SEGUNDA COMPETENCIA

SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
ESTRUCTURA Y APLICACIONES
Programa Matlab 7.0 y la librería
SimPowerSystems -parte de una
librería aún mayor llamada Simulink
6.1-dedicada a dispositivos
empleados en sistemas de potencia.

En ella se pueden encontrar desde

una resistencia hasta una pequeña
red para simulación de estudios de
flujos de potencia, pasando por una
gran variedad de elementos pasivos
y activos.

Si los modelos incluidos en esta

librería no satisfacen las necesidades
del usuario, el programa le deja en
libertad de crear sus propios
modelos, donde se pueden incluir
todas las variables y condiciones
iniciales que se deseen.
En la electrónica de bajas corrientes, lo
más importante es la ganancia y la alta
fidelidad, en la electrónica de potencia las
características principales son el
rendimiento y la confiabilidad en el
manejo de cantidades considerables de
energía.
El desarrollo tecnológico a logrado, una reducción del volumen físico en
tres o cuatro veces el tamaño original de sus primeros dispositivos. Aunque
siempre existirá una proporcionalidad entre volumen y potencia que se
maneje.

Asimismo, los tiempos de encendido y apagado también han sido reducidos

de la escala de los milisegundos, a la escala de los microsegundos en los
niveles más altos de potencia. Alcanzándose tiempos de conmutación en.t
nanosegundos para niveles de potencia más bajos.
Los semiconductores de potencia se caracterizan por una tercera zona n´;
con la finalidad de que puedan soportar las elevadas tensiones de
polarización inverza.
La inclusión de n´ trae como consecuencia una excelente tolerancia a las
la necesidad de
elevadas tensiones inversas pero en contraparte
un mayor nivel de voltaje para la conducción; ya que
genera una mayor resistencia al paso de los huecos a fin de alcanzar su
recombinación con los electrones en la zona p.

MATERIAL INTRÍNSECO MATERIAL EXTRÍNSECO

La polarización de la fuente, modula la conductividad del dispositivo
(diodo, BJT), inyectando o retirando portadores. Sin embargo, esto no
FET, MOSFET... , debido
ocurre en los a que estos son
fabricados con un único material.
Tal como se aprecia en la figura, en polarización directa, la
distribución de portadores inyectados presenta una mayor concentración
de portadores en la unión disminuyendo con el alejamiento.
 RELACIÓN ENTRE EL TAMAÑO DE n” y CARGA INYECTADA

En polarización inverza, se elimina la carga para el estado de conducción, el diodo

entra en conducción inverza durante un lapso de tiempo.
A mayor carga inyectada implica menor caída de tensión en estado de
conducción; pero a la vez un mayor tiempo para el retiro de la misma cuando
pase al estado de bloqueo o corte.
A nivel constructivo: n´ deberá ser pequeña para la conducción, y grande
para soportar grandes tensiones inversas (corte o bloqueo). Lo cual es
difícil de obtener en los dispositivos de potencia.
La zona n´ se la puede considerar una resistencia variable debido a la
inyección de portadores, los que varían la conductividad en esa región. A este
hecho se lo denomina “Modulación de conductividad”.
DIODO SEMICONDUCTOR
Fósforo Arsénico o Antimonio para generar la zona “N”
boro, galio o indio para generar la zona “P”
 MODELO DEL DIODO DE POTENCIA
No existe un modelo matemático del comportamiento del diodo de potencia,
así como del de señal; sin embargo se asume el de fuente-resistencia,
debido a que el fabricante nos proporciona las características de V-I.
Cuando la temperatura (>), la tensión directa disminuye y la i
(inverza) aumenta, toda vez que esta (T) aumenta
DIODO EN POLARIZACIÓN DIRECTA
DIODO EN POLARIZACIÓN INVERZA
Colocando un voltaje inverso o disminuyendo el valor de la corriente de
retención se puede interrumpir el paso de la corriente por el Tiristor o SCR.
 TRANSISTOR BIPOLAR DE COMPUERTA
AISLADA: IGBT
Combina las características de alta impedancia de entrada de un
MOSFET con la gran capacidad de conducción de un BJT (transistor
bipolar de unijuntura o unión).

Simpleza del control, bajas pérdidas por conmutación debido a

la compuerta aislada. Tecnológicamente han sustituido a los
tiristores y Darlistores. Actualmente trabajan con niveles de voltaje
superiores a los 300v y frecuencias de conmutación de 100kHz.
Variando la diferencia de potencial en la compuerta G, es que se
controla el nivel de corriente en Colector-Emisor.

IGBT
Su aplicación es eminentemente como interruptor. O sea trabajan en
corte y saturación(1.5-2.5v C-E, frente a 5v de los MOSFET) en función al
voltaje aplicado en la G.
Para alcanzar la conducción, del IGBT, el voltaje
aplicado debe ser superior a la caída entre C-E.
El voltaje aplicado al G será proporcional a la
corriente requerida y mayor a E.
 IGBT EN CORTE
Basta que el voltaje de G sea menor que el de E para que en un breve
instante se alcance el corte de la conducción.

Existe un tiempo que aún el IGBT continua conduciendo cuando se le ha aplicado

un voltaje en el G para pasar al corte; lo que genera pérdida de potencia
proporcional a la temperatura y frecuencia de trabajo.
RESUMEN DE LA COMPETENCIA
SISTEMA DE POTENCIA
 EVOLUCIÓN DE LA ELECTRONICA
DE POTENCIA
Hasta 1950: las aplicaciones eran limitadas
A partir de 1950 nace la Electrónica industrial
A partir de 1960 se introduce los
semiconductores en la electrónica industrial
(automatización de procesos industriales).
• En la decada de los 70 se introduce los
circuitos integrados (miniaturización)
o Menor tamaño y peso
o Menor costo
o Menor consumo
o Más fiabilidad
• En 1975 nacen los microprocesadores (µp)
• De los dispositivos electrónicos, los mas
importantes son los:
o Transistores de potencia y los
o Tiristores
• Estas familias de dispositivos tienen dos
electrodos principales y un tercer electrodo
de control.
• APLICACIONES DE LA EELECTRONICA DE
POTENCIA

APLICACIONES DE LA ELECTRONICA DE
POTENCIA
APLICACIONES DE LA ELECTRONICA DE
POTENCIA
ENTORNO
Refrigeración y congelación de alimentos.
Calefacción y aire acondicionado.
Cocinas, lavadoras, aspiradoras, μondas …
Iluminación.
Electrónica de consumo (ordenadores, TV,
vídeo…
APLICACIONES DE LA ELECTRONICA DE
POTENCIA
COMERCIAL

 Calefacción, ventilación, aire acondicionado…

 Iluminación.
 Equipos informáticos.
 Sistemas de alimentación ininterrumpidas (SAIs).
 Ascensores.
APLICACIONES DE LA ELECTRONICA DE
POTENCIA
INDUSTRIAL

Bombas, compresores, ventiladores…

Motores, máquinas herramientas, robots…
Hornos (inducción…)
Laser industrial.
Soldadura.
Iluminación
APLICACIONES DE LA ELECTRONICA DE
POTENCIA
TRANSPORTE

Control de tracción de vehículos eléctricos.

Cargadores de baterías.
Locomoción eléctrica (automóviles, metro,
ferrocarril)
Electrónica del automóvil
APLICACIONES DE LA ELECTRONICA DE
POTENCIA
ENERGIA

Transporte de energía de CC en alta tensión.

Compensación de energía reactiva.
Energías alternativas.
 APLICACIONES DE LA ELECTRONICA DE
POTENCIA
TELE-COMUNICACIONES

Cargadores de baterías.
Sistema de alimentaciones ininterrumpidas SAIs.
APLICACIONES DE LA ELECTRONICA DE
POTENCIA
AEROESPACIAL
Sistemas de potencia en aviones.
Sistemas de potencia en transbordadores.
TAREA DE SIMULACIÓN PARA
INFORME
DESCRIPCIÓN FUNCIONAL DEL IGBT
 2° INFORME PARA EVALUACIÓN CONTINUA

TEMA: SIMULACIÓN CIRCUITAL MEDIANTE SIMULINK DE MATLAB

Y/O PROTEUS

PROCEDIMIENTO:
1) DESCRIPCIÓN FUNCIONAL DE C/U DE LOS BLOQUES EMPLEADOS DE
LA LIBRERÍA SIMPOWER-SISTEM.
2) CONFORMACIÓN DE CADA UNO DE LOS CIRCUITOS EXISTENTES EN
LA PRESENT COMPETENCIA.
3) OBTENCIÓN DE RESULTADOS
4) CONCLUSIONES
 3° INFORME PARA EVALUACIÓN CONTINUA

TEMA: PRÁCTICAS DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA

PROCEDIMIENTO:
1) Seleccionar una de las 14 prácticas de laboratorio del Manual proporcionado
alusiva al presente tema.
2) SÍNTESIS DESCRIPTIVA FUNCIONAL DEL CIRCUITO
3) SIMULACIÓN MEDIANTE PROTEUS
4) IMPLEMENTACIÓN DEL CIRCUITO
6) RESUMEN DE RESULTADOS
7) CONCLUSIONES