ELECTRÓNICA

• Unas cuantas décadas que han seguido a la introducción del

transistor, hacia finales de los años, cuarenta, han sido
testigo de un cambio asombroso en la industria de la
electrónica. La miniaturización que se ha logrado nos deja
sorprendidos de sus alcances. Sistemas completos aparecen
ahora sobre una oblea de silicio, miles de veces más
pequeña que un solo elemento de las redes iniciales.
Electrónica, campo de la ingeniería y de la física aplicada
relativo al diseño y aplicación de dispositivos, por lo general
circuitos electrónicos, cuyo funcionamiento depende del
flujo de electrones para la generación, transmisión,
recepción y almacenamiento de información. Esta
información puede consistir en voz o música (señales de voz)
en un receptor de radio, en una imagen en una pantalla de
televisión, o en números u otros datos en un ordenador o
computadora.
• Los circuitos electrónicos ofrecen diferentes
funciones para procesar esta información,
incluyendo la amplificación de señales débiles
hasta un nivel utilizable; la generación de
ondas de radio; la extracción de información,
como por ejemplo la recuperación de la señal
de sonido de una onda de radio
(demodulación); el control, como en el caso de
la superposición de una señal de sonido a
ondas de radio (modulación), y operaciones
lógicas, como los procesos electrónicos que
tienen lugar en las computadoras.
 ANTECEDENTES HISTÓRICOS
• La introducción de los tubos de vacío a comienzos del siglo XX
propició el rápido crecimiento de la electrónica moderna. Con
estos dispositivos se hizo posible la manipulación de señales,
algo que no podía realizarse en los antiguos circuitos telegráficos
y telefónicos, ni con los primeros transmisores que utilizaban
chispas de alta tensión para generar ondas de radio. Por
ejemplo, con los tubos de vacío pudieron amplificarse las señales
de radio y de sonido débiles, y además podían superponerse
señales de sonido a las ondas de radio. El desarrollo de una
amplia variedad de tubos, diseñados para funciones
especializadas, posibilitó el rápido avance de la tecnología de
comunicación radial antes de la II Guerra Mundial, y el desarrollo
de las primeras computadoras, durante la guerra y poco después
de ella.
• Hoy día, el transistor, inventado en 1948, ha reemplazado
casi completamente al tubo de vacío en la mayoría de sus
aplicaciones. Al incorporar un conjunto de materiales
semiconductores y contactos eléctricos, el transistor
permite las mismas funciones que el tubo de vacío, pero
con un coste, peso y potencia más bajos, y una mayor
fiabilidad. Los progresos subsiguientes en la tecnología de
semiconductores, atribuible en parte a la intensidad de las
investigaciones asociadas con la iniciativa de exploración del
espacio, llevó al desarrollo, en la década de 1970, del
circuito integrado. Estos dispositivos pueden contener
centenares de miles de transistores en un pequeño trozo de
material, permitiendo la construcción de circuitos
electrónicos complejos, como los de los microordenadores
o microcomputadoras, equipos de sonido y vídeo, y
satélites de comunicaciones.
 EL DIODO IDEAL
• El primer dispositivo electrónico que se presenta es el que
se denomina diodo, el más sencillo de los dispositivos
semiconductores, pero que desempeña un papel muy
importante en los sistemas electrónicos. Con sus
características, que son muy similares a las de un
interruptor sencillo, aparece en una amplia variedad de
aplicaciones, que van desde las más sencillas a las más
complejas. Además de los detalles de su construcción y
características, los datos y gráficas importantes se
encontrarán en las hojas de especificaciones y también se
estudiarán con objeto de asegurar una comprensión de la
terminología que se utiliza, aparte de demostrar la riqueza
de la información que los fabricantes suelen proporcionar.
• Antes de analizar la construcción y las características
de un dispositivo real, primero se considerará el
dispositivo ideal para ofrecer una base de
comparación. El diodo ideal es un dispositivo con dos
terminales. que tiene el símbolo y características que
se muestran en la figura, respectivamente.
• De manera ideal, un diodo conducirá corriente en la
dirección que define la flecha en el símbolo, y actuará
como un circuito abierto en cualquier intento por
establecer corriente en dirección opuesta. En esencia:
• Las características de un diodo ideal son aquellas de un
interruptor que puede conducir comente en una sola
dirección.
• Uno de los parámetros importantes para el
diodo es la resistencia en el punto o la región de
operación. Si se considera la región de
conducción definida por la dirección de ID y
polaridad de VD en la figura 1.1a (el cuadrante
superior derecho de la figura l.lb), se deduce que
el valor de la resistencia directa, Rp según lo
define la ley de Ohm, es
• Si ahora se considera la región de potencial
negativo aplicado (tercer cuadrante)
CURVAS CARACTERISTICAS Y RECTAS
DE CARGA.
 RESISTENCIA EN DC O ESTÁTICA

La aplicación de un voltaje dc a un circuito que contiene un

diodo semiconductor tendrá por resultado un punto de
operación sobre la curva característica que no cambiará con el
tiempo. La resistencia del diodo en el punto de operación puede
encontrarse con sólo localizar los niveles correspondientes de
VD e ID
EJERCICIOS
Sin polarización aplicada (V = 0 V)
 Condición de polarización en inversa
(VD<0 V)
La corriente en condiciones de polarización en
inversa se llama corriente de saturación en
inversa y está representada por Is.
Condición de polarización en directa
(VD>0 V)
CARACTERÍSTICA DEL DIODO
SEMICONDUCTOR DE SI
CURVA PARA EJERCICIOS
 EJERCICIOS
• a. Determine el voltaje a través de cada diodo con
una corriente de 1 mA.
• b. Repita con una corriente de 4 mA.
• c. Repita con una corriente de 30 mA.
• d. Determine el valor promedio del voltaje en el
diodo para el intervalo de corrientes antes dadas.
• e. ¿Cómo se comparan los valores promedio con
los voltajes de rodilla que aparecen en la
• tabla 1.3?
 SOLUCIÓN
• a. VD(Ge) 0.2 V, VD(Si) 0.6 V, VD (GaAs) 1.1 V
• b. VD(Ge) 0.3 V, VD(Si) 0.7 V, VD (GaAs) 1.2 V
• c. VD(Ge) 0.42 V, VD(Si) 0.82 V, VD (GaAs) 1.33
V
• d. Ge: Vav (0.2 V 0.3 V 0.42 V)/3 0.307 V
• Si: Vav (0.6 V 0.7 V 0.82 V)/3 0.707 V
• GaAs: Vav (1.1 V 1.2 V 1.33 V)/3 1.21 V
• e. Muy parecidos: Ge: 0.307 V vs. 0.3 V, Si: 0.707
V vs. 0.7 V, GaAs: 1.21 V vs. 1.2 V.
CURVAS DE LOS DIODOS POR
TEMPERATURA
ANÁLISIS POR MEDIO DE LA RECTA DE
CARGA
 EJERCICIOS
• Para la configuración del diodo en serie de la
figura a, que emplea las características de la
gráfico b, determine:
• Repita el ejercicio 1 utilizando el modelo
equivalente aproximado del diodo
semiconductor de silicio.
• Utilizando el modelo de diodo ideal
 EJERCICIOS
• Supóngase que los diodos de la figura son ideales.
Trazar las características salida entrada, indicando
todas las pendientes y niveles de tensión. Indicar
cuales diodos conducen en cada región.
• Observando la figura, la tensión en el punto A
es igual para ambos diodo, para que conduzca
D1 la tensión en A debe ser superior a 5V, y
para que conduzca D2, tiene que ser la tensión
en A inferior a –5V, luego ambos diodos no
pueden conducir a la vez.
• Supongamos en primer lugar que conduce D1,
tendremos el siguiente circuito:
 Rectificador de media onda

• El rectificador de media onda es un circuito

empleado para eliminar la parte negativa o
positiva de una señal de corriente alterna de
lleno conducen cuando se polarizan
inversamente. Además su voltaje es positivo.
• Polarización directa (Vi > 0)
En este caso, el diodo permite el paso de la
corriente sin restricción. Los voltajes de salida y de
entrada son iguales, la intensidad de la corriente
puede calcularse mediante la ley de ohms.
Polarización inversa (Vi < 0)
• En este caso, el diodo no conduce, quedando el
circuito abierto. No existe corriente por el
circuito, y en la resistencia de carga RL no hay
caída de tensión, esto supone que toda la tensión
de entrada estará en los extremos del diodo:1
• Vo = 0
• Vdiodo = Vi
• I=0
TENSIÓN RECTIFICADA
 Rectificador de onda completa
• Un rectificador de onda completa es un circuito
empleado para convertir una señal de corriente
alterna de entrada (Vi) en corriente continua de
salida (Vo) pulsante. A diferencia del rectificador
de media onda, en este caso, la parte negativa de
la señal se convierte en positiva o bien la parte
positiva de la señal se convertirá en negativa,
según se necesite una señal positiva o negativa
de corriente continua.
• Existen dos alternativas, bien empleando dos
diodos o empleando cuatro (puente de Graetz).
Rectificador con dos
diodos
• En el circuito de la figura, ambos diodos no
pueden encontrarse simultáneamente en
directa o en inversa, ya que las diferencias de
potencial a las que están sometidos son de
signo contrario; por tanto uno se encontrará
polarizado inversamente y el otro
directamente. La tensión de entrada (Vi) es,
en este caso, la media de la tensión del
secundario del transformador.
Tensión de entrada
positiva

• El diodo 1 se encuentra en polarización

directa(conduce), mientras que el 2 se
encuentra en inversa (no conduce). La tensión
de salida es igual a la de entrada.Nota:los
diodos en posición directa conducen altas
corrientes,en posición inversa alta tensiones.
Tensión de entrada
negativa

• El diodo 2 se encuentra en polarización directa

(conduce), mientras que el diodo 1 se
encuentra en polarización inversa (no
conduce). La tensión de salida es igual a la de
entrada pero de signo contrario. El diodo 1 ha
de soportar en inversa la tensión máxima del
secundario .
Puente de Graetz o Puente
Rectificador de doble onda
• En este caso se emplean cuatro diodos con la disposición
de la figura. Al igual que antes, sólo son posibles dos
estados de conducción, o bien los diodos 1 y 3 están en
directa y conducen (tensión positiva) o por el contrario son
los diodos 2 y 4 los que se encuentran en directa y
conducen (tensión negativa).
• A diferencia del caso anterior, ahora la tensión máxima de
salida es la del secundario del transformador (el doble de la
del caso anterior), la misma que han de soportar los diodos
en inversa, al igual que en el rectificador con dos diodos.
Esta es la configuración usualmente empleada para la
obtención de onda continua.
Tensión rectificada

• Vo (corriente continua de salida) = Vi ( corriente alterna de entrada) = Vs/2

en el rectificador con diodos.
• Vo = Vi = Vs en el rectificador con puente de Graetz.
• Si consideramos la caída de tensión típica en los diodos en conducción,
aproximadamente 0,6V; tendremos que para el caso del rectificador de
doble onda la Vo = Vi - 1,2V.
 Diodo Zener
• El diodo Zener es un diodo de silicio fuertemente
dopado1 que se ha construido para que funcione en las
zonas de rupturas, recibe ese nombre por su inventor,
el Dr. Clarence Melvin Zener. El diodo Zener es la parte
esencial de los reguladores de tensión casi constantes
con independencia de que se presenten grandes
variaciones de la tensión de red, de la resistencia de
carga y temperatura.
• Son mal llamados a veces diodos de avalancha, pues
presentan comportamientos similares a estos, pero los
mecanismos involucrados son diferentes. Además si el
voltaje de la fuente es inferior a la del diodo éste no
puede hacer su regulación característica.
Características

• Si a un diodo Zener se le aplica una tensión eléctrica

positiva del ánodo respecto a negativa en el cátodo
(polarización directa) toma las características de un
diodo rectificador básico (la mayoría de casos), pero si
se le suministra tensión eléctrica positiva de cátodo a
negativa en el ánodo (polarización inversa), el diodo
mantendrá una tensión constante. No actúa como
rectificador sino como un estabilizador de tensión.
• En conclusión: el diodo Zener debe ser polarizado
inversamente para que adopte su característica de
regulador de tensión. En la siguiente figura se observa
un circuito típico de su uso como regulador de tensión:
• Variando la tensión V a valores mayores que la
tensión de ruptura del zener, Vz se mantiene
constante.
• Su símbolo es como el de un diodo normal
pero tiene dos terminales a los lados. Se
deberá tener presente, que el diodo zener al
igual que cualquier dispositivo electrónico,
tiene limitaciones y una de ellas es la
disipación de potencia, si no se toman en
consideración sus parámetros, el componente
se quema.
Diodo Zener
 TRANSISTORES
• Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947, la industria
de la electrónica registró la aparición de un nuevo
campo de interés y desarrollo. Fue esa tarde cuando
Walter H. Brattain y Joseph Bardeen demostraron la
acción amplificadora del primer transistor en la
compañía Bell Telephone Laboratories. El transistor
original (un transistor de punto de contacto) se
muestra en la figura 3.1. Las ventajas de este
dispositivo de estado sólido de tres terminales
respecto al bulbo se manifestaron de inmediato: era
más pequeño y ligero, no tenía requerimientos de
calentamiento o disipación de calor.
CONSTRUCCIÓN DE TRANSISTORES
• El transistor es un dispositivo semiconductor
de tres capas que consiste de dos capas de
material tipo n y una capa tipo p, o bien, de
dos capas de material tipo p y una tipo n. Al
primero se le llama transistor npn, en tanto
que al segundo transistor pnp.
OPERACIÓN DEL TRANSISTOR
CONFIGURACIÓN DE BASE COMÚN
VCB sobre la corriente del colector para la región
activa. Las curvas indican con claridad que una
primera aproximación a la relación entre Ie e Ic
en la región activa está especificada por.
IC=IE
En la región de corte, tanto la unión base-
colector como la unión emisor-base de un
transistor tienen polarización inversa.
VCE = O V.
• Para los propósitos de análisis de este texto,
el modelo equivalente de la figura 3,lOc se
utilizará para todos los análisis en dc de redes
de transistores. Es decir, una vez que el
transistor se encuentre en estado
"encendido", se supondrá que el voltaje base-
emisor es el siguiente:
VBE = 0.7 V
Alfa ()
CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN
Para que el BJT esté polarizado en su región lineal o de operación activa,
los siguientes puntos deben resultar exactos:
1 . La unión base-emisor debe tener una polarización directa (voltaje de la
región p más positivo) con un voltaje de polarización directa resultante de
aproximadamente 0.6 a 0.7 V.
2. La unión base-colector debe tener una polarización inversa (voltaje de la
región n más positivo) con un voltaje de polarización inversa resultante de
cualquier valor dentro de los límites máximos del dispositivo.
PUNTO DE OPERACIÓN
• La operación en las regiones de corte, saturación y
lineal de las características del BJT se ofrecen de la
siguiente manera:
1. Operación en la región lineal: Unión base-emisor
con polarización directa Unión base-colector con
polarización inversa
2. Operación en la región de corte: Unión base-
emisor con polarización inversa
3. Operación en la región de saturación: Unión base-
emisor con polarización directa Unión base-colector
con polarización directa
CIRCUITO DE POLARIZACIÓN FIJA
Polarización directa base-emisor