EE411 FÍSICA DE SEMICONDUCTORES

Mag. Ing. Juan Carlos Álvarez Salazar

jalvarezedu@yahoo.es
CONDUCTIVIDAD
CONDUCTIVIDAD
 MOVILIDAD
Electron and hole mobilities at room temperature of selected lightly doped semiconductors.

Si Si

Chenming-Hu_ch2
 TERMISTORES
PTC – Positive Temperature Coefficient o de
NTC – Negative Temperature coeficiente de temperatura positivo.
Coefficiente o de coeficiente
de temperatura negativo.
Densidad de estados
Nivel de Fermi

f(E) es la probabilidad de que un estado de

energía E esté ocupado por un electrón, en
equilibrio , a una temperatura T °K.
Densidad de portadores
Densidad de portadores
Densidad de portadores
Ejemplo I
Nivel de Fermi en semiconductores
Ejemplo II
 Ejemplo III
En el silicio: Nc=
NV=
a) Determinar la distancia en ev del nivel de Fermi al centro de la banda
prohibida para el silicio puro a 100°C bajo cero. (Rpta. 0.0045ev)
b) Determinar la probabilidad, según Fermi, de que un electrón tenga
una energía igual a la del centro de la banda prohibida para el silicio
puro a 100°C bajo cero. (Rpta. 0.575)
c) Repetir lo solicitado en a) y b) para 100°C . (Rpta. 0.575)
d) Repetir lo solicitado en a) y b) si el silicio se encuentra impurificado
con 5x1015 cm-3 de átomos de valencia cinco.
e) Determinar la probabilidad, según Fermi, de que un electrón tenga
una energía igual a la del centro de la banda prohibida para el silicio
impurificado con 5x1015 cm-3 de átomos de valencia tres a temperatura
ambiente. (Rpta. 0.0000167)
Ejemplo III Solución

k=1.381×10-23 J K-1 = 8.617×10-5 eV K-1

Difusión
Difusión
Difusión
 Generación y recombinación
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - - - -
- - - -
- Ge -
-
Ge -
-
Ge -
-
Ge
+ -
- - - -
Siempre se están rompiendo (generación) y reconstruyendo (recombinación) enlaces. La
vida media de un electrón puede ser del orden de microsegundos o nanosegundos.
•Hay 1 enlace roto por cada 1,7·109 átomos en el Ge a 300K.
•Un electrón “libre” y una carga “+” por cada enlace roto.
 Generación y recombinación

Si se aplica iluminación uniformemente; se entrega energía y

se genera una inyección de portadores “excedentarios”
 Generación y recombinación
Si se aplica iluminación en una cara se entrega energía

Luego, en t=0 se retira la iluminación

Definiendo:
 Generación y recombinación

ECUACION DE CONTINUIDAD TEMPORAL

En el caso de portadores
excedentarios “N”
el análisis es similar
y se emplea

En equilibrio, g=
Generación y recombinación

ECUACION DE CONTINUIDAD ESPACIAL

 Generación y recombinación

En el caso de portadores
excedentarios “N”
el análisis es similar
Para el caso de portadores excedentarios tipo “N” se emplea la longitud de difusión
de los electrones: LN=(DN· N)1/2 LN y Lp son del orden de las micras.
 FOTORRESISTENCIA- LDR
Fotorresistencia o resistencia dependiente de la luz, consiste en una célula de Sulfuro de
Cadmio, encapsulada con una resina epoxi transparente. La respuesta espectral es similar a
la del ojo humano. Su nivel de resistencia aumenta cuando el nivel de luz disminuye.
Efecto Hall
Efecto Hall
Gracias por la atención