Una de las características esenciales delos sistemas digitales sobre los
sistemas analógicos es su capacidad de almacenar fácilmente grandes cantidades de información. La mayoría de los procesos lógicos en los sistemas digitales se encuentran constituidos por sistemas que manipulan la información binaria y requieren del almacenamiento temporal o permanente de los estados lógicos.
Una memoria es un dispositivo con la capacidad de almacenar datos
binarios por periodos largos o cortos de tiempo, es decir que tienen la capacidad de memorizar el nivel de una variable binaria (bit).
Las memorias pueden ser: semiconductoras, ópticas o magnéticas.
Las memorias semiconductoras se usan comúnmente como memorias
internas dada su velocidad de operación. Las memorias magnéticas u ópticas se usan generalmente como memorias externas debido a su alta capacidad para almacenar grandes volúmenes de datos, aunque son más lentas comparadas con las semiconductoras. Estructura de una Memoria Las unidades de memoria son módulos conformados por un conjunto de flip- flops o condensadores agrupados de tal forma que almacenan varias palabras binarias de n bits. Cada una de ellas tienen la capacidad de almacenar un bit de información (1 o 0), y se conocen con el nombre de celdas de memoria. Las celdas o bits de memoria se ubican mediante la fila y la columna en la que se encuentra. Celda: elemento dentro de una memoria que almacena un bit de datos (1 o 0), puede corresponder a un único dispositivo electrónico como un flip-flop, condensador, o a un canal de disco magnético. Palabra: es un grupo de celdas (bits) que representa datos o instrucciones dentro de una memoria, el tamaño de palabra varia de 4 a 64 bits Bit: estado 1 o 0 Nibble: grupo de 4 bits, (medio Byte) Byte: grupo de 8 bits. Un único espacio de memora direccionable de tamaño 8 bits. Capacidad: es la manera como se especifica cuantos bits se pueden almacenar en una memoria en particular. (numero total de datos que se pueden almacenar), se puede dar en bits en bytes. (n palabras x m bits). En los computadores las memorias son del orden de 256 Mbytes de capacidad Ejemplo: - una memoria de 8 palabras y 8 bits por palabra (8x8) tiene una capacidad de 64 bits o de 8 bytes. - una memoria de 4096 palabras y 20 bits por palabra (4096x20) tiene una capacidad de 81920 bits. Ejercicio: -¿Cual sera la capacidad de una memoria de 2Kx8? 2*(1024)*8= 32768 bits - ¿Cuál de las siguientes memorias almacena mas bits 5Mx8 o 1Mx16 Densidad: es un termino relacionado con la capacidad de una memoria y consiste en definir que una memoria es mas densa que otra dado que tiene la capacidad mayor de almacenar mas bits en un mismo espacio. Direccion: es la posición de una unidad de datos dentro de la matriz de memoria y consiste en un numero que identifica la localidad de una palabra (localización física) dentro de la memoria y es única para cada palabra almacenada en la memoria, se especifica en binario, octal, decimal o hexadecimal
Tiempo de acceso: corresponde al tiempo que tarda una memoria en
acceder a la información (medida de la velocidad de operación. También se puede decir que es el tiempo que se requiere para una operación de lectura. tacc= tiempo de recepción de una dirección en la entrada y la disposición de los datos en la salida Operación de lectura: se le llama también extracción (fetch), y consiste en la operación por la cual la palabra almacenada en una localidad especifica de la memoria es captada y transferida (extraida). Por ejemplo si se necesita el dato almacenado en la dirección 0x3, se coloca el código correspondiente a la dirección 011 en el registro de direcciones para que el decodificador de direcciones localice la dirección y seleccione la posición correspondiente para que se haga una copia del dato en el bus de datos y se cargue al registro de datos. Operación de escritura: se conoce como almacenar (storage), y consiste en la operación por medio de la cual se coloca una nueva palabra en cierta localidad de la memoria. Si una palabra se escribe sobre una localidad de memoria, esta reemplaza cualquier otra palabra que anteriormente se encontraba en dicha localidad. Por ejemplo si se quiere almacenar un dato en la ubicación 0x5 de la memoria, se introduce en el bus de direcciones el código correspondiente 101 y el decodificador de direcciones localiza la dirección y seleccionando la posición para que se guarde el dato proveniente del registro de datos sobre la localidad de memoria correspondiente Memoria volatil: es un tipo de memoria que requiere de aplicación de energía eléctrica para mantener la información, si se corta el suministro de energía la información se borra automáticamente. Generalmente las memorias semiconductoras son volátiles Memoria no volatil: es un tipo de memoria en la cual si se corta el suministro de energía la información no se borra, sino que permanece almacenada por un tiempo prolongado. Generalmente las memorias magnéticas son no volátiles. RAM: (Random Access Memory) memoria de acceso aleatorio, son memorias volátiles en las cuales la localización física real de una palabra no afecta el tiempo que se tarda en leer dicha palabra en esa localidad o escribir en ella. tacc es igual para cualquier localidad de memoria. SAM: memoria de acceso secuencial, es contraria a la RAM, es decir que el tiempo de acceso no es contante sino que depende de cada localidad de la memoria. Para localizar un dato es necesario recorrer toda la memoria. RWM: es un tipo de memora que se puede leer y escribir indistintamente con la misma facilidad. SRAM: es un tipo de memoria RAM estática en la cual los datos almacenados permanecen guardados mientras que no se corte la fuente de energía si necesidad de reescribirlos periódicamente. Estan compuestas por latch. DRAM: es un tipo de memoria RAM dinamica en la cual los datos almacenados no permanecen guardados aun si la fuente de energía esta activa, sino que necesitan ser reescritos periódicamente o referscados. Están compuestas por condensadores. Memoria cache: es una memora de alta velocidad tipo SRAM relativamente pequeña que almacena los datos o instrucciones recientemente utilizados en la memoria principal, que generalmente es mas grande pero mas lenta. ROM: (Read Only Memory), memoria de solo lectura, es un tipo de memoria no volatil que solo puede escribirse una vez y los datos quedan almacenados en ella de forma permanente, pudiéndose solo leerse, alguna veces se puede reescribir pero el proceso de escritura es mas complicada que el de lectura. Normalmente se llama ROM mascara PROM: es un tipo de memoria en la cual se pueden escribir datos con ayuda de equipos especializados. OPT: one time programable, es un tipo de PROM, que se puede grabar una vez, y despues solo se puede leer, son baratas y se usan para fabricacion en serie. EPROM: (Erasable Programable Read Only Memory), PROM borrable, es un tipo de memoria que se puede volver a grabar si se borran los datos existentes en la matriz de memoria, Existen dos tipos las UV-EPROM u las EEPROM, de acuerdo a la manera de borrado. UV-EPROM: común mente llamada EPROM, generalmente pose una ventana de cristal de cuarzo que permite borrar la memoria usando luz ultravioleta, para posteriormente grabarla nuevamente, se puede grabar varias veces pero es costosa
EEPROM: (Electrically Erasable Programable Read Only Memory), también
llamada E2PROM, PROM borrable eléctricamente, es un tipo de memoria que se puede volver a grabar y borrar mediante el control de un programa y un circuito programador adecuado mediante pulsos eléctricos, es mas económica y mas rápida que la UV-EPROM.
FLASH: son memorias de lectura escritura de alta densidad, no volátiles,
que se pueden grabar y borra fácilmente. Son de alta velocidad y relativamente económicas, se usan para programas de usuario. Memoria interna: es la memoria principal o memoria de trabajo del sistema, allí se guardan las instrucciones, y los datos sobre los cuales se está trabajando en la CPU, son de tipo semiconductor y son rápidas aunque limitadas en capacidad. Memoria secundaria: llamada también memoria externa, es la memoria encargada de almacenar grandes cantidades de información externa al sistema, es no volátil por ejemplo los discos magnéticos. Memoria CACHE: Es un tipo de memoria intermedia de alta velocidad que sirve como memoria de respaldo de las memorias internas que son de menor velocidad que el procesador. Los datos de programa son trasmitidos a la cache cuando la CPU las necesita. FIFO: (First In- First Out): Primero que entra es el primero en salir, el primer datos que se escribe es el primero que se lee, se usa en sistemas con velocidades diferentes por ejemplo el PC y la impresora, también es llamada buffer o memoria intermedia. LIFO: (Last In – First Out): ultimo en entrar es el primero en salir, este tipo de memoria almacena datos y luego los saca en orden inverso, el ultimo dato almacenado es el primero que se lee, también es llamada pila Push down. Operaciones generales en la memoria La función básica de las memorias es almacenar información. Sin embargo las memorias tienen la función específica de escribir y leer los datos en su interior. En cada tipo de memoria la operación interna es diferente, pero los principios básicos son los mismos para todos los sistemas de memoria. Cualquier sistema de memoria requiere varios tipos diferentes de lineas de entrada y salida para: -Seleccionar la dirección de la memoria a la que se desea tener acceso en operación de W y R. -Seleccionar la operación W y R. -Proporcionar los datos de entrada que se van a almacenar si la operación es de W -Retener los datos de salida almacenados si la operación es de R -Habilitar o deshabilitar la memoria de En la entrada para direcciones se tiene que: 32 palabras de 4 bits, son 4 forma que responda o no a las entradas y 4 salidas, son 32 direcciones entradas de dirección y a los comandos de la 0 a la 31 es decir 5 bits de de W y R. dirección. Conexiones entre la CPU y la memoria En los computadores modernos las memorias actúan directamente con la CPU a través de canales de comunicación llamados buses. Los Circuitos Integrados de RAM o ROM que se conectan a la CPU por medio de tres líneas de señal o buses.
- Líneas de dirección o bus de dirección: Es un canal unidireccional que lleva
las direcciones binarias desde la CPU a los circuitos de memoria. - Líneas de datos o bus de datos: Es un canal bidireccional que lleva o trae los datos entre la CPU y los circuitos de memoria. - Líneas de control o bus de control: Es un canal que lleva señales de control de lectura o escritura para efectuar dichas operaciones. EXPANSIÓN DE MEMORIA Expansión del tamaño de palabra La longitud del tamaño de palabra se puede aumentar cuando se necesario almacenar en una memoria palabras de mayor tamaño, por ejemplo si se quiere aumentar a 8 bits de longitud de palabra una memoria de 256x4. La aumentar el tamaño de palabra el número de bits del bus de datos también aumenta. Para esto se conectan las líneas de dirección entre si y se toman las salidas independientes. EXPANSIÓN DE MEMORIA Expansión de la capacidad La capacidad de una memoria se puede incrementar cuando se necesita almacenar un número mayor de palabras en una memoria para la cual esta diseñada. Por ejemplo si se requieren aumentar a 512 palabras la capacidad de una memoria de 256x4. Para esto se conectan las líneas de dirección entre si y las líneas de datos entre si y para obtener un mayor número de bits de dirección se toma una de las líneas de control de cada memoria como bit de direcciones más significativo adicional invirtiendo una de las dos. DISCOS MAGNETICOS Un disco duro o disco rígido es un dispositivo no volátil, que conserva la información aun con la pérdida de energía, que emplea un sistema de grabación magnética digital. Dentro de la carcasa hay una serie de platos metálicos apilados girando a gran velocidad. Sobre los platos se sitúan los cabezales encargados de leer o escribir los impulsos magnéticos. Tal y como sale de fábrica, el disco duro no puede ser utilizado por un sistema operativo. Antes se deben definir en él un formato de bajo nivel, una o más particiones y luego hemos de darles un formato lógico que pueda ser entendido por nuestro sistema. Cada sistema operativo tiene unos sistemas de archivos más habituales: • Windows: FAT, FAT16, FAT32, NTFS, EFS, ExFAT. • Linux: ext2, ext3, ext4, JFS, ReiserFS, XFS. • Mac: HFS, HFS+. • Solaris: UFS, ZFS Estructura física Platos: uno o varios platos (entre 2 y 4 normalmente, aunque hay hasta de 6 ó 7 platos), que son discos (de aluminio o cristal) concéntricos en donde se graban los datos y que giran todos a la vez.
Cabezal: es un conjunto de brazos alineados verticalmente que se
mueven hacia dentro o fuera a la vez según convenga, En la punta de dichos brazos están las cabezas de lectura/escritura, que gracias al movimiento del cabezal pueden leer tanto en las zonas interiores como exteriores del disco. Cada plato tiene 2 caras y es necesaria una cabeza por cada cara (no es un cabeza por plato sino por cara) Las cabezas nunca tocan el plato sino que pasan muy cerca (3 nanómetros), debido a una finísima película de aire que se forma entre estas cuando los platos están girando a 7200 rpm (129 Km/h), si una de las cabezas llega a rozar la superficie del disco causaria muchos daños en el rayándolo gravemente. Estructura física Motor: es el que hace girar los platos Electroiman: es el que mueve el cabezal Circuito de control: es el circuito electrónico que controla al disco, incluyendo la interface con la computadora Carcaza: es el armarte que protege el arreglo y le da rigidez, normalmente se le agrega un filtro de aire. Tipos de conexión DISCOS OPTICOS DISCOS OPTICOS DISCOS OPTICOS DISCOS OPTICOS DISCOS OPTICOS