TRANSISTORES

Jorge Luis Ariza Botia

Yessenia Catherine Leal
Peter A. Cuevas H.
 TRANSISTOR BIPOLAR BJT
El transistor bipolar de uniones, conocido también por BJT (siglas de su denominación inglesa Bipo-lar
Junction Transistor), es un dispositivo de tres terminales denominados emisor, base y colector.

Figura 1. Símbolo y tipos de transistor BJT [1]

La flecha que indica el tipo de transistor, apunta al sentido de la corriente en polarización directa del
diodo BE. En principio, parece una estructura simétrica, en la que es imposible distinguir el emisor del
colector. Sin embargo, la función que cumple cada uno es completamente distinta, y en consecuencia,
se fabrican con diferentes características. Por lo tanto no es un componente simétrico.

Figura 2. Estructura interna del transistor bipolar [1]

 TRANSISTOR BJT COMO INTERRUPTOR
La función del transistor como interruptor es exactamente igual que la de un dispositivo mecánico: o bien
deja pasar la corriente, o bien la corta. La diferencia está en que mientras en el primero es necesario que
haya algún tipo de control mecánico, en el BJT la señal de control es electrónica.

Figura 3. El transistor bipolar como interruptor de corriente [1]

 CURVA DE TRANSFERENCIA DEL BJT

Figura 4. Curva de transferencia del BJT [2]

Regiones operativas del transistor

Región de corte: Un transistor está en corte cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = corriente máxima, (Ic = Ie = I máxima)
Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces
está en una región intermedia, la región activa.
 PRINCIPALES PARÁMETROS COMERCIALES
• Tensión máxima en entre colector y emisor, colector-base y emisor-base (VCEO, VCBO y VEBO): son
las tensiones máximas a las que se puede someter a los terminales del transistor. Tensiones
mayores pueden provocar una ruptura en inversa y la destrucción del transistor.
• Corriente continua máxima de colector, : es la corriente máxima que puede circular por el colector
sin que el transistor sufra ningún daño.
• Ganancia de corriente en DC (DC Current Gain): se suele especificar la ganancia para varios puntos
de operación, incluso pueden ser suministradas las gráficas de la ganancia en función de la
corriente de colector. La fluctuación de su valor es debida a los efectos de segundo orden.
• Tensiones de saturación VCE(sat), VBE(sat): son las tensiones que aparecen entre los terminales en
la región de saturación.
• Potencia máxima disipable (Total Device Dissipation): es la potencia máxima que puede disipar el
transistor sin sufrir ningún daño.
VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE LOS BJT FRENTE OTROS
TRANSISTORES
VENTAJAS
1. Los BJT tienen como ventaja que es posible sacarles una mayor ganancia, a diferencia de los FET y
MOSFET, que con iguales configuraciones (por ejemplo, emisor común) poseen una menor ganancia
2. Su uso es más directo (solo con la hoja de datos ya podemos sacar las tensiones mínimas, de
saturación…)
3. No se dañan tanto por la electricidad estática como los FET
4. Son mas lineales que los FET
5. Reducidas pérdidas en conducción.
DESVENTAJAS
1. Tienen un consumo importante en la polarización, ya que estos transistores funcionan a partir de
corriente.
2. Su respuesta en frecuencia tiende a ser peor que en los MOS
3. Impedancia de entrada baja
4. Generan un nivel de ruido mayor que los FET
5. Son menos estables con la temperatura
6. Mas difíciles de fabricar
 TRANSISTOR MOSFET
(FET metal-oxido-semiconductor)

Figura 5: Mosfet de enriquecimiento o de acumulación

Figura 6: Mosfet de empobrecimiento o deplexión
 MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO TIPO N

• Hay dos juntas PN.

• Sin voltaje en compuerta.
• Se aplica voltaje entre compuerta y
Surtidor.
• Canal n
• Voltaje de umbral Vth
• El campo eléctrico
• Voltaje Vds pequeño
Figura 7. Mosfet de enriquecimiento tipo n [6]
 CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE
ENRIQUECIMIENTO

El MOSFET se comporta
como una fuente de
corriente cuyo valor está
controlado por vGS

Figura 8. Curva característica de mosfet de enriquecimiento tipo n[6]

 MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO TIPO P
• Los portadores son los huecos.
• Los voltajes VGS y VDS son negativos.
• Las ecuaciones para la región tríodo y la
región de saturación son las mismas.
• Inicialmente los PMOS dominaban el
mercado, pero luego se desarrollaron NMOS
más pequeños y más rápidos, que necesitan
voltajes de fuente menores.
• Los PMOS están presentes en la estructura de
MOSFET complementarios o CMOS, que es la
tecnología dominante hoy en día. Figura 9. Mosfet de enriquecimiento
tipo p [6]
 MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO

• Tiene un canal implantado durante la fabricación.

• Si se aplica vDS hay circulación de corriente aún con
vGS=0.
• Para vGS positivos aumenta el canal y circula una iD
mayor.
• Para vGS negativos disminuye el canal y la conductividad
decrece. El MOS trabaja en el modo de vaciamiento.
• Cuando vGS llega al valor en el que se han eliminado los
portadores del canal, la corriente iD es cero aunque
todavía haya vDS aplicado. Dicho valor de vGS es el Figura 10. Mosfet de
empobrecimiento
voltaje de umbral Vth
CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL P DE
EMPOBRECIMIENTO

Figura 11. Curva característica de un mosfet de empobrecimiento canal P [6]

 ESTADOS DEL MOSFET

• ESTADO DE CORTE
• ESTADO DE SATURACIÓN
• ESTADO LINEAL

Figura 12. Curva de los estados del Mosfet [6]

 CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
• VGSS: Tensión de ruptura puerta-fuente.
• VGS: Tensión tope puerta-fuente.
• Idss: Corriente de saturación dedrenaje.
• IGSS: Corriente inversa en la puerta.
• IG: Corriente de operación en la puerta.
• ID: Corriente tope de drenaje.
• VDS: Tensión de encendido o umbral drenaje-fuente.
• RDS: Resistencia de encendido drenaje-fuente.
 CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS
Con respecto a las características dinámicas, cabe destacar la velocidad de
conmutación.

VELOCIDAD DE CONMUTACIÓN
Los MOSFET de potencia son más rápidos que otros dispositivos usados en
electrónica de potencia (tiristores, transistores bipolares, IGBT, etc.).
Los MOSFET de potencia son dispositivos de conducción unipolar. En ellos,
los niveles de corriente conducida no están asociados al aumento de la
concentración de portadores minoritarios, que luego son difíciles de
eliminar para que el dispositivo deje de conducir.
 VENTAJAS DEL MOSFET

• Consumo en modo estático muy bajo.

• Tamaño muy inferior al transistor bipolar.
• Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
• La velocidad de conmutación es muy alta.
• Cada vez se encuentran mas en aplicaciones en los convertidores de
alta frecuencias y baja potencia.
• Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que
tienen una impedancia de entrada muy alta.
 DESVENTAJAS DEL MOSFET

• Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta

capacidad de entrada.
• Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos
lineales que los BJT.
• Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática.
 TIPOS DE TRANSISTORES

PNP
BJT NPN

Canal P
JFET Canal N
MESFET Canal P
FET Canal N
Acumulación
MOSFET Canal N

Deplexión Canal P
Canal N
BJT: Transistores bipolares de unión.
FET: Transistores de efecto de campo.
JFET: Transistores de efecto de campo de unión.
MESFET: Transistores de efecto de campo de metal semiconductor.
MOSFET: Transistores de efecto de campo de metal-oxido-semiconductor.
 TRANSISTORES FET

Transistores de efecto de campo

Son dispositivos de estado sólido

Tienen tres o cuatro terminales
Figura 13. Esquema transistores FET
Es el campo eléctrico el que controla el flujo de cargas
El flujo de portadores es de un único tipo (electrones o huecos)
Pueden funcionar en diferentes regiones de polarización
Según en que región de polarización se encuentren, funcionan como:
• Resistencias controladas por tensión
• Amplificadores de corriente o tensión
• Fuentes de corriente
• Interruptores lógicos y de potencia
Figura 14. Tipos de FET
 COMPARACIÓN ENTRE FETs y BJTs

Los FET necesitan menos área del chip, y menos pasos de fabricación.
Los BJT pueden generar corrientes de salida mas elevadas para
conmutación rápida con cargas capacitivas.
Los FET tiene una impedancia de entrada muy alta.
En los FETs el parámetro de transconductancia (gm) es menor que en los
BJT, y por lo tanto tienen menor ganancia.
El FET también es un dispositivo de bajo ruido debido a su mayor
resistencia.
Los transistores FET responden de manera exponencial.
 TRANSISTOR IGBT

El transistor Bipolar de Puerta Aislada

Mezcla características de un transistor bipolar y de un MOSFET
La característica de salida es la de un bipolar pero se controla por tensión y no
por corriente
Alta capacidad de manejar corriente
Facilidad de manejo
Menor capacidad de conmutación
Baja frecuencia (< 20 kHz)
Aplicaciones de alta tensión (>1000 V)
Alta potencia (>5 kW)
 APLICACIONES TÍPICAS DEL IGBT

Control de motores
Sistemas de alimentación ininterrumpida
Sistemas de soldadura
Iluminación de baja frecuencia (<100 kHz) y alta
potencia

Figura 15. Símbolo IGBT

El IGBT es más adecuado para
tensiones > 1000 V
El MOSFET es el mejor por
debajo de 250 V
En los valores intermedios
depende de la aplicación, de la
frecuencia, etc.

Figura 16. Hz vs. V, MOSFET e IGBT

Referencias

[1] «EL TRANSISTOR BIPOLAR». [En línea]. Disponible en:

http://profesormolina1.webcindario.com/tutoriales/trans_bipolar.htm.

[2] «El Transistor Bipolar o BJT - Electronica Toto». [En línea]. Disponible en:
https://electronicatoto.webcindario.com/Conceptos%20Basicos_el%20transistor/el_transistor_bipolar_
o_bjt.htm.

[3] «Electrónica de Potencia/Transistor Bipolar de Potencia/Estructura y principio de funcionamiento -

Wikilibros». [En línea]. Disponible en:
https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/Transistor_Bipolar_de_Potencia/Estruct
ura_y_principio_de_funcionamiento.

[4] «Ventajas y Desventajas de Los BJT Respecto a Otros Transistores - Free Download PDF». [En línea].
Disponible en: https://docit.tips/download/ventajas-y-desventajas-de-los-bjt-respecto-a-otros-
transistores_pdf.

[5] «Transistor Bipolar o BJT - Ganancia - Curva característica», Electrónica Unicrom, 06-sep-2019. [En
línea]. Disponible en: https://unicrom.com/que-es-un-transistor-bipolar/.
[6] «Transistor Mosfet- Tipos - Curva característica», 15 de septiembre del 2019, Disponible en:
http://www.labc.usb.ve/paginas/mgimenez/EC1113/Contenido/clase17.pdf
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