3 - Transistores Amplificacion Realimentacion

Electrónica Industrial - Transistores
Transistores PNP y NPN polarizados en la zona activa

Diagramas de energía de un transistor PNP
Sin polarizar
Juntura Base-Emisor polarizada en directa
Diagramas de energía de un transistor PNP
Polarización normal – Juntura Base-Emisor en directa y

Juntura Base-Colector en Inversa.
La corriente del colector, sin embargo, consta de dos componentes, los portadores mayoritarios y los
minoritarios como se indica en la figura . El componente de corriente de portadores minoritarios se llama
corriente de fuga y se le da el símbolo ICO [corriente IC con el emisor abierto Abierto (Open)]. La corriente
del colector, por consiguiente, está determinada en su totalidad por:
Configuración en Base Común
Características de entrada para un amplificador

de transistor de silicio en configuración en base
común
La flecha en el símbolo gráfico define la dirección de la corriente del emisor (flujo convencional) a
través del dispositivo.
Las curvas indican con claridad que una primera

aproximación a la relación de IE e IC en la región activa
está dada por
Como su nombre lo dice, la región de corte se define

como aquella donde la corriente en el colector es de 0
A.
En la región de corte las uniones base-emisor y
colector-base de un transistor se polarizan en
inversa.
La región de saturación se define como aquella región
de las características a la izquierda de VCB 0.
En la región de saturación las uniones base-emisor
y colector-base se polarizan en directa.
Salida o características del colector de un amplificador de
transistor en base común.
Alfa (α):
Por lo regular alfa va de 0.90 a 0.998, con la mayoría de los valores acercándose a la parte alta del
intervalo
Para situaciones de ca, donde el punto de operación cambia de lugar en la curva de las características,
un alfa de ca se define como
El alfa de ca se llama formalmente factor de amplificación en base común.

Para la mayoría de las situaciones, las magnitudes de aca y acd están muy cercanas, lo que permite
utilizar la magnitud de cualquiera de ellas.
El transistor como amplificador:
Si suponemos por el momento que obtenemos
La amplificación del tensión es:

Los valores típicos de la amplificación de tensión de la configuración en base común varían de 50 a 300.
La amplificación de corriente (Ic/Ie) siempre es menor que 1 para la configuración en base común.
La acción amplificadora básica se produjo al transferir la corriente de la fuente Ii de un circuito de baja
resistencia a uno de alta. La combinación de los dos términos en cursivas produce la etiqueta transistor; es
decir,
transferencia + resistor > transistor
Configuración en Emisor Común
Características de entrada para un

amplificador
de transistor de silicio en configuración en
emisor
común
Las curvas de IB no son tan horizontales como las
obtenidas para IE en la configuración en base común, lo
que indica que la tensión de colector a emisor influye
en la magnitud de la corriente del colector.
En la región activa de un amplificador en emisor

común, la unión base-emisor se polariza en directa
en tanto que la unión colector-base está en inversa.
La región de corte para la configuración en emisor

común no está tan bien definida como para la
configuración en base común. Observe en las
características del colector de la figura que IC no es
igual a cero cuando IB es cero. Para la configuración
en base común, cuando la corriente de entrada IE era
igual a cero, la corriente en el colector era igual sólo
a la corriente de saturación en inversa ICO, de modo
Salida o características del colector de un amplificador deque la curva IE 0 y eje del voltaje eran, para
transistor en emisor común. propósitos prácticos, uno.
La razón de esta diferencia en las características de colector se deduce de lo siguiente:
Reordenado se
obtiene
Si consideramos el caso antes analizado, donde IB 0 A y sustituimos un valor típico de a tal como 0.996,
la corriente resultante en el colector es la siguiente:
A la corriente del colector definida por la condición IB 0 mA se le asignará la notación indicada por la
siguiente ecuación:
Para propósitos de amplificación lineal (distorsión mínima), IC = ICEO define el corte para la
configuración en emisor común
Beta (β): Para dispositivos prácticos el nivel de β
por lo general varía de aproximadamente
50 a más de 400, con la mayoría de los
valores en el intervalo medio.
El nombre formal de βca es factor de amplificación de corriente en

directa en emisor común. Porque la corriente en el colector es por
lo general la corriente de salida para una configuración en emisor
común y la corriente en la base es la corriente de entrada.
Aunque no exactamente iguales los niveles de βca y βcd en

general son razonablemente parecidos y a menudo se utilizan
de manera indistinta.
Es posible desarrollar una relación entre β y α por medio de las relaciones presentadas
hasta ahora.
Además:
Como:
Beta es un parámetro particularmente importante porque crea un vínculo directo entre los niveles de los
circuitos de salida y entrada para una configuración en emisor común. Es decir,
Configuración en Colector Común
La configuración en colector común se utiliza

sobre todo para igualar impedancias, puesto
que tiene una alta impedancia de entrada y
una baja impedancia de salida, lo contrario de
las configuraciones en base común y en
emisor
En común. las características de salida de la
la práctica,
configuración en colector común son las
mismas de la configuración en emisor común.
Para el circuito de
entrada de la configuración en colector común
bastan las características básicas en emisor común
para obtener la información requerida.
Límites de operación
Para las características de base común el

siguiente producto de cantidades de salida
define la curva de potencia máxima:
Ver y analizar hoja de especificaciones técnicas del

transistor
Polarización – Punto Q
1. La unión base-emisor debe polarizarse en

directa (tensión más positiva en la región p),con la
tensión de polarización en CC resultante de cerca
de 0.6 a 0.7 V.
2. La unión base-colector debe polarizarse en
inversa (más positivo en la región n), con la
tensión de polarización en inversa de cualquier
valor dentro de los límites del dispositivo.
Como VE = 0
Como VE = 0
Movimiento del punto Q con el Efecto de un nivel creciente de RC en la Efecto de los valores bajos de
nivel creciente de IB recta VCC en la recta de carga y el
de carga y el punto Q. punto Q.
Análisis exacto
Análisis aproximado
Como:
La condición que define si se puede aplicar el método
aproximado es:
En la secuencia de los cálculos no aparece β e IB no se calculó. El punto Q determinado por ICQ

y VCEQ es por tanto independiente del valor de β.
Por lo común, la ecuación de IB tiene el siguiente formato:
En general, cuanto mayor sea βR’ comparada con RB, menor

será la sensibilidad de ICQ a las variaciones de β. Obviamente,
si βR’>> RB entonces
Modelos equivalentes
Un modelo es una combinación de elementos de un circuito, apropiadamente seleccionados, que
simula de forma aproximada el comportamiento real de un dispositivo semiconductor en
condiciones específicas de operación.
Modelos equivalentes
El equivalente de ca de una red se obtiene como sigue:
1. Poniendo en cero todas las fuentes de cd y reemplazándolas por un equivalente de cortocircuito.
2. Reemplazando todos los capacitores por un equivalente de cortocircuito.
3. Quitando todos los elementos evitados por los equivalentes de cortocircuito introducidos
por los pasos 1 y 2.
4. Volviendo a dibujar la red en una forma más conveniente y lógica.
Modelos equivalentes – modelo re
Configuración en base común

Impedancia de entrada muy baja (R dinámica de un diodo en directa}

Impedancia de salida muy alta, varios mega ohms.
Señal de salida en fase con la entrada.
Análisis de polarización fija en emisor común
POLARIZACIÓN POR MEDIO DEL DIVISOR DE
TENSIÓN
EMISOR COMUN SIN PUENTEAR RESISTOR
DE EMISOR
Queda claro que Av es

independiente de β
COLECTOR COMUN – SEGUIDOR DE

EMISOR
CONFIGURACIÓN BASE
COMUN
DETERMINACIÓN DE LA GANANCIA DE CORRIENTE
Para cada configuración de transistor, la ganancia de corriente se puede determinar directamente a partir
de la ganancia de tensión, la carga definida y la impedancia de entrada.
El signo menos asociado con la ecuación de salida está ahí

sólo para indicar que la polaridad de la tensión de salida está
determinada por una corriente de salida que tiene la dirección
opuesta. Por definición, las corrientes de entrada y salida
tienen una dirección que forma parte de la configuración del
EFECTO DE LA RESISTENCIA DE CARGA Y LA DE FUENTE
La ganancia de tensión con carga de un amplificador siempre es menor que la ganancia sin
carga.
La ganancia obtenida con una resistencia de la fuente en el lugar siempre será menor
que la obtenida con carga o sin carga.
Para la misma configuración AvNL > AvL > Avs.
Para un diseño particular, cuanto mayor sea RL, mayor será el nivel de la ganancia de ca.
Para un amplificador particular, cuanto menor sea la resistencia interna de la fuente de
señal, mayor será la ganancia total
Modelos equivalentes – Cuadripolos
Modelos equivalentes – Cascadas
El método de los cuadripolos es particularmente útil para los sistemas en cascada como los que aparecen
en la figura, donde Av1, Av2, son las ganancias de tensión de cada etapa en condiciones de carga. Es decir,
Av1 está determinada con la impedancia de entrada a Av2 que actúa como la carga en Av1. Para Av2, Av1
determinará el esfuerzo de la señal y la impedancia de la fuente en la entrada para Av2. Entonces, la
ganancia total del sistema la determina el producto de las ganancias totales como sigue:
Modelos equivalentes – Híbrido
Todos los capacitores que aparecen son de capacitancia parásita entre las varias uniones del dispositivo.
Existen todos los efectos capacitivos que realmente sólo entran en juego a frecuencias altas.
La resistencia rb incluye los niveles de contacto de la base, de la masa de la base y de difusión de
resistencia de la base.
El primero se debe a la conexión real con la base. El segundo incluye la resistencia de la terminal externa a
la región activa del transistor y el último es la resistencia real dentro de la región activa de la base. En
general es de algunos a unas decenas de ohms. Los resistores rp, ru y ro son las resistencias entre las
terminales indicadas del dispositivo cuando el dispositivo está en la región activa. La resistencia rπ es
simplemente βre, como se presentó para el modelo re en emisor común. La resistencia ru (el subíndice u se
refiere a la unión que se forma entre la base y el colector) es muy grande y crea una ruta de realimentación
de los circuitos de salida a los de entrada en el modelo equivalente. Por lo general es mayor que βro, lo cual
la coloca en el intervalo de los megaohms. La resistencia de salida ro es la que normalmente aparece a
Transistor de efecto de campo de unión - JFET
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada – MOSFET
TIPO EMPOBRECIMIENTO
TIPO ENRIQUECIMIENTO
Para valores de VGS menores que el nivel de umbral, la corriente de drenaje de un MOSFET tipo
enriquecimiento es de 0 mA
Para niveles de VGS > VT, la corriente de drenaje está relacionada con el voltaje de la compuerta a la
fuente aplicado por la siguiente relación no lineal:
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada – VMOS
Comparados con los MOSFET planos comercialmente disponibles, los VMOS FET tienen niveles
de resistencia de canal reducidos y valores de potencia y corriente más altos.
Los niveles almacenados de carga reducidos aceleran los tiempos de conmutación para la
construcción de VMOS, comparados con los de la construcción plana convencional.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada – CMOS
Transistor de efecto de campo – Polarización – Punto Q
CONFIGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN
POLARIZACIÓN POR MEDIO DEL DIVISOR DE TENSIÓN
POLARIZACIÓN MOSFET TIPO ENRIQUECIMIENTO
POLARIZACIÓN POR REALIMENTACIÓN
POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE TENSIÓN
El análisis realizado hasta ahora se ha limitado a sólo FET de canal n. Para los FET de canal p se
emplea una imagen de espejo de las curvas de transferencia y las direcciones de la corriente
definidas se invierten.
Transistor de efecto de campo – Modelo equivalente
La diferencia de potencial de la compuerta a la fuente controla la corriente del drenaje a la fuente
(canal) de un JFET.
Determinación matemática de gm
Determinación gráfica de gm
Modelo para JFET y MOSFET Tipo Empobrecimiento

Electrónica Industrial - Amplificadores
Clases de Amplificadores de Potencia
Amplificadores de potencia de audio
Este tipo de amplificadores de potencia se utilizan para aumentar la magnitud de la potencia de una
señal de audio más débil. Los amplificadores utilizados en circuitos de altavoces de televisores,
teléfonos móviles, etc. entran en esta categoría. La salida de un amplificador de potencia de audio
varía desde unos pocos milivatios (como en los amplificadores de auriculares) hasta miles de vatios
(como amplificadores de potencia en sistemas Hi-Fi/Home theatre).
Amplificadores de potencia de radiofrecuencia
Las transmisiones inalámbricas requieren que las ondas moduladas se envíen a largas distancias por
aire. Las señales se transmiten usando antenas y el rango de transmisión depende de la magnitud de la
potencia de las señales alimentadas a la antena. Para transmisiones inalámbricas como la transmisión de
FM, las antenas requieren señales de entrada a miles de kilovatios de potencia. Aquí, los amplificadores
de potencia de radiofrecuencia se emplean para aumentar la magnitud de la potencia de las ondas
moduladas a un nivel lo suficientemente alto como para alcanzar la distancia de transmisión requerida.
Amplificadores de potencia de CC
Los amplificadores de potencia de CC se utilizan para amplificar la potencia de un PWM (Señales de
ancho de pulso). Se usan en sistemas de control electrónico que necesitan señales de alta potencia para
accionar motores o actuadores. Toman información de los sistemas de microcontroladores, aumentan su
potencia y alimentan la señal amplificada a motores de CC o actuadores.
Clases de Amplificadores de Potencia
Amplificadores de Potencia – Clase A
Amplificadores de Potencia – Clase A
Amplificadores de Potencia – Clase B
Amplificador Clase B – en simetría complementaria Amplificador en simetría complementaria simplificado

Punto de trabajo y distorsión de cruce por cero

Mediante diodos Mediante transistores Mediante resistores NTC

Distintas formas de polarización para trabajo en clase AB
Amplificadores de Potencia – Clase C
Linealidad: Difícil, sacrificando ganancia.

Rendimiento máximo: Alto, 80-90 %.
Ganancia: Baja.
Impedancia de entrada: Muy no lineal.
Corriente de colector: Picos altos y estrechos.
Ancho de banda: Pequeño.
Amplificadores de Potencia – Clase D
Un amplificador clase D está

diseñado para que opere con
señales digitales o de pulsos. Con
este tipo de circuito se logra una
eficiencia de más de 90%
Electrónica Industrial - Realimentación
EN SERIE EN PARALELO EN SERIE EN PARALELO

REALIMENTACIÓN DE TENSIÓN REALIMENTACIÓN DE CORRIENTE
Realimentación de tensión en serie

Realimentación de tensión en paralelo
Realimentación de corriente en serie
Electrónica Industrial - Oscilación
criterio de oscilación de Barkhausen
- El desfasaje de conjunto de la ganancia de lazo, Aβ, debe ser nulo. Esta

es la ´condición de fase.
- Módulo de Aβ debe ser la unidad. (condición de ganancia, o de
mantenimiento)
- Para garantizar que la oscilación empiece, es preciso cumplir la
condición de ganancia por exceso (algo mayor que 1): condición de
arranque.
Oscilador por desplazamiento de fase
Oscilador de puente de Wien
Si, en particular, los valores son R1 = R2 =

R y C1 = C2 = C, la frecuencia del
oscilador es:
Osciladores Sintonizados
Oscilador Colpitts
Oscilador Hartley
OSCILADOR DE CRISTAL
Electrónica Industrial - Multivibradores
ASTABLE
El período de oscilación T es:

T = 0,69.(R1C1 + R2C2)
Para R1=R2=R y C1=C2=C
T= 1,38 RC
MONOESTABLE
El tiempo T del estado casi estable viene dado por:
T = 0,69 RB.CB
BIESTABLE
Se denomina así a este multivibrador por tener dos estados estables; es decir, que cuando se conmuta a
uno de los componentes activos se retiene el estado, pudiéndose luego revertir el mismo.
Es el circuito fundamental de todos los Flip-Flop, y por ser excitado simétricamente también se lo
denomina como RS por sus dos entradas: una para resetearlo (ponerlo a cero) y otra setearlo (ponerlo de
nuevo a uno).
SCHMITT-TRIGGER

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Transistores PNP y NPN polarizados en la zona activa

Polarización normal – Juntura Base-Emisor en directa y

Características de entrada para un amplificador

Las curvas indican con claridad que una primera

Como su nombre lo dice, la región de corte se define

El alfa de ca se llama formalmente factor de amplificación en base común.

Si suponemos por el momento que obtenemos

La amplificación del tensión es:

Características de entrada para un

En la región activa de un amplificador en emisor

La región de corte para la configuración en emisor

El nombre formal de βca es factor de amplificación de corriente en

Aunque no exactamente iguales los niveles de βca y βcd en

La configuración en colector común se utiliza

Para las características de base común el

Ver y analizar hoja de especificaciones técnicas del

1. La unión base-emisor debe polarizarse en

En la secuencia de los cálculos no aparece β e IB no se calculó. El punto Q determinado por ICQ

Por lo común, la ecuación de IB tiene el siguiente formato:

En general, cuanto mayor sea βR’ comparada con RB, menor

Configuración en base común

Impedancia de entrada muy baja (R dinámica de un diodo en directa}

Queda claro que Av es

COLECTOR COMUN – SEGUIDOR DE

El signo menos asociado con la ecuación de salida está ahí

Modelo para JFET y MOSFET Tipo Empobrecimiento

Amplificador Clase B – en simetría complementaria Amplificador en simetría complementaria simplificado

Punto de trabajo y distorsión de cruce por cero

Mediante diodos Mediante transistores Mediante resistores NTC

Linealidad: Difícil, sacrificando ganancia.

Un amplificador clase D está

EN SERIE EN PARALELO EN SERIE EN PARALELO

Realimentación de tensión en serie

criterio de oscilación de Barkhausen

- El desfasaje de conjunto de la ganancia de lazo, Aβ, debe ser nulo. Esta

Si, en particular, los valores son R1 = R2 =

El período de oscilación T es:

Para R1=R2=R y C1=C2=C

El tiempo T del estado casi estable viene dado por:

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