Metal Oxido de

Silicio (MOS)
Ferruzca Morales Juan Jesús
Martínez García Jovanny
Alexis Mendoza Ciprian
Velasco Avilés Ernesto Daniel
Castro Leal Luis
 Transistor metal oxido de
silicio (MOS)
 Es un transistor utilizado para amplificar o
conmutar señales electrónicas.
 Es un dispositivo de cuatro terminales
llamados fuente (S, Source), drenador (D,
Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk).
Regiones de operación

  
Región de corte: Cuando < en estas condiciones
es equivalente a un circuito abierto.
 Región óhmica: Entra en esta región cuando y ,
el MOSFET obtiene un valor .
 Región de saturación: y en esta esta zona el
MOSFET mantiene constante.
 El MOSFET es un dispositivo de conmutación, por lo
que evitaremos polarizarlo en la zona activa. La
tensión de entrada típica tomará un valor bajo o
alto. La tensión baja es 0V y la tensión alta es .
Características
conmutación
 El tiempo de cambio de estado no es cero.
 Caída de voltaje en el estado de conducción.
 Hay un ligero paso de corriente en el estado de no
conducción.
 Hay perdidas por conmutación.
MOSFET DE
EMPOBRECIMIENTO
 Se compone de una pieza de material tipo N con
una zona P (sustrato) a la derecha y una puerta
aislada a la izquierda.
 Los electrones que circulan desde la fuente hacia el
drenador deben pasar a través del estrecho canal
entre la puerta y la zona P.
 Uso limitado. Radiofrecuencia.
MOSFET DE
ENRIQUECIMIENTO
 El substrato P se extiende a lo ancho hasta el
dióxido de silicio; ya no existe un canal n entre la
fuente y el drenador. Se muestra las tensiones de
polarización normales. Cuando la tensión de puerta
es nula, la corriente de fuente y el drenador es nula.
Hoja de datos 2N7000
Aplicación de transistores MOSFET
Aplicación

 Control de motores
Bibliografía

 http://esimerobotica.tripod.com/MOSFET2.pdf
 Electrónica de potencia; Principios fundamentales y
Estructuras básicas, Eduardo Ballester, Marcombo.
 https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/el-transis
tor-mosfet