TRANSFERENCIA DE

NANOPATRONES POR
DEPOSICION
INTRODUCCION

 Si bien el grabado sustractivo es el proceso de transferencia de patrones

más utilizado, no todos los materiales.Puede ser grabado por química
húmeda o plasma. Los metales en particular son difíciles de grabar por el
proceso de grabado en seco. Si bien los ácidos húmedos pueden atacar
a los metales, la naturaleza isotrópica del grabado en húmedo significa
que es difícil obtener estructuras metálicas de alta resolución y de alta
relación de aspecto.
CAPA DELGADA POR DEPOSICION

 El proceso de transferencia de patrón aditivo consiste en depositar

películas delgadas en la abertura de una máscara de polímero resistente.
Se puede depositar una película delgada mediante deposición física de
vapor (PVD), deposición química de vapor (CVD), deposición de la capa
atómica (ALD), epitaxia de haz de molécula (MBE), oxidación,
recubrimiento, centrifugado o recubrimiento por aspersión, recubrimiento
por aspa
 o la impresión. PVD y CVD son los dos procesos más utilizados [1]. PVD
incluye deposición por evaporación térmica y deposición por
pulverización catódica. La evaporación térmica se puede dividir en
vaporización por calentamiento resistivo y electrones.
NANOFABRICACION
INDIRECTA
INTRODUCCION

 Las tecnologías de nanofabricación introducidas en los capítulos

anteriores hasta ahora tienen un característica común, es decir, la
dimensión de una estructura o patrón se define directamente por medios
litográficos, ya sea a través de una máscara (litografía óptica o cargada
litografía de proyección de partículas) o mediante un patrón directo (haz
de electrones, enfocado haz de iones, rayo láser, sondas de escaneo,
impresión de inyección de tinta) o con un molde (nanoimprint, impresión
en microcontacto).
Litografía de la pared lateral

 La litografía lateral fue el nombre que se le dio a una técnica que logra un
ancho estrecho de la estructura del patrón mediante el recubrimiento de
película delgada en las paredes laterales de las estructuras de soporte y
el grabado selectivo de las estructuras de soporte. La técnica se explica
esquemáticamente en la figura 9.1. Las estructuras de patrones de
soporte se hacen primero con un proceso litográfico directo de baja
resolución, por ejemplo, litografía óptica (Fig. 9.1a). El segundo paso es
recubrir de manera adecuada una película delgada sobre la pared
lateral de la estructura de soporte (Fig. 9.1b).
 Aunque las paredes laterales de la estructura de soporte no son verticales,
todavía es posible moldear la forma de la pared lateral mediante la
litografía de la pared lateral. La figura 9.3 explica esquemáticamente
cómo se puede hacer una microestructura cónica de pared delgada
mediante la técnica de moldeo de paredes laterales. Una película
delgada de metal está recubierta de forma conformada sobre una base
de silicona que está formada por estructuras en forma de cono. Para
proteger las paredes laterales mientras graba la película de la cubierta
superior, se recubre una capa gruesa de fotoprotector para enterrar las
estructuras del patrón.
Sustracción dimensional y adición

 Alejar poco a poco del lado de una línea ancha para hacerla estrecha
es la idea de un patrón indirecto por sustracción lateral. La naturaleza
isotrópica del grabado químico en húmedo o RIE ofrece la posibilidad de
restar materiales lateralmente de una estructura con patrón. Uno de estos
esquemas se muestra esquemáticamente en la figura 9.5. Muestra cómo
se puede hacer un nanocables de silicio mediante el grabado con KOH
del silicio lateralmente [11]. Debido a que el grabado químico húmedo
alcalino del silicio depende en gran medida de la orientación cristalina, es
posible controlar el grabado lateral del silicio rápidamente en una
dirección pero lento en otra dirección.
NANOFABRICACION POR
AUTOENSAMBLAJE
INTRODUCCION

Las tecnologías de nanofabricación descritas en los capítulos anteriores

hasta ahora pueden caracterizarse como tecnologías convencionales, en
el sentido de que siempre implican una u otra forma de patrones
litográficos y de transferencia de patrones. Siguen siendo los mismos, o no
muy diferentes, de las tecnologías para la fabricación de circuitos
integrados, que se originaron hace casi 55 años en 1961, cuando se otorgó
la primera patente en un circuito integrado planar, aunque las tecnologías
actuales pueden hacer que las estructuras de patrones sean mil. tiempos
más pequeños. Es un enfoque de "arriba hacia abajo" que las estructuras
complejas se construyen mediante el modelado de capas sobre capas
desde la superficie de un sustrato plano.
Procesos de autoensamblaje

 El autoensamblaje tiene un significado muy amplio. Cualquier formación

espontánea de una organización a partir de partes individuales sin
intervención humana puede llamarse auto-ensamblaje. El
autoensamblaje se puede realizar a nivel molecular o meso /
macroscópico, desde la formación de cristales hasta las copos de nieve y
el universo.