INSTITUTO TECNOLÓGICO DE LÁZARO

CÁRDENAS
PROCESOS METALÚRGICOS I

DOCENTE: M.C.T.C AUGUSTO CONCEPCIÓN

VALADES

REFINACIÓN POR ZONAS

INTEGRANTES:
• NÚÑEZ BELTRÁN LÚCIA 14560096
• OROZCO ROMERO JENIFER 14560112
• ALVARES AGUILAR LETICIA

C.d y Puerto Lázaro Cárdenas, Michoacán a 16 de octubre

del 2018
 PURIFICACIÓN POR ZONAS

 Este método, también llamado afino por zonas, se usa para

obtener metales con alto grado de pureza, como puede ser el
caso del silicio que se usa en la fabricación de semiconductores.
 Para lo cual se realiza un sistema de calefacción eléctrica a través
de inducción que se encuentre rodeado por una barra de metal
en bruto. Cuando el sistema se desplaza a lo largo de la barra, el
metal en sí se funde, disolviéndose en él la gran parte de las
impurezas. La zona que se funde, es más soluble en el fundido que
un metal sólido, va pasando y arrastrándolas a lo largo de toda la
barra. Cuando la zona que está fundida llega al final de la barra,
se condensa al enfriarse, y se corta. La repetición del
procedimiento varias ocaciones llevará a alcanzar un metal con
una pureza superior del 99.99%.
 PROCESO

 Lo primero que se debe de hacer para fabricar cualquier dispositivo

semiconductor es la obtención de los materiales semiconductores con
el nivel de pureza deseado. Las materias primas tanto como las del
dióxido de silicio y el dióxido de germanio (que son las más utilizadas)
se someten a procesos químicos y de fundición para obtener silicio y
germanio. Los átomos de estos cristales se encuentran desordenados
(material policristalino). Para que se logre una purificación mayor y un
ordenamiento de los cristales, se someten al proceso del cual les
estamos hablando (Refinación por Zonas) o también conocido como
Método de Bridgman. En la figura se muestra el aparato o dispositivo
con el cual se logra la purificación y ordenamiento del cristal.
 Este sistema está formado por un recipiente (bote) largo y angosto
hecho de material de cuarzo o de grafito para que exista una
contaminación mínima, además de un contenedor de cuarzo en forma
de tubo y un grupo de bobinas de inducción de RF (radio frecuencia).
Existen dos formas para fundir el material que se encuentra en el interior;
una es que las bobinas se muevan a lo largo del contenedor o en otro
caso sea el recipiente el que se mueve. El resultado es el mismo en
cualquiera de los dos casos, el fin es fundir una pequeña porción del
lingote y hacer un desplazamiento de la zona fundida continuamente a
todo lo largo del lingote, de un extremo al otro; aunque para este
ejemplo, son las bobinas las que se mueven.
 Para un mayor grado de purificación, al interior del contenedor se le
aplica un vacío para reducir la posibilidad de contaminación.
 El material que va ser purificado se coloca en el recipiente (bote). En
un extremo se coloca una pequeña “semilla”, que es una pequeña
muestra monocristalina con el patrón deseado de los átomos (como
alguna de las redes de Bravais) y se colocan las bobinas en el mismo
extremo de la semilla. Posteriormente se le aplica a la bobina la señal
de radio frecuencia la cuál, inducirá un flujo de carga en el lingote o
barra. La magnitud de estas corrientes aumenta hasta que se
desarrolla una cantidad de calor suficiente para fundir esa región del
material semiconductor así, las impurezas en el lingote pasarán a un
estado líquido.
 Al mover en forma transversal las bobinas de radio frecuencia, se va
creando un material fundido que al irse enfriando, los átomos adoptan
un patrón de red similar al de la semilla.
 Conforme la zona fundida va pasando lentamente a través de la barra
sólida, la mayor parte de los átomos de impureza en el fundido son
rechazados por el sólido en la interfaz, en donde la región que está
fundida se solidifica para volver a formar una barra sólida. Cuando la
zona fundida pasa a través del lingote largo, los átomos de las
impurezas se van acumulando (recogiendo) en el líquido y al final se
acumulan solamente en el extremo del lingote cuando la última parte
de la zona fundida se solidifica finalmente; osea, las bobinas de
inducción ya han alcanzado el extremo de la barra.

 Esta parte del lingote contiene casi todas las impurezas y entonces se
corta, y se repite el proceso completo hasta que se haya logrado el
nivel de impurezas que se desea.
DESVENTAJAS

 Una desventaja que presenta este método, es el contacto del

material fundido con las paredes del crisol; la interferencia
resultante de la pared del crisol introduce tensiones durante la
solidificación y forma desviaciones en la estructura reticular de los
átomos, por lo que el arreglo periódico de los átomos no es de
todo perfecto.
 BIBLIOGRAFÍA
 https://es.slideshare.net/eriol_yue/proceso-de-refinacin-por-zonas
 https://prezi.com/brgdp9nlhxd7/purificacion-de-metales/?webgl=0
 https://es.wikipedia.org/wiki/Fusi%C3%B3n_por_zonas
 https://vdocuments.mx/proceso-de-refinacion-por-zonas-
55cb7dc98f300.html