Teoria dos Semicondutores

Semicondutores

• Semicondutores usados em eletrônica são materiais cristalinos (silício,

germânio, gálio) a que são acrescentadas impurezas doadoras ou
aceitadoras , após a colocação de impurezas o material semicondutor é
classificado como semicondutor tipo N ou tipo P. A junção de materiais P e
N possibilitam o fabrico de componentes semicondutores, o díodo e
a célula solar são constituídos por duas junções uma N e outra P, ou
o transístor constituído por três junções duas N e uma P, ou duas P e uma
N. A base de todos os circuitos integrados é o material semicondutor.
Na natureza o material semicondutor tem uma concentração de
portadores negativos e positivos igual, designam-se por semicondutores
intrínsecos. Ao serem adicionadas impurezas designam-se
por semicondutores extrínsecos ou dopados.
 Estrutura Cristalina dos
Semicondutores
• Quando os átomos se unem para formar as moléculas de uma substância,
a distribuição desses átomos no espaço pode ou não ser feita organizada e
definidamente. As substâncias cujos átomos se agrupam formando uma
estrutura ordenada são denominadas substâncias cristalinas, e a
disposição de seus átomos formam a chamada estrutura cristalina. O
Germânio e o Silício possuem uma estrutura cristalina cúbica, conforme é
mostrado na figura.
 Elétrons e Lacunas

• Na prática, a estrutura cristalina só é conseguida quando o cristal de Silício

é submetido à temperatura de zero graus absolutos (ou -273ºC). A essa
temperatura, todas as ligações covalentes estão completas e,
consequentemente, o material comporta-se como isolante porque, não
havendo elétrons livres, não será possível estabelecer uma corrente
elétrica através do cristal.
Quando este mesmo cristal de Silício é submetido à temperatura
ambiente normal (20ºC, por exemplo), a energia térmica (calor) provoca o
rompimento de algumas ligações covalentes, fazendo com que os elétrons
que abandonam as ligações rompidas passem a se movimentar livremente
no interior do cristal, tornando-se elétrons livres.
• Com a quebra das ligações covalentes, no local onde havia um
elétron de valência (e), passa existir uma região com carga positiva
+1, uma vez que o átomo de Silício era neutro e um elétron o
abandonou. Essa região positiva que, em outras palavras, é uma
ligação covalente incompleta, recebe o nome de LACUNA, sendo
conhecida também como BURACO, CAVIDADE ou VAZIO.
• Em síntese, à medida que a temperatura aumenta, surgem os
"portadores livres de carga elétrica" (elétrons e lacunas) no interior
do cristal, tornando-o capaz de conduzir corrente elétrica quando
submetido a uma diferença de potencial. Isso explica o que A
resistividade dos semicondutores diminui com a elevação de
temperatura.
• Sempre que uma ligação covalente é rompida, surgem, simultaneamente,
um elétrons e uma lacuna, podendo, entretanto, um elétrons preencher o
lugar de uma lacuna, completando a ligação covalente (processo da
RECOMBINAÇÃO). Como tanto os elétrons como as lacunas aparecem e
desaparecem aos pares, dizemos então que, num cristal semicondutor
puro, o número de elétrons livres é sempre igual ao número de lacunas. A
uma certa temperatura, o número de pares elétron-lacuna é muito maior
num cristal de Germânio puro que num cristal de Silício pois, como já foi
visto, a resistividade do Germânio é bem menor que a resistividade do
silício.
 Ligações Covalentes

• Cada átomo de Silício une-se a outros quatro átomos vizinhos, por meio
de ligações covalentes, e cada um dos quatro elétrons de valência de um
átomo é compartilhado com um elétrons do átomo vizinho, de modo que
dois átomos adjacentes partilham os dois elétrons.
 Dopagem de Semicondutores

• Ao processo de adição de impurezas doadoras ou aceitadoras atribuí-se o

nome de Dopagem Semicondutores . O exemplo seguinte exemplifica a
dopagem de silício com fósforo e boro.
 Semicondutores Positivos (de tipo P)
• Quando ao silício de adiciona um elemento do Grupo III como o Alumínio,
Gálio, Boro, que têm 3 elétrons de valência, produz-se uma corrente onde
faltam tantos elétrons como átomos do elemento adicionado, formado
desta forma um semicondutor do tipo P.
 Semicondutores Negativos (de tipo N)

• Se, em vez de adicionarmos com um elemento o grupo III, adicionarmos

elementos do grupo V, como o fósforo, arsênio ou antimônio que têm 5
elétrons de valência, produz-se uma rede com elétrons em excesso
movendo-se em direção contrária ao campo submetido.
Movimento dos elétrons e das lacunas

• Quando o cristal é submetido a uma diferença de potencial (ou tensão

elétrica), a lacuna pode mover-se do mesmo modo que o elétrons, mas
em sentido contrário,uma vez que possui carga elétrica . Para
compreender melhor esse movimento das lacunas, consideremos alguns
átomos de um cristal semicondutor (Silício ou Germânio), supondo que
esteja ligado aos polos de uma pilha. Se no átomo 1 for rompida uma
ligação covalente, aparecerá um electro, que será rapidamente atraído
pelo polo positivo (+) da pilha seca, ficando no lugar desse átomo uma
lacuna.
• Um electro de qualquer ligação covalente do átomo 2 poderá preencher a
lacuna deixada pelo primeiro elétrons do átomo 1.
• Entretanto, quando o elétrons abandona a ligação covalente do átomo 2,
surgirá uma nova lacuna que, por sua vez, poderá ser preenchida por
qualquer elétrons de uma ligação covalente do átomo 3. e assim
sucessivamente.