TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET)

Ing. Nancy Enriqueta Guerrón Paredes PhD

Departamento de Eléctrica y Electrónica

FECHA ÚLTIMA REVISIÓN: 13/12/11 CÓDIGO: GDI.3.1.004 VERSIÓN: 1.0

 Definición FET
Field Effect Transistor (Transistor de efecto de campo): Es un
dispositivo semiconductor de estado sólido de tres terminales
(Drenador D, fuente S, compuerta G); la corriente de salida está
controlada por la tensión que se aplica en la entrada (VGS).Sus
terminales son análogos al de un BJT.
D(drenador)= C(colector)
S(surtidor) = E(emisor)
G(compuerta) = B(base)
 Precauciones
Debido a que se controla por voltaje y no por corriente, el
dispositivo puede dañarse, por la presencia de la estática, que es
un voltaje que aparece por efectos de no conexión a tierra de la
entrada; y por tanto para emplearse, el usuario debería
previamente descargar su energía estática, haciendo contacto con
tierra.
En comparación con los transistores BJT, la impedancia de
entrada que poseen es muy alta, por tanto la corriente de entrada
se asume cero; los portadores de carga son unipolares, a
diferencia del BJT que son bipolares; genera menos ruido que los
BJT y su fabricación es más sencilla que un BJT, por lo cual un
integrado puede tener más FETs que BJTs.
 Tipo de Transistores de Efecto de Campo
JFET (HAY DE CANAL N y CANAL P)

MOSFET DE AGOTAMIENTO (Empobrecimiento o Decremental) CH N y CH P)

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 Tipo de Transistores de Efecto de Campo
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO (Incremental) Hay de CH N y CH P

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JFET: Analogía con el BJT

Construido con dos

capas de material
extrínseco, una envuelta
en la otra. La capa
interna tiene dos
contactos óhmicos que
forman los terminales D y
S, y la envuelta
cortocircuitada forma la
G.
 Datos del Fabricante

Más Importantes:
VP= voltaje de estrangulamiento;
IDSS= Corriente de saturación D-S;
PQ= potencia del transistor.
Funcionamiento del JFET

Al igual que un BJT, puede funcionar como un Swicht ON-OFF y como una
resistencia variable. En el estado ON (VDS<VP) la corriente ID que circula entre
drenador y surtidor es la máxima y cuando VGS=0V, se denomina corriente de
saturación drenador-surtidor, que es un dato suministrado por el fabricante (IDSS).
En el estado OFF la corriente ID=0, esto ocurre cuando el |VGS|>=|VP| (voltaje de
oclusión o estrangulamiento, viene dado por el fabricante). Cuando funciona como
resistencia variable la ID depende del voltaje de control VGS aplicado (se usa la
ecuación de Shockley) y es menor que IDSS y se tiene que VDS>VP.
Funcionamiento del JFET

Para controlar la corriente en un JFET de canal N, se usa un voltaje de control

negativo VGS, y para controlar la corriente en un JFET de canal P, se usa un voltaje
de control positivo VGS, de modo que siempre la tensión en la juntura GS sea de
polarización inversa e IG=0.
Regiones de operación del JFET

Región de corte (OFF):

Cuando la tensión puerta-fuente ha
superado o igualado la tensión de ID=0
estrangulamiento del canal (VP), el JFET VGS>= VP
está en estado de no conducción: ninguna
corriente fluye entre fuente y drenador
aunque se aplique una diferencia de
potencial entre ambos.

Región Óhmica:
También conocida como región de
resistencia controlada por voltaje. En esta
región el transistor puede ser utilizado
como una resistencia variable, cuyo valor
resistivo depende del voltaje aplicado a la
compuerta-fuente; siempre que VDS<VP.
Regiones de operación del JFET

Región Activa (También llamada de

saturación)
Cuando la tensión entre drenador y fuente
supera cierto límite (VDS>VP), el canal de
conducción bajo la puerta sufre un
estrangulamiento en las cercanías del
drenador. La corriente entre fuente y
drenador no se interrumpe, ya que es
debida al campo eléctrico entre ambos,
pero se hace independiente de la
diferencia de potencial entre ambos
terminales. La corriente máxima se
encuentra definida como IDSS y ocurre
cuando VGS=0 y VDS>VP
Curvas Características del JFET
Ejemplo: Curva de Transferencia
14 Configuraciones del transistor

Fuente o surtidor común: Entrada G, Salida D

Puerta común: Entrada S, Salida D

Drenador común: Entrada G, Salida S

 Polarización DC del JFET
PUNTO DE OPERACIÓN: También llamado punto
quiescente o punto Q, es un
punto fijo y se refiere al voltaje
y la corriente de la sección de
salida del circuito con
transistor.
Para la configuración surtidor
común sería ID y VDS
Para la configuración drenador
común sería ID y VSD
Para la configuración
compuerta común sería ID y
VDG
1. Circuito de Polarización FIJA
Ej: Circuito de Polarización FIJA
2. Configuración de autopolarización