CAPITULO 1

INTRODUCCIÓN
CAPITULO 1 2/3
1.3 CARACTERÍSTICAS DE CONTROL DE LOS DISPOSITIVOS
DE POTENCIA
Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden clasificar con
base en:
• Cerrado y abertura no controlado (por ejemplo, diodo).
• Cerrado controlado y abertura no controlado ( SCR).
• Características controladas de cerrado y abertura (BJT, MOSFET, GTO,
SITH, IGBT, SIT, MCT).
• Necesidad de señal continua en compuerta (BJT, MOSFET, IGBT, SIT).
• Necesidad de impulso en compuerta (SCR, GTO, MCT).
• Capacidad de resistencia a voltaje bipolar (SCR, GTO).
• Capacidad de corriente bidireccional (TRIAC, RCT).
• Capacidad de corriente unidireccional (SCR, GTO ,BJT, OSFET, MCT , IGBT,
SITH, diodo).
1.4 CARACTERISTICAS Y ESPECIFICACIONES DE LOS
INTERRUPTORES
La motivación del desarrollo de todo dispositivo nuevo es lograr las
características de un “superdispositivo”, es decir que tenga características
ideales.
1.4.1 Características Ideales
Algunas características ideales de un interruptor son las siguientes:
• En el estado cerrado, cuando el interruptor esta cerrado, debe tener a)
la capacidad de conducir una gran corriente directa, que tienda al
infinito; b) una caída de voltaje baja en estado cerrado, que tienda a cero
y c) una baja resistencia en estado cerrado que tienda a cero.
• Debe tener dv/dt grande, que tienda a infinito, Esto es, el interruptor
debe ser capaz de manejar cambios rápidos de voltaje a través de el.
• Durante el proceso de cerrado y abertura, se debe cerrar y abrir en
forma instantánea, de modo que pueda funcionar con altas frecuencias.
Así, debe tener a) tiempo corto de demora, que tienda a cero; b) tiempo
corto de subida, que tienda a cero; c) tiempo corto de almacenamiento
que tienda a cero y d) tiempo corto de caída, que tienda a cero.
• Debe de tener di/dt grande, que tienda al infinito. Esto es, el interruptor
debe ser capaz de manejar un aumento rápido de la corriente que lo
atraviesa.
• Requiere impedancia térmica muy pequeña entre la unión interna y
temperatura ambiente, que tienda a cero, para poder transmitir con
facilidad calor al ambiente.
• Es muy importante que su precio sea bajo para construir equipos
electrónicos de potencia de bajo costo.
1.4.2 CARACTERÍSTICAS DE LOS DISPOSITIVOS PRÁCTICOS.
Durante el proceso de cerrado y abertura, un dispositivo practico de
conmutación, requiere un tiempo de demora, un tiempo de subida,
tiempo de almacenamiento y tiempo de bajada finitos.
El tiempo de cerrado de un dispositivo es la suma del tiempo de retardo y
el tiempo de subida, mientras que el tiempo de abertura de un dispositivo,
es la suma del tiempo de almacenamiento y del tiempo de bajada. En
contraste con un interruptor ideal sin pérdidas, un dispositivo practico de
interrupción disipa algo de energía al conducir y al conmutar.

La perdida promedio de potencia en la conducción, se determina con:

Ts= periodo de conducción
P= perdida instantánea de potencia

La perdida de potencia por conmutación que resulta, Psw, durante los

periodos de cerrado y abertura se determina con:

Fs= 1/Ts = frecuencia de conmutación.

La disipación de potencia en un dispositivo de conmutación
PG= potencia sede
de activación determina
la
con: compuerta
1.4.3 Especificaciones de interruptor
Los fabricantes de los dispositivos suministran hojas de datos que
describen los parámetros y las capacidades de sus productos. Hay
parámetros importantes como son:
• Capacidades de voltaje
• Capacidades de corriente
• Velocidad o frecuencia de interrupción

• Capacidad de di/dt
• Capacidad de dv/dt
• Pérdidas por conmutación
• Requisitos de activación de compuerta
• Área de operación segura
• Temperaturas
• Resistencia Térmica
1.4.4 OPCIONES DE DISPOSITIVOS
Para aplicaciones de alta potencia en al red de 50 a 60 Hz, los tiristores de
control de fase y los bidireccionales son los opciones más económicas. Los
COOLMOS y lo IGBT son los reemplazos potenciales de MOSFET Y BJT,
respectivamente, en aplicaciones en potencias intermedias. Los GTO y los
IGCT son mas adecuados para aplicaciones de gran potencia donde se
requiera una conmutación forzada.