Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Capítulo IV
Semiconductores
Contenidos
1. Materiales semiconductores
2. Juntura PN
3. Diodos
4. Circuitos rectificadores
5. Diodo zener
6. Transistor
7. Circuitos transistorizados lineales
8. Circuitos lógicos
9. Amplificador operacional
2.- Semiconductores
SEMICONDUCTORES: Materiales que poseen un nivel de conductividad sobre algún punto
entre los extremos de un aislante y un conductor.
COBRE: = 10-6-cm
MICA: = 1012-cm
SILICIO = 50 x 103-cm GERMANIO: = 50 -cm
-Alto nivel de pureza
-Existen grandes cantidades en la naturaleza.
-Cambio de características de conductores a aislante por medio de procesos de dopado o
aplicación de luz ó calor.
MATERIALES SEMICONDUCTORES (GERMANIO Y SILICIO):
Estructura atómica: Red cristalina
Enlaces entre átomos: Covalentes
Electrones de valencia: 4
NIVELES DE ENERGÍA : Mientras más distante se
encuentre el electrón del núcleo mayor es el estado de
energía, y cualquier electrón que haya dejado su átomo,
tiene un estado de energía mayor que cualquier electrón
en la estructura atómica.
Banda de conducción
Banda de conducción
Banda de conducción
Banda prohibida Banda prohibida
Eg > 5 eV Eg = 1.1, 0.67, 1.41 eV
Banda de valencia
Banda de valencia
Banda de valencia
Si Si Si
Material Intrinseco
Si Si Si
Materiales extrinsecos
Si Si Si Si Si Si
Si 5 Si Si 4 Si
Antimonio Si Si Si Boro Si Si Si
Arsénico Galio
Fósoforo Indio
TIPO n TIPO p
2.1 UNION p-n
TIPO p TIPO n
Iones Iones
aceptores donadores
Portadores Portadores
m ayoritarios m ayoritarios
Portadores
Portadores
m inoritarios
m inoritarios
Tipo p Tipo n
Región de
agotamiento
p n
Sin polarización
p n
Polarización inversa
p n
Polarización directa
ID
VT
Is
VD
DIODO
+ -
Ánodo Cátodo
ID=IS(ekVD/Tk-1)
Región Zener:
Resistencia en ac ó dinámica:
rD=VD / ID=(dID /dVD)-1=26mA /ID
Resistencia en ac promedio:
Ejemplo rav= VD / ID|punto a punto C (pf)
15
10
Capacitancia de transición y difusión:
CT 5 CD
Ts Tt t
Modelado de diodos
Modelo Ideal: ID
VD
Modelo Simplificado:
ID
VT
VT
VD
VT
VD
Ejemplos
1k
1
E 1N4001 E = RID+VD
2
1.- ID=IS(ekVD/Tk-1)
Ejemplos
2.3 Diodo Zener
Este diodo a diferencia de un diodo semiconductor de propósito general, trabaja
en la región de polarización negativa. Es decir que la dirección de la conducción
es opuesta a la de la flecha sobre el símbolo.
1
330
10V Si Si
V0
Con fuentes de cd.
-
2
-Determine el estado del diodo
ID1, ID2, IR, V0.
-Sustituya el equivalente adecuado
Ge
-Determine los parámetros restantes de la red. 2 1
2 1
Si Ge
12V 5.6k 2.2K Si 12V
E
R3
VR, IR VR.
3.3K
Si Si
12V 5.6k Si
E
20V Si
R3
0V
D2
1 2
V1 -20V
1k V1(V2)
20V
0V
SEL>>
-20V
0s 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms 6ms 7ms 8ms 9ms 10ms
V(D1:2)
Time
20V
0V
2 1
-20V
120 1k V1(V2)
20V
0
0V
SEL>>
-20V
0s 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms 6ms 7ms 8ms 9ms 10ms
V(R1:1)
Time
DE ONDA COMPLETA:
20V
1
10V
1k
11
22
0V
-10V
2
-20V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms
V(V2:+)
Time
CON TRANSFORMADORES:
Si
1 T1 5
4 8 R
Si
Reguladores de voltaje:
El objetivo de este circuito es mantener un voltaje de salida constante sobre un rango de
resistencia de carga. El resistor en serie con la fuente se selecciona para que una caida de
voltaje apropiada aparezca cuando la resistencia de carga está en su valor mínimo. El
diodo debe ser capaz de disipar una gran gantidad de potencia cuando la resistencia de
carga está en su valor máximo.
1k
+
Vi Vz 1.- Determinar el estado del diodo zener mediante la
- Pzm 1k eliminación de la red y calculando el voltaje através del
circuito abierto resultante.
0
V = VL=RLVi/R + RL
VL=Vz Iz= IR + IL Pz= Vz IL
2.- Sustituir el circuito equivalente adecuado y resolverlo para las incongnitas deseadas.
Vz Vz Vz
Reguladores de voltaje:
R=1k VZ=10V
R
+ Vi=16V. PZM= 30mW
Vi Vz RL
- Pzm RL=1.2k
=3k
Compuertas lógicas:
In1 D1
In1 In2 V0
V o.
0 0
In2 D2
0 1
1k
1 0
0
1 1
1k
0 1
5V 1 0
0 1 1