TRANSISTOR BJT, MOSFET

Y IGBT DE POTENCIA
CONTENIDO:
•BJT
•MOSFET
•IGBT
 TRANSISTORES (Panorámica)

NPN
BIPOLARES
PNP

TRANSISTORES CANAL N (JFET-N)

UNIÓN
CANAL P (JFET-P)

EFECTO
DE CAMPO
METAL-OXIDO- CANAL N (MOSFET-N)
SEMICONDUCTO
R CANAL P (MOSFET-P)

* FET : Field Effect Transistor

 TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor)
Base En principio un transistor bipolar está formado
por dos uniones PN.
(B)
Emisor
Colector Para que sea un transistor y no dos diodos
N P N (E) deben de cumplirse dos condiciones.
(C)
1.- La zona de Base debe ser muy estrecha
C E (Fundamental para que sea transistor).

SÍMBOLO 2.- El emisor debe de estar muy dopado.

B
Normalmente, el colector está muy poco
C dopado y es mucho mayor.

¡¡¡ IMPORTANTE !!!

N- No es un dispositivo simétrico

P N+
Descubiertos por
B E Shockley,
ASPECTO MAS REAL DE UN Brattain y Barden
TRANSISTOR BIPOLAR en 1947
(Laboratorios
Bell)
 CARACTERÍSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN
C
IC [mA]
B
IB [mA] =
E 30
3000
ZONA DE  = 100 ZONA ACTIVA:
SATURACIÓN: 2000 20 Comportamiento
Comportamiento como Fuente de
como interruptor 1000 10 Corriente.
cerrado.
0
VCE

ZONA DE CORTE:
ZONA DE TRANSISTOR INVERSO:
Comportamiento
Emisor y colector intercambias como interruptor
papeles. abierto.
Podemos tener una INVERSA, que en el
dispositivo ideal consideraremos cero
 USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como interruptor

12 V
12 V 36 W
36 W 3A
3A I
12 V
12 V
I  = 100
40 mA

IC
Sustituimos el interruptor principal
por un transistor.
4A IB = 40 mA
La corriente de base debe ser
suficiente para asegurar la zona de PF (ON) 3 A ON
saturación.
OFF
Ventajas:
No desgaste, sin chispas, rapidez,
permite control desde sistema 12 V VCE
lógico. PF (OFF)
Electrónica de Potencia y Electrónica
digital
 USOS DEL TRANSISTOR PNP: Como interruptor

12 V  = 100
40 mA
36 W
3A I 3A
12 V
12 V
I 12 V
36 W

IC
Al igual que antes, sustituimos el
interruptor principal por un 4A IB = 40 mA
transistor.
PF (ON) 3 A ON
La corriente de base (ahora circula al
reves) debe ser suficiente para OFF
asegurar la zona de saturación.

12 V VEC
PF (OFF)
CARACTERÍSTICAS REALES DE LOS TRANSISTOR NPN y PNP

Activa Avalancha
Secundaria
IC
IB IB6
I
CMax
VCE = 0 VCE1 VCE2
IB5

Saturación IB4 PMax = VCEIC

IB3
Avalancha
IB2 Primaria

IB1

VBE IB= 0

1V VCEMax VCE
Característica
Corte
de Entrada
Característica
de Salida
 TRANSISTOR BIPOLAR:
PARÁMETROS SUMINISTRADOS POR LOS FABRICANTES

IC
C
IC-MAX Corriente máxima de colector
ICMAX B
VCE-MAX Tensión máxima CE E

PMAX Potencia máxima PMAX

VCE-SAT Tensión C.E. de saturación SOAR

VCE-MAX
HFE   Ganancia

VCE
Área de operación segura
(Safety Operation Area)
TRANSISTOR BIPOLARES

VCE = 1500
IC = 8
HFE = 20
TOSHIBA
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET - Field Effect Transistor)

CANAL N (JFET-N)
UNIÓN
CANAL P (JFET-P)

EFECTO
DE CAMPO
METAL-OXIDO- CANAL N (MOSFET-N)
SEMICONDUCTO
R CANAL P (MOSFET-P)

Dr Julius Lilienfield (Alemania) en 1926 patentó el concepto de "Field Effect Transistor".

20 años antes que en los laboratorio Bell fabricaran el primer transistor bipolar.
TRANSISTORES MOSFET
(MOS - Metal Oxide Semiconductor + FET - Field Effect Transistor )

CANAL N (JFET-N)
UNIÓN
CANAL P (JFET-P)

EFECTO
DE CAMPO
METAL-OXIDO-
CANAL N (MOSFET-N)
SEMICONDUCTO
R CANAL P (MOSFET-P)

Dr Martín Atalla y Dr Dawon Kahng desarrollaron en

primer MOSFET en los laboratorios Bell en 1960
 Aislante (Si O2)
TRANSISTOR MOSFET - canal N

Puerta Fuente
Drenador (Gate) (Source) Substrato
(Drain) (Substrate)

N N
SECCIÓN
P

Canal
(Channel)

VISTA SUPERIOR
 TRANSISTOR MOSFET - canal N

D G S
Substrato

N N
NOTAR QUE EN
P PRINCIPIO ES
UN
DISPOSITIVO
NOTAR: SIMÉTRICO
D De momento, vamos a olvidarnos
del substrato.
METAL
OXIDO Posteriormente veremos que
SEMICONDUCTOR Substrato hacer con este terminal
"inevitable" para que no afecte a
G la operación del dispositivo.

SÍMBOLO ¡¡Que no moleste!!

S
 MOSFET DE CANAL N (Característica real de salida)
ZONA COMPORTAMIENTO
D FUENTE DE CORRIENTE

I
Substrato UGS[V]
D
G
+15

S +10
+5
0

VDS

ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO

COMO ANTES, LA TENSIÓN DE PUERTA (UGS) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE

BASE.

PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIÓN.

 MOSFET DE CANAL N (¿ Que pasa con el substrato?)
D
G S Substrato

canal
N N
P

D Se observa que los diodos juegan un papel

secundario en la operación del dispositivo.
Canal.
Substrato Debemos asegurar que nunca entren en operación.
Aparece entre D y
S en paralelo a los S EL SUBSTRATO se conecta al punto mas negativo
diodos iniciales del circuito.

Para un solo transistor, se conecta a la FUENTE (S).

En los circuitos integrados se conectará el

SUBSTRATO a la alimentación negativa
MOSFET DE CANAL N (¿ Que pasa con el substrato?)

Se une con S
D
G S
Substrato

canal
N N
P

D D

G
S S
S

¡¡¡ AHORA YA NO ES UN DISPOSITIVO SIMÉTRICO !!!

 MOSFET DE CANAL N (¿ Que pasa con el substrato?)

COMENTARIO:
D D
Aunque a veces se dibuje el
símbolo con un diodo, tener en
cuenta que NO ES UN
COMPONENTE APARTE.

I UGS[V]
G G D
=+15 V
S =+10 V
S
=+5 V
=0V
Diodo parásito
VDS
(Substrato - Drenador)
 MOSFET DE CANAL N (precauciones con la puerta)

La puerta (G) es muy sensible.

D

Puede perforarse con

tensiones bastante pequeñas I
(valores típicos de 30 V). D

No debe dejarse nunca al aire y

debe protegerse - 30 V + 30 V V
adecuadamente. GS
G

CAUTION, ELECTROSTATIC SENSITIVE !!!

 USOS DEL MOSFET - Canal N: Como interruptor

12 V
12 V 36 W
36 W 3A
3A I
12 V
12 V
I
La puerta no
puede quedar al
aire
(debe protegerse)
ID

4A UGS= 12 V
Sustituimos el interruptor principal por
un transistor. PF (ON) 3 A ON

¡¡¡ LA CORRIENTE DE PUERTA ES NULA OFF

(MUY PEQUEÑA) !!!

12 V VDS
PF (OFF)
 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
C

G
E
Combinación de MOSFET y
transistor Bipolar que aúna las
ventajas de los dos:

La facilidad de gobierno del

MOSFET

El buen comportamiento como

interruptor de BIPOLAR

Dispositivo reciente muy

importante en Electrónica de
Potencia

Inventado por H.W. Becke y C.F. Wheatley en 1982

COMENTARIO:

Con los MOSFET e IGBT para manejar corrientes elevadas se

produce un cambio de tendencia importante.

Un Transistor Bipolar de potencia es un solo dispositivo de

dimensiones (Sección) suficiente para manejar la corriente elevada.

Un Transistor MOSFET o un IGBT de potencia, pensado para manejar

corrientes elevadas, está formado por muchos transistores
integrados colocados en paralelo
 C
Cada punto
representa
un MOSFET
N-

P N+
MOSFET DE
POTENCIA
B E
BIPOLAR DE POTENCIA (Muchos pequeños
MOSFET en paralelo,
realmente es un "Circuito
Integrado")