POLARIZACION Y PROPIEDADES

OPTICAS DE LOS SEMICONDUCTORES

Presentado por: Giusti Rodriguez Con la Participación especial de:
Samuel Avendaño Lic. Eliceo Cortes
Joaquin Liñan

POLITECNICO COSTA ATLANTICA

VII SEMESTRE
FISICA MODERNA
 RESUMEN

Las propiedades ópticas de un material son aquellas que conciernen a la

interacción del material con la luz, como la absorción, transmisión o reflexión
de la luz, la emisión de luz o los cambios de la resistencia eléctrica con la
iluminación. Las buenas propiedades eléctricas y ópticas de los materiales
semiconductores hacen que no sólo sean los materiales usados en los
dispositivos microelectrónicos, sino que además desempeñen un papel
fundamental en el desarrollo de tecnologías emergentes como la
optoelectrónica y la fotónica.
 La luz y el espectro electromagnético
La luz es una forma de radiación electromagnética, a su vez la radiación electromagnética es emitida por la
oscilación de cargas eléctricas y se propaga mediante un movimiento ondulatorio de campos eléctricos y
magnéticos. Los efectos más importantes sobre materiales no magnéticos se producen por la oscilación del
campo eléctrico en su interior, la propagación de ondas electromagnéticas está regulada por las ecuaciones
de Maxwell de la electrodinámica clásica.
 PROPIEDADES OPTICAS
Las propiedades ópticas están relacionadas de manera estrecha con las propiedades eléctricas y
electrónicas del material. Al momento de hablar acerca de propiedades ópticas estamos hablando de la
forma en que la materia interactúa con la radiación electromagnética, por ejemplo, si se tiene una onda
electromagnética que choca contra un cuerpo, esta podría ser reflejada (especular o difusamente),
refractada (transmitida) o absorbida. Dicho de manera más simple, una parte del espectro será absorbida
mientras que otra será dispersada (en cualquier dirección).
Cuando los semiconductores absorben fotones, se forman los excitones. Los excitones son el estado de
un electrón y un hueco que se encuentran ligados debido las fuerzas de Coulomb.
La luz tiene propiedades de Onda y de partícula
• Radiación electromagnética
• Fotones
 INTERACCION DE LA LUZ CON LA MATERIA
Cuando la luz pasa de un medio a otro, pueden ocurrir varios fenómenos
• Parte de la luz se transmite por el medio (It)
• Parte se absorbe (Ia)
• Parte se refleja (Ir)

Clasificación Óptica

Transparentes Traslucidos Opacos

 Interacciones Ópticas y Eléctricas
Los fenómenos ópticos que ocurren en los materiales involucran interacciones entre la radiación
Electromagnética y los átomos, los iones y/o los electrones. Dos de las interacciones más importantes son la
polarización eléctrica y las transiciones de energía de los electrones.

• Polarización eléctrica

El campo eléctrico interactúa con la nube electrónica de cada átomo e induce una polarización.

• Consecuencia:
- Parte de la energía de radiación se absorbe
- Las ondas de luz se retardan en velocidad cuando pasan a través del medio, ósea se refractan.
 Interacciones Ópticas y Eléctricas
• Transición Electrónica
En este caso se excita un electrón de un estado E2 a un Estado E4
mediante la absorción de un fotón.

∆E=hv

Tener en cuenta
Un electrón no puede permanecer en estado excitado
indefinidamente, luego de un tiempo este decae a su estado
base emitiendo un fotón.
 Interacción de la luz con un semiconductor
En términos generales se puede decir que los materiales están formados por cargas eléctricas positivas y
negativas (iones y electrones) enlazados entre sí por enlaces elásticos. Por tanto, el campo eléctrico de la
luz ejerce una fuerza en estos materiales que tiende a separar las cargas positivas de las negativas. Este
fenómeno, conocido como polarización de la materia, da lugar a la formación de dipolos eléctricos,
originados por el desplazamiento en sentido opuesto de las cargas positivas y negativas de los átomos y
moléculas cuando se aplica un campo eléctrico. La susceptibilidad eléctrica, ꭕ, de un material cuantifica la
facilidad con la que el sistema de cargas se polariza bajo la acción de un campo eléctrico externo F. Para
campos pequeños (intensidades de luz bajas) la polarización eléctrica inducida P (suma de los momentos
dipolares por unidad de volumen) es proporcional al campo eléctrico:

• ε0(constante dieléctrica en el vacío= 8.854188x10−12. 𝑐2 /N. 𝑚2

• La susceptibilidad de un medio reduce la velocidad de propagación de la luz a través del material, aumentando asi
el índice de refracción. La susceptibilidad depende de la frecuencia de la luz debido a los diferentes mecanismos
de polarización que participan en el medio de propagación.
• A frecuencias altas las moléculas con mayor masa que los electrones, apenas se mueven y la mayor contribución a
la polarización procede de los electrones de las capas atómicas más externas.
• A determinadas frecuencias que son características del material se producen fenómenos de resonancia asociados,
bien sea a la vibración de las moléculas o a la de los electrones. A estas frecuencias la luz es absorbida por el
material.
• Un análisis microscópico detallado de la interacción de la luz con un material requiere conocer la estructura
electrónica completa. No obstante, en la región del espectro visible y ultravioleta, la luz interacciona
fundamentalmente con los electrones menos ligados de los átomos (electrones de valencia), es decir, aquellos
responsables de la estructura química o de la conducción de carga eléctrica en los materiales.
 Propiedades ópticas
• Reflexión y refracción: cambio en la dirección de propagación que ocurre
en las intercaras entre dos medios distintos. En una capa delgada la
reflexión se produce en las intercaras aire-capa y capa-substrato
(reflexión interna)
• Interferencia y difracción: son dos fenómenos que se deben a la
naturaleza ondulatoria de la luz. La difracción es el cambio de dirección
de la luz que se produce en los bordes de los objetos e interferencia es el
refuerzo o disminución de la intensidad de la luz cuando dos ondas
inciden en el mismo punto.
• Absorción: los fotones son absorbidos por el material y su energía se
transforma en excitación de electrones a niveles de energía superior,
vibraciones moleculares, etc.
Estas propiedades son muy importantes en un semiconductor debido a que sus propiedades de
transporte dependen de ellas, un ejemplo de esto son las bandas de valencia (que también dependen de
otros factores como la temperatura y el dopaje). Ya se había discutido antes que la diferencia entre las
bandas de valencia en un conductor, semiconductor y aislante era simplemente el tamaño de la misma.
Poder explicar la banda de valencia de un semiconductor es bastante complicado, se debe saber que los
diagramas de bandas de energía están formadas por múltiples bandas algunas de las cuales están vacías y
otras que están llenas, se puede observar un modelo simplificado que describe a un semiconductor en el
que Ev es el borde de la banda de valencia, Ec es el borde de la banda de conducción y Evacuum es el
nivel de vacío.
• Gracias a las técnicas de fabricación de nanomateriales, se pueden diseñar bandas de energía que se
ajusten a una aplicación en específico, esta es una ciencia denominada Ingeniería de Bandas.
• La banda de energía permite la clasificación de los semiconductores, cuando el mínimo de la banda de
conducción y el máximo de la banda de valencia ocurren al mismo número de onda (cantidad de
ondas en una distancia especifica) se tiene un semiconductor de banda de energía directa, caso
contrario se conoce como semiconductor de banda de energía indirecta.
• Esto es muy importante en dispositivos opto electrónicos, en los que un semiconductor de banda
directa proveerá una absorción o emisión de luz mucho más eficiente que uno de banda indirecta. El
Germanio y el Silicio son un buen ejemplo de semiconductores con banda de valencia indirecta,
mientras que el Arseniuro de Galio tiene una banda directa.
No cabe duda que el semiconductor dominante en el mundo de la tecnología es el Silicio, esto
debido en parte a la excelente calidad que se puede lograr con la heterounión (intercara) entre
Silicio/Oxido de Silicio.
• INTERCARAS O HETEROUNIONES
es uno de los tantos factores que puede afectar las estructuras de las bandas de valencia de los
semiconductores, esto sucede debido a que las heterouniones se realizan entre materiales que
tienen una constante de red bastante parecida (pero no iguales) estas intercaras suelen estar
clasificadas en tres tipos:
• Tipo I: La bandas de energía menor queda completamente abarcado por la banda de
energía mayor, en este tipo de intercara los electrones se moverán hacia el material que la
menor banda de conducción.
• Tipo II: Se produce un desfase en la banda de energía (recordemos que una heterounion
se realiza con materiales que poseen una constante de red parecida, pero no igual), este
desfase provoca que tanto los electrones como los huecos tiendan a moverse hacia el
lado opuesto de la intercara.
• Tipo III: El desfase que se produce debido a la diferencia de las constantes de red
provoca que ninguna banda de energía se superponga, aunque se produce un
solapamiento de la banda de valencia de uno de los materiales con la banda de
conducción del otro.
Como un ejemplo para demostrar las propiedades ópticas de lo semiconductores es necesario hablar
acerca de los pozos cuánticos, en los cuales la absorción o transmisión (reflexión) óptica se debe a
transiciones entre las subbandas de huecos y electrones. Las transiciones de energía se incrementan
cuando el pozo cuántico se hace más angosto, esto debido al aumento del confinamiento de energía.
Conforme aumenta el confinamiento los excitones se vuelven más comunes debido a que los huecos y
los electrones se encuentran más cercanos
• Efectos Intrínsecos y Extrínsecos
Las propiedades ópticas presentes en los semiconductores tienen su origen en los efectos tanto
intrínsecos como extrínsecos. Las propiedades intrínsecas de un semiconductor están relacionadas con la
pureza del mismo, las transiciones ópticas intrínsecas tienen lugar entre los electrones en la banda de
conducción y los huecos en la banda de valencia, es en este tipo de efectos que se incluyen los efectos
excitonicos debido a la interacción (fuerzas) de Coulomb. Se debe tomar en cuenta que existen excitones
libres y excitones ligados, en un semiconductor con muy alta pureza los excitones pueden incluso,
encontrarse en estado de excitación.
Las propiedades extrínsecas se deben ya sea a las impurezas o al dopaje que se realiza a un material e
influyen tanto en la absorción óptica como en la emisión. Es debido a estas propiedades que existen los
estados electrónicos de los excitones que pueden estar ligados a un receptor o donador ya sea neutral o
cargado.
• Fotoconductividad
Se puede definir la fotoconductividad como la conducción eléctrica debido a la excitación de electrones en los que la
luz es absorbida. Cuando un haz de luz entra en un foto detector su energía provoca la excitación de los electrones
de la banda de valencia del semiconductor hacia la banda de conducción, debido a esto la corriente aumenta en
dicho dispositivo. Este aumento de electrones en la banda de conducción produce (aparte del aumento de corriente)
un aumento de la conductividad del semiconductor, en este caso. Las investigaciones en los últimos 10 años han
estado orientas al uso de nanoalambres de Sulfuro de Cadmio (semiconductores) como foto detectores, si bien estos
nanoalambres no tiene una respuesta (aumento y disminución de corriente) tan rápida como los fabricados de Óxido
de Zinc, las investigación se centran en mejorar estos tiempos de respuesta. En la figura de abajo se puede observar
la fotorespuesta de un nanoalambre de Sulfuro de Cadmio debido al estímulo de una fuente de luz, nótese la
velocidad derespuesta del semiconductor.
 Preguntas a responder
• Qué pasa cuando la luz brilla sobre los materiales?
• Porqué los materiales tienen colores característicos?
• Porqué algunos materiales son transparentes y otros no?
GRACIAS