FIS-913- TÓPICOS EM MATERIAIS

Aula #13: Propriedades Elétricas

SEMICONDUTORES
 SEMICONDUÇÃO
Intrínseca Estrínseca
Aqueles caracterizados pela Comportamento elétrico é
estrutura eletrônica: determinado por
impurezas
Banda de
condução
vazia

Energia de espaçamento Geralmente

espaçamento entre as bandas Eg< 2 eV todos os
semicondutores
Banda de
valência comerciais são
preenchida extrínsecos

Sílicio (Si) Eg= 1,1 eV

Germânio (Ge) Eg= 0,7 eV
 SEMICONDUÇÃO
Intrínseca Estrínseca
Semicondutores elementares:
Impurezas presentes
Sílicio (Si) Eg= 1,1 eV mesmo em baixas
Germânio (Ge) Eg= 0,7 eV concentrações,
introduzem um excesso
de elétrons ou de
Semicondutores compostos:
buracos

•Arseneto de gálio (GaAs) Eg= 1,42 eV

•Antimoneto de índio (InSb) Eg= 0,17 eV  Tipo n
•Sulfeto de cádmio (CdS) Eg= 2,40 eV  Tipo p
•Telureto de zinco (ZnTe) Eg= 2,26 eV
 Semicondução intrínseca
Conceito de buraco
Banda de condução

Estado eletrônico vazio

Banda de valência
Sob a influência de um campo elétrico

A posição desse elétron

que está faltando no
reticulo pode ser
considerada como se
estivesse se movendo
pelo movimento de
outros elétrons de
valência que
repetidamente
preenchem a ligação
incompleta
Conceito de buraco
Estado eletrônico vazio
Banda de condução

buraco

Partícula positivamente
carregada

Considera-se que um buraco

possua uma carga com a
Banda de valência mesma magnitude daquela
apresentada por um elétron,
porém com sinal oposto.
 Silício intrínseco
(antes da excitação)

(após a excitação)

 se movem em sentidos opostos

 Semicondutor intrínseco ou puro
Banda de condução
um único elétron foi
Energia

E
excitado
ve da banda de valência

para a de condução
vb

Banda de valência

Esse elétron pode ser facilmente arrastado pela ação de

um campo elétrico
ele é um portador livre de carga (portador de carga )
A Força elétrica (Fe) sobre o elétron:

Fe   eE
E é a intensidade do campo elétrico
-e é o valor da carga

Velocidade de arraste que irá adquirir o elétron:

e e tempo médio entre duas colisões do elétron

ve   *  e E
me me*massa efetiva do elétron (dentro do cristal)
 deixa
O elétron na banda de valência
excitado

banda de uma lacuna (buraco)

condução
se comporta como uma
carga positiva +e

ação de um
campo

portador de carga
 +e  portador de carga

Velocidade arraste do +e :

e b tempo médio entre duas colisões do buraco

vb  *  b E
mb mb*massa efetiva do buraco (mb* > me*)

comparando Direções opostas

Energia
E
Velocidade arraste do -e :
ve

e
ve   *  e E
me vb
As correntes elétricas (transportadas pelas partículas: -e, +e)

têm o mesmo sentido, o do Campo Elétrico

as grandezas

e
e  *  e mobilidade do elétron
me
e
b  *  b mobilidade do buraco
mb
Se um semicondutor tiver:
uma densidade n de elétrons na banda de condução
uma densidade p de buracos na banda de valência,

A aplicação de um campo elétrico E irá gerar uma densidade

de corrente dada por:
e e
ve   *  e E  e  e
me *
j   n  e  ve  p  e  vb me
e e
vb  *  b E b  *  b
mb mb

j  n  e  e  E  p  e  b  E
 e
e  *  e
j  n  e  e  E  p  e  b  E me
e
b  *  b
mb

A equação da densidade de corrente adquire a forma

explícita dada por Cristal puro,
2 2 todo elétron (b. de condução)
ne pe
j  * e  E  * b  E
me mb um buraco (b. de valência)
e portanto  n = p.
Entretanto, alguns tipos de impurezas no cristal invalidam
essa igualdade.
 Semicondutores extrínsecos ou dopados

Objetivo  aumentar a condutividade do SC pela adição de

uma pequena quantidade de outro material, denominado de
dopante

Si  Número atômico = 14  1s2 2s2 2p6 3s2 3p2

quatro elétrons de valência

no cristal de silício são cedidos 4

elétrons para a banda de valência
Considere agora que o cristal contenha uma impureza de
fósforo, que tem cinco elétrons de valência
P  Número atômico = 15  1s2 2s2 2p6 3s2 3p3
elétrons doados ficam em
P  doador no cristal de silício um nível isolado dentro da
banda proibida

e- e-

Ed = 45 meV
e-
Eg Eg Nível doador ou banda doadora

+ e- e- e- + e- e- e-
e- e- e- e-

N(buracos) = N(elétrons)
Silício + impureza de P
Silício
 Para Cristal Silício + impureza de P

Distância
da banda de doadora  banda de condução é Eg = 45 meV

Eg= 45 meV não é muito superior à energia térmica

correspondente à temperatura ambiente.

tais elétrons são facilmente excitados para banda

de condução.

tornandose assim portadores negativos de carga.

Semicondutor Extrínseco Tipo n

e- e-
h+
h+ +
Ed

e- +

N(buracos) << N(elétrons)

=P
Banda doadora
= Si (cheia)
Considere agora que o cristal contenha uma impureza de
boro, que tem três elétrons de valência
Si  Número atômico = 14  1s2 2s2 2p6 3s2 3p2 a banda de
B  Número atômico = 5  1s2 2s3 valência terá um
estado a menos
B  denominado impureza aceitadora

e- e-

nível aceitador Ea = 57 meV

Eg Eg

+ e- e- e- + e- e- e-
e- e- e-

N(buracos) = N(elétrons)
Silício + impureza de B
Silício
Boro é denominado impureza aceitadora:

o cristal tem um elétron a menos

e também um estado a menos na banda de valência,

A baixas temperaturas a banda de valência estará totalmente

ocupada e não haverá portadores de carga.

Entretanto, à temperatura ambiente, há uma probabilidade

significativa de um elétron ser excitado:

da banda de valência para o nível aceitador,

deixando um buraco na banda de valência .

Semicondutor Extrínseco Tipo p

e-

e-
e-
e- e- e-
EF
+ + + +
h+

N(buracos) >> N(elétrons)

=B
nível aceitador /ou Banda receptora
(vazia)
= Si
Semicondutor (Intrínseco)
e-

Eg
+ e- e- e-

N(buracos) = N(elétrons)
Semicondutor Extrínseco Tipo n
e- e- e- e-
+ + +
h+ Banda doadora
(cheia)
+
e-

Semicondutor Extrínseco Tipo p N(buracos) << N(elétrons)

e-

e- e- e- e-
+ + + +
h+ Banda receptora (vazia)
N(buracos) >> N(elétrons)
A adição intencional de impurezas doadoras ou aceitadoras a
semicondutores é denominada dopagem.
doadores  cristal tipo n,
Um cristal dopado
aceitadores  cristal tipo p.

a dopagem afeta de forma dramática a resistividade elétrica

dos semicondutores
A imensa maioria dos dispositivos da microeletrônica e boa
parte dos da optoeletrônica são baseados em materiais
semicondutores dopados tipo n e/ou p
Efeito da dopagem com fósforo e boro sobre a resistividade do
silício a 300 K
Resistividade (.cm)

Tipo p (boro)

Tipo n (fósforo)

Concentração de dopantes (cm3)

Dispositivos básicos em microeletrônica e optoeletrônica com
propriedades dos semicondutores.

Diodo p-n

Diodo emissor de luz

Célula fotovoltaica
Transistores p-n-p e n-p-n