Unidade 1a

Diodos Semicondutores (parte 1)

1
Fundamentos de Física de Semicondutores

2
Estrutura Atômica e Ligações Químicas

3
Materiais e Condutividade

4
 Condutor

Isolante

Semicondutor

5
6
Condutividade em Materiais Semicondutores

7
Estruturas atômicas: Germânio e Silício

Ge Z = 32

Si

Z = 14
8
Estrutura cristalina do semicondutor intrínseco
Intrínseco = material purificado mas ainda sem a dopagem.

9
Condutividade em semicondutores intrínsecos

10
 Dopagem
- Inserção proposital de impurezas no semicondutor
intrínseco, com o fim de obter o semicondutor extrínseco.

11
Semicondutor tipo N

12
 Semicondutor tipo N
- Elétron é portador majoritário e lacuna o portador
minoritário.
- Íons doadores: perdem o 5º elétron da última camada.

13
Semicondutor tipo P

(lacuna)

14
 Semicondutor tipo P
- Lacuna é portador majoritário e elétron o portador
minoritário.
- Íons aceitadores: ganham 1 elétron para a última
camada

15
 Níveis de Energia dos Elétrons de um Átomo

Nível de condução (elétron fora do átomo)

Nível de valência (camada mais externa)

Segundo Nível (próxima camada interna)

Terceiro Nível ...

Núcleo do átomo

Eg : gap de energia (diferença de energia entre 2 níveis vizinhos)

16
 Eg entre os níveis de valência e de condução

Isolantes Semicondutores Condutores

Intrínsecos
17
 Redução de Eg em semicondutores dopados

Eg com dopagem

Eg sem dopagem

1,1eV (Si) ou
0,67 eV (Ge) Semicondutores
Extrínsecos (N ou P)

18
Formação do Diodo: junção P-N

“Corte”

Equilíbrio final Troca de lacunas e elé-

trons entre blocos P e N
(difusão).
( Depleção )

Recombinação de elétrons e
lacunas próximos à junção.

• Cargas descobertas:
íons fixos no cristal.

19
 Tensão de Barreira em junções P-N ( VB )

• Silício: VB = 0,7 V
• Germânio: VB = 0,3 V

VB também é chamado tensão de limiar (em inglês, VT )

20
Representação e encapsulamentos do Diodo

21
 Polarização Direta (tensão aplicada: V )

Quando V não é suficiente Quando V é maior que VB:

para vencer a barreira VB :
• Não existe corrente direta.
• Existe minúscula corrente
reversa.
• Largura da depleção diminui.
• Diodo em condução (existe a
corrente direta).
22
Polarização Reversa

• Aumenta o valor de VB.

• Largura da depleção aumenta.
• Diodo bloqueia o fluxo de
corrente.

23
Curva Característica do Diodo (exemplo 1)

Curva
Característica de
um diodo de
Silício na região de
condução.

• Para Vd> 0,7V:

gráfico parece com
resistor de baixíssima
resistência.

24
Curva Característica do Diodo (exemplo 2)

Curva Característica
de um diodo de
Silício na região de
bloqueio.

• Corrente de fuga
satura no valor de 1μA
negativo.

25
Curva Característica
do Diodo
(exemplo 3)

Visualização das duas

regiões: bloqueio e
condução.

26
Equação da Curva Característica

27
 Teste de Diodos

Diodo em boa condição:

ohmímetro deve indicar
baixa resistência para
um dos sentidos de
polarização e alta
resistência ao inverter as
pontas de prova nos
terminais do diodo.

28
 Teste de Diodos

Diodo em Curto: se as duas leituras

indicarem baixa resistência o diodo conduz
corrente nos dois sentidos.

Diodo Aberto: se as duas leituras indicarem

alta resistência o diodo bloqueia a corrente
nos dois sentidos.

29