Circuitos Integrados

Definición

Un circuito integrado es una combinación de

elementos de un circuito que están miniaturizados
a tamaño microscópico y forman parte de un
mismo chip o pastilla. También se utiliza como
sinónimo de chip o microchip

circuitos integrados
FABRICACIÓN DE UN CIRCUITO
INTEGRADO
 En los circuitos integrados monolíticos los
componentes se encuentran en una sola pastilla
de silicio. Para fabricar un circuito integrado
monolítico se parte de una lámina de silicio
denominada "oblea" la cual a su vez está dividida
en un gran número de plaquetas cuadradas o
chips, cada uno de los cuales va a constituir un CI.
Por lo tanto, con una oblea se puede fabricar a la
vez un montón de CI.
 Se suele partir de un semiconductor tipo P y por
la técnica epitaxial se coloca encima una capa
de silicio tipo N.
Para este proceso se utiliza un horno epitaxial. Este tipo de
crecimiento va a asegurar que la región tipo N que se acaba de
añadir tiene estructura de un solo cristal, al igual que la región tipo P.
 Seguidamente, le se coloca una capa de
óxido a la oblea, para ello se introduce en
un horno de oxidación formándose una
capa delgada de dióxido de silicio (SiO2)
que recubre a la oblea y cuyas funciones
más importantes van a ser la de proteger
al circuito contra la contaminación.
 La siguiente etapa se denomina
fotoprotección. Consiste en colocar una
sustancia orgánica que sea sensible a la luz
ultravioleta, denominada fotoprotector,
sobre la capa de óxido.
 En esta capa se coloca una máscara que
tiene unas ventanas opacas en la zona donde
se va a realizar la siguiente difusión (por
ejemplo, se quiere integrar un transistor
NPN se tiene que tener bien definidas tres
regiones: el colector, la base y el emisor.
Estas tres zonas determinarán cómo será la
máscara y dónde tendrá las ventanas opacas)
. Se expone la oblea a rayos ultravioleta y el
barniz fotosensible que había debajo de las
ventanas opacas se va a eliminar y va a
aparecer la capa de dióxido de silicio.
 El siguiente paso es realizar una difusión tipo P. Se
introduce la oblea en un horno de difusión y se
dopa con gran cantidad de impurezas tipo P. Así se
convierte en tipo P la zona que queda al
descubierto de la capa epitaxial tipo N. Se ha
conseguido aislar una zona tipo N, que ha
quedado rodeada por semiconductor tipo P y por
dióxido de silicio. Si se estuviese haciendo un
transistor esta zona aislada podría ser, por
ejemplo, el colector. Se repite el proceso de
oxidación y de fotoprotección y se colocan unas
máscaras diferentes, por ejemplo, para formar la
base. Se difunde nuevamente impurezas tipo P.
Para formar el emisor se podrían repetir todos
los pasos pero con la diferencia de que al final se
añaden impurezas tipo N.
 Para conectar todas las regiones "n" y "p"
se suele usar una película delgada de un
material conductor por ejemplo el
aluminio. Se coloca nuevamente una capa
de oxidación y un fotoprotector y la
máscara que pone ahora tiene ventanas
que van a permitir que se realicen las
conexiones eléctricas, por ejemplo, entre
la base y el colector. Después de realizar
la metalización y una vez que las
conexiones eléctricas se hayan hecho, se
cortan los diferentes chips de la oblea.
 Después de separarlos, se realizan las
conexiones necesarias de cada chip con
los pines de la cápsula que va a contener
el circuito integrado, estas conexiones se
realizan soldando hilo de aluminio muy
delgado. Para acabar, se introduce el chip
dentro de la cápsula que lo va a proteger,
y así termina el proceso de fabricación de
un CI.
AISLAMIENTO DE LOS
ELEMENTOS DEL CI
 Dentro de un circuito integrado puede encontrarse
una gran cantidad de componentes. Estos
componentes pueden ser de diferentes tipos:
resistencias, transistores, condensadores, etc., o del
mismo tipo. Una de las necesidades que se presenta
es separar los elementos, no físicamente ya que todos
forman parte del mismo circuito integrado, sino que
han de ser aislados eléctricamente para que cada uno
pueda seguir comportándose según sus
características, es decir, que, por ejemplo, los
transistores sean exactamente iguales y cumplan las
mismas propiedades que tiene un transistor discreto
(que no forma parte de un circuito integrado).
 Hay varias formas de conseguir el
aislamiento eléctrico entre los diferentes
elementos que componen un circuito
integrado: la más usada de todas ellas,
debido a lo económica que resulta, es la
denominada "aislamiento de unión".
Supóngase que se quieren separar dos
transistores, este método consiste en
polarizar inversamente las regiones N y P
y, al no circular corriente, se produce el
deseado aislamiento eléctrico entre los
dos transistores.
 Otra forma es usando dióxido de silicio,
SiO2, recubriendo cada región de colector
de cada uno de los transistores, el dióxido
de silicio se comporta como un aislante. Por
último, hay un tipo de aislamiento
denominado "tipo viga" que es parecido al
aislamiento de unión. La diferencia radica en
que en el tipo viga, al realizar la metalización,
se forma una capa muy gruesa encima de la
oblea. Después se remueve el silicio que
sobra en el substrato tipo P. Se forma una
estructura con los circuitos conectados
semirrígidamente y todos los elementos
separados unos de otros.
TECNOLOGÍA DE PELÍCULA
DELGADA Y GRUESA
 En los circuitos integrados monolíticos se ha visto que se forman todos los componentes
a la vez en un substrato semiconductor. En la tecnología de película delgada y en la de
película gruesa no ocurre lo mismo. Las resistencias y condensadores de valores pequeños
se fabrican en el substrato, pero las resistencias y los condensadores de valores grandes y
algunos circuitos monolíticos son exteriores al chip y se conectan formando un circuito
híbrido. Este tipo de circuitos tiene la peculiaridad de que no se forman sobre la superficie
de un semiconductor sino que lo hacen sobre un material aislante que puede ser vidrio o
un material cerámico.

 La técnica de fabricación de películas delgadas consiste en ir haciendo una deposición por

medio de una evaporación al vacío o pulverización catódica. La superficie que contiene el
substrato actúa como el ánodo, y el material que se va depositando por la deposición
como cátodo. Los pasos para el procesamiento de un circuito integrado por tecnología de
película delgada son muy similares a los que se han explicado de los circuitos monolíticos.

 En la tecnología de película gruesa se utiliza un circuito impreso sobre el cual se van a

depositar las resistencias, condensadores, etc. Una de las ventajas de esta tecnología es
que resulta más barata que la de película delgada.