Universidad Tecnológica Metropolitana

Facultad de Ciencias Naturales, Matemáticas y del Medio Ambiente

Departamento de Química
Química Industrial
Química y Tecnología de los Materiales
Profesor: Dr. Claudio Jiménez Valenzuela

Semiconductores de tipo N

Jennifer Gatica Fica

Javiera Montecino Morales
 Índice
o Introducción _____________________________ 3
o Historia _________________________________4
o Semiconductores _________________________ 5
o Semiconductores tipo N ____________________6
o Proceso de obtención ______________________10
o Técnicas de caracterización _________________ 13
o Aplicaciones generales _____________________14
o Transistor de punta de contacto _____________ 15
o Bibliografía ______________________________ 16
Introducción
Los semiconductores son materiales considerados los mas promisorios, ya que estos hacen parte
activa para el desarrollo de dispositivos, tales como: electrónicos y opto-electrónicos, entre
otros, los cuales son indispensables en el avance tecnológico universal, tales como en el campo
de las telecomunicaciones, la computación y en general en áreas donde se requieren de
dispositivos de alto rendimiento.
Historia
Con el auge de los semiconductores la tecnología logró dar el salto miniaturizado que caracterizó la segunda
mitad del siglo XX, pero el descubrimiento en sí se remota a la mitad del siglo XIX.
Se podría decir que la primera vez que se documentó un fenómeno semiconductor fue cuando en
1833 Michael Faraday experimentó con Sulfuro de Plata, descubriendo que tiene un coeficiente de
temperatura negativo.
El descubrimiento de Faraday durmió por más de 80 años hasta que en 1923 el suizo Walter H.
Schottky publicó su Teoría de los Rectificadores Secos, en donde por primera vez se plantea el uso de
semiconductores para dispositivos electrónicos.
Semiconductores
Se llaman así, porque bajo ciertas condiciones tienen características de conductores, y bajo otras
condiciones se compartan como aislantes, son útiles cuando se quieres interferir en las
características del circuito en base a ciertos estímulos.
Los materiales semiconductores más conocidos son: Silicio (Si) y Germanio (Ge), los cuales
poseen cuatro electrones de valencia en su último nivel. Por otra parte, hay que decir que tales
materiales forman también estructura cristalina.
Hay que destacar que, para añadir energía al material semiconductor, además de calor, también
se puede emplear luz.
Semiconductores tipo N
La adición de impurezas pentavalentes como
el antimonio, arsénico, o fósforo, aportan
electrones libres, aumentando
considerablemente la conductividad del
semiconductor extrínseco. El fósforo se puede
añadir por difusión del gas fosfina.
Bandas en semiconductores dopados
La aplicación de la teoría de bandas a los semiconductores de tipo n y de tipo p muestra que los
niveles adicionales se han añadido por las impurezas. En el material de tipo n hay electrones con
niveles de energía cerca de la parte superior de la banda prohibida, de modo que pueden ser
fácilmente excitados hacia la banda de conducción.
Diagrama de flujo

Semiconductores

Silicio

Semiconductores Semiconductores Semiconductores

Extrínsecos dopados Tipo N

Germanio
Características
Si la estructura cristalina de uno de esos
elementos semiconductores la dopamos
añadiéndole una pequeña cantidad de
impurezas provenientes de átomos de un
metaloide, como el antimonio, estos átomos
se integraran a la estructura del silicio o de
germanio, mientras que el quinto electrón
restante del antimonio, al quedar liberado,
se podrá mover libremente dentro de toda la
estructura cristalina. De esa forma se crea un
semiconductor extrínseco tipo N.
Proceso de obtención
El primer paso en la fabricación de un dispositivo semiconductor es obtener materiales
semiconductores, como germanio y silicio, del nivel de impurezas deseado.
La materia prima se somete primero a una serie de reacciones químicas y a un proceso de
refinación de zona para formar un cristal poli cristalino.
La operación final antes de que la fabricación del semiconductor se lleve a cabo es la formación
de un solo cristal de germanio o silicio. Esto se puede lograr usando la técnica de Czochralski o la
de zona flotante.
Proceso de obtención
a) Método de Czochraiski:
Este método es utilizado para la
obtención de silicio monocristalino
mediante un cristal semilla
depositado por un baño de silicio. Es
de amplio uso en la
industria eléctronica para la
obtención de wafers u obleas,
destinadas a la fabricación
de transistores y circuitos
integrados.
Proceso de obtención
b) Método de zona flotante:
El proceso parte de un cilindro de silicio
policristalino.
Se sostiene verticalmente y se conecta uno de sus
extremos a la semilla.
Una pequeña zona del cristal se funde mediante un
calentador por radio frecuencia que se desplaza a lo
largo de todo el cristal desde la semilla.
 El Si fundido es retenido por la tensión superficial
entre ambas caras del Si sólido.
Cuando la zona flotante se desplaza hacia arriba, el
silicio monocristalino se solidifica en el extremo
inferior de la zona flotante y crece como una
extensión de la semilla.
Técnicas de caracterización
LBIC (Light Beam Induced Current): sirve para estudiar la corriente que sale de las obleas de
silicio.
Efecto Hall (Técnica de las cuatro puntas)
 difusión o implantación iónica.
 oxidación y deposición de película .
 Litografía, etching y fotorresistencia, y deposición.
Aplicaciones generales
Diodos: Al unir un semiconductor N con otro P se produce un fenómeno de difusión de cargas
en la zona de contacto, que crea una barrera de potencial que impide a los demás electrones de
la zona N saturar los restantes huecos positivos de la zona.
Amplificar señales de corriente eléctrica.
Transistores de unión bipolar: interruptores o amplificadores que funcionan en unidades de
procesamiento central de computadoras.
Transistores de efecto de campo: se utilizan para almacenar la información (memoria de los
computadores)
Termistores: sensores de temperatura.
Transistor de punta de contacto
El transistor tiene tres partes, como el triodo. Una que emite
electrones (emisor), otra que los recibe o recolecta (colector) y otra
con la que se modula el paso de dichos electrones (base). Una
pequeña señal eléctrica aplicada entre la base y el emisor modula la
corriente que circula entre emisor y receptor.
La señal base-emisor puede ser muy pequeña en comparación con
la emisor-receptor. La señal emisor-receptor es aproximadamente la
misma que la base-emisor pero amplificada. El transistor se utiliza,
por tanto, como amplificador.
Además, todo amplificador oscila; así que puede usarse como
oscilador y también como rectificador y como conmutador on-off. El
transistor también funciona por tanto como un interruptor
electrónico, siendo esta propiedad aplicada en la electrónica en el
diseño de algunos tipos de memorias y de otros circuitos como
controladores de motores de Corriente directa y de pasos.
Bibliografía y Linkografía
Referencias
oPrincipios de la electrónica. Malvino , Albert paul .México McGraw-Hill 1987. 2a ed. en español.
o Electrónica: teoría de circuito. Boylestad, Robert, Nashelsky, Louis. México Prentice-Hall
Hispanoamericana c1994. 3a ed .

Linkografía
o www.kalipedia.com/tecnologia/tema/electronica/teoria-bandas....
o www.arqhys.com/construccion/semiconductores-propiedades.html
o www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_9.htm
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