Metal Oxido de

Silicio (MOS)
Ferruzca Morales Juan Jesús
Martínez García Jovanny
Alexis Mendoza Ciprian
Velasco Avilés Ernesto Daniel
Castro Leal Luis
 Transistor Bipolar (BJT)

Es un dispositivo electrónico de estado sólido

consistente en dos uniones PN muy cercanas entre
sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el
voltaje.
 Regiones operativas del
transistor
 Región activa directa en cuanto a la polaridad:
En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de
la corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente, es un dato del
fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el
colector y emisor. 
 Región inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo
activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso.
 Región de corte:
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el
voltaje de alimentación del circuito.
 Región de saturación:
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de
alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el
colector o el emisor o en ambos.
 Transistor metal oxido de
silicio (MOS)
 Es un transistor utilizado para amplificar o
conmutar señales electrónicas.
 Es un dispositivo de cuatro terminales
llamados fuente (S, Source), drenador (D,
Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk).
Regiones de operación

  
Región de corte: Cuando < en estas condiciones
es equivalente a un circuito abierto.
 Región óhmica: Entra en esta región cuando y ,
el MOSFET obtiene un valor .
 Región de saturación: y en esta esta zona el
MOSFET mantiene constante.
 El MOSFET es un dispositivo de conmutación, por lo
que evitaremos polarizarlo en la zona activa. La
tensión de entrada típica tomará un valor bajo o
alto. La tensión baja es 0V y la tensión alta es .
MOSFET DE
EMPOBRECIMIENTO
 Se compone de una pieza de material tipo N con
una zona P (sustrato) a la derecha y una puerta
aislada a la izquierda.
 Los electrones que circulan desde la fuente hacia el
drenador deben pasar a través del estrecho canal
entre la puerta y la zona P.
 Uso limitado. Radiofrecuencia.
MOSFET DE
ENRIQUECIMIENTO
 El substrato P se extiende a lo ancho hasta el
dióxido de silicio; ya no existe un canal n entre la
fuente y el drenador. Se muestra las tensiones de
polarización normales. Cuando la tensión de puerta
es nula, la corriente de fuente y el drenador es nula.
Hoja de datos 2N7000
Aplicación de transistores MOSFET
Aplicación

 Control de motores
Comentarios
 Falta explicar Agotamiento y Enriquecimiento de los
Mosfet
 Sus formulas ??
 Sus Ejercicios, preguntas o actividad, recuerden que
uno lo hacen ustedes y otro el grupo.
 Características de Conmutación ???
 Explicar la Aplicación
 Explicar Hoja de Datos