Dispositivos semiconductores

Introducción
 Introducción
Capítulo 1 – Propiedades cristalinas y crecimiento
de semiconductores
1.1 (Introducción)
Los dispositivos electrónicos de estado sólido son la base de toda
la electrónica y la optoelectrónica

• Electrónica: Diodos, transistores, amplificadores, memorias,

microchips, etc...
 Teléfonos, computadores, tablets, GPS, electrodomésticos,
etc...
 Introducción
• Optoelectrónica: LEDs, láseres, fotodetectores, celdas solares,
etc...

Estamos interesados en entender el comportamiento físico de

estos dispositivos
Comportamiento eléctrico!
Introducción
• Ingresos anuales de la industria de
semiconductores
Introducción

Aislante, semiconductor y metales.

Introducción
Introducción
Compuestos III-V: AlP, AlAs, GaN, GaAs-> Empleados
en láseres, LEDs y fotodetectores. También en
algunos transistores de alta frecuencia

Compuestos II-VI: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdTe-> Empleados como

materiales fluorescentes y detectores de luz

Las propiedades ópticas y electrónicas de los semiconductores

son afectadas fuertemente por impurezas, que pueden ser
añadidas en cantidades
controladas.
Tabla resumen
Estructuras físicas
1.2 (Redes cristalinas)
El arreglo de átomos en un semiconductor está dispuesto como
un cristal.

1.2.1 (Estructuras periódicas)

En un sólido cristalino, los átomos son arreglados en una
disposición periódica.
Estructuras físicas

1.2.2 (Redes cúbicas)

El arreglo de átomos en un semiconductor está dispuesto como
un cristal.
Estructuras físicas

1.2.4 (La red de diamante)

La estructura cristalina básica para varios semiconductores
importantes es la red fcc (face-centered cubic) con átomos
adicionales desplazados.

En el caso de Si, Ge y C (diamante) tenemos la estructura de

diamante.

Para los semiconductores compuestos, los átomos son arreglados

en la misma configuración del diamante, pero en ubicaciones
alternas. Esta estructura es llamada “Zinc blende”.
 Estructuras físicas
La estructura de diamante es hecha de una celda fcc con un átomo
adicional ubicado a a/4 + b/4 + c/4

Sólo cuatro átomos desplazados se ubican dentro de la misma

celda. Los otros son de celdas vecinas.

La fcc original es superpuesta con otra fcc desplazada por

(1/4, 1/4, 1/4).
Estructuras físicas
 Introducción

Un otro punto interesante y práctico de los elementos III-V es que

es posible cambiar la mezcla de elementos en cada red fcc alterna.
Por ejemplo en el compuesto ternario AlGaAs, se puede cambiar
la composición de los elementos Al y Ga en la red correspondiente a
la columna III.

AlxGa1-xAs -> proporción de Al: x

proporción de Ga: 1-x

P. ej. Al0.3Ga0.7As (30% Al, 70% Ga) red a: Al0.3Ga0.7

red b: As
Introducción
Los casos extremos (x = 0) -> GaAs
(x = 1)= -> AlAs
Cambiando la proporción genera propiedades ópticas y eléctricas
distintas.

Crecimiento de cristales “bulk” (1.3)

Los cristales que son ocupados para la fabricación de dispositivos
semiconductores deben poseer un grado de pureza muy elevado.
Por ejemplo Si, ocupado en dispositivos electrónicos, es el
material más puro que se conoce. °

Materiales iniciales (1.3.1)

La materia-prima para el cristal de Si es el dióxido de silicio (SiO2)

SiO2 + 2C -> Si + 2CO (@ 1800 °C)

Introducción
Crecimiento de lingotes monocristal (1.3.2)
El Si producido en la etapa anterior es policristalino. El método
para convertirlo en lingotes monocristal es llamado método de
Czochralski.
Introducción

Del lingote se cortan los “wafers” de Si. El wafer final es

prácticamente libre de impurezas. La adición de impurezas de
forma controlada, con el objectivo de cambiar propiedades
eléctricas y ópticas, es llamada dopaje.
 Introducción

Crecimiento epitaxial (1.4)

El método epitaxial permite el crecimiento de capas muy delgadas
(una capa atómica de espesor). Es esencial en el diseño y
fabricación de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos.

Las capas son hechas encima de un sustrato (wafer) que puede ser
del mismo material de las capas. Las capas pueden tener
niveles de dopajes distintos.