emplear para la detección de nivel de
luz como sucede, por ejemplo, en las
aplicaciones digitales.

Para estas aplicaciones, los circuitos de
acondicionamiento habituales son muy
simples (figura 3), trabajándose,
generalmente, entre la situación de
corte (al incidir luz) y saturación
(cuando no incide) o bien en zona
activa cuando se necesita un tiempo de
respuesta más reducido y añadiendo un
comparador para discriminar el nivel.

APLICACIONES DE LOS DETECTORES
OPTICOS Y FOTOSENSIBLES
 Detectores de proximidad
 Detectores de color
 Detectores de humo
 Instrumentación analítica basada en
fluorescencia, absorbancia, colorimetría,
bioluminiscencia
 Sistemas de comunicaciones por fibra óptica
 Optoacopladores

Detectores de proximidad
fotoeléctricos
Los detectores de proximidad ópticos

están compuestos de una fuente de luz
(un LED, generalmente) y un
fotodetector. Existen, comercialmente,
tres tipos fundamentales en función del
modo de detección:

Detectores por reflexión en objeto
(difusos)
el LED y el fotodetector están montados

sobre la misma cabeza de forma que en
presencia de un objeto parte de la luz
procedente del LED se refleja en el
mismo y alcanza al fotodiodo. El
alcance máximo de estos detectores es
de unos 2 metros, aunque lo más
habitual suelen ser algunos
centímetros.

Detectores por reflexión en espejo
un espejo refleja la luz del LED hacia el

fotodetector, que también está situado
en la misma cabeza, constituyéndose
una barrera luminosa. La detección de
un objeto se realiza a partir de la
interrupción de la barrera, El alcance
máximo es de unos 10 metros.

Detectores de barrera
para alcances mayores se sitúa la

fuente de luz y el fotodetector en
extremos opuestos. El alcance puede
llegar hasta los 50 metros con LEDs y
hasta los 200 metros utilizando diodos
láser como fuente luminosa.

Codificadores ópticos (optical
encoders)
Codificadores ópticos incrementales

Codificadores ópticos absolutos

Sensores de color


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