Las movilidades de huecos y electrones no son constantes, sino que varían de acuerdo al dopaje de la muestra de

Silicio. Intuitivamente, puede razonarse que cuanto mayor sea la concentración de impurezas en el material, mayor
será la probabilidad de que un electrón/hueco interactúe con la red cristalina produciendo colisiones. Es por ello
que el dopado neto de la muestra ocasiona una reducción de la movilidad de los portadores (ver Fig.).
 Figura : Volumen de referencia y conducción de portadores por arrastre: a) huecos; b) electrones.

Para calcular la densidad de corriente de arrastre, se debe analizar la variación de la carga con
respecto al tiempo (i = dQ/dt), ante la presencia de un campo eléctrico.
J= Densidad de corriente
ρ= Resistividad
 Figura : Difusión de portadores con un gradiente no nulo de
concentración.
Para el análisis, se considera una concentración con un gradiente no nulo y un plano de referencia a través del cual
pasaran los portadores. Se considera, por simplicidad, que el movimiento de portadores sucede solo en el eje x. A cada
lado del plano de referencia, se analiza una región de sección transversal A y de longitud x, tal como se ilustra en la Fig.
Fig. Difusión de huecos y corrientes resultantes. Figura : Difusión de electrones y corrientes resultantes.
FIN