LECCIÓN 2

Estadística de Electrones y
Huecos en Semiconductores
 Semiconductor Intrínseco
 Impurezas y su Estadística de Ocupación
 Semiconductor de Tipo N (no compensado)
 Semiconductor Compensado
 Semiconductor Degenerado
 Semiconductor Intrínseco
Banda de
conducción - -
- -
Eg
- - - - -
Banda de Ge
- Ge - Ge - Ge
valencia - - - - -
Semiconductor - - - -
Eg=0.5-2eV
- -
- + - - -
Ge Ge - Ge - Ge
- - - -

0K 300 K

•Hay
•Hay 11 enlace
enlace roto
roto por
por cada
cada 10
109 átomos.
9
átomos.
•Un
•Un electrón
electrón “libre”
“libre” yy una
una carga
carga “+”
“+” (hueco)
(hueco) por
por cada
cada
enlace
enlace roto.
roto.
 Semiconductor Intrínseco
Electrones
Estados posibles
Ev
E
T = 0 K N =  gV ( E )dE
0
gc(E)
Ec
EF 1
f (E)  E  EF
Ev
1  e kT
f (E)
gv(E)
T>0K
0 0.5 1
Estados posibles
Electrones Ev 
N=  f(E) g (E)dE +  f(E) g (E)dE
0
v c
Ec
 Electrones
Estados posibles Semiconductor Intrínseco
E
T>0K
fv=1-f
gc(E)
Ec El
Elnivel
nivelde
deFermi
Fermitiene
tieneque
queser
sertal
tal
que las áreas que representan
que las áreas que representan
EF huecos
huecosyyelectrones
electronessean
seanidénticas
idénticas
(semiconductor
(semiconductorintrínseco)
intrínseco)

Ev Ev

f (E)  g v ( E )dE =
gv(E) 0

Ev 
0 0.5 1  f(E) g v (E)dE +  f(E) g c (E)dE
Huecos
Estados posibles
Electrones 0 Ec
Ev 
  1  f(E) g v (E)dE =  f(E) g c (E)dE
0 Ec
E  EF

1  f(E) = 1 
1
1+ e
E  EF
= e
1+ e
kT
E  EF
=
1
1+ e 
E  EF p=n
kT kT kT
 Semiconductor Intrínseco
g (E )

n=p
g (E )

g (E ) f (E )

En el semiconductor no degenerado Ee = E - Ec Eh= -(E-Ev)

el nivel de Fermi se encuentra en la
banda prohibida >> kT EFe=Ec - EF EFh=EF - Ev
 0
1 1
 g c ( Ee ) Ee  E Fe dE e   g v ( Eh ) Eh  E Fh
dEh
0 1 + e kT Ev 1 + e kT
 + 0 +
 E e E Fe  E h E Fh
 g c ( E e ) e kT dE e   g v ( E h ) e kT ( dE h )
0 
Las energías EFe y EFh son magnitudes positivas y >> kT, pues son las distancias de la
banda de conducción al nivel de Fermi (dentro de la banda prohibida en un
semiconductor no degenerado) y de éste a la banda de valencia.
 Semiconductor intrínseco
 E Fe   E Fh 0
 Ee  Eh
n  e kT g  ( )
c E c e kT dE e
 e kT  g v ( E h ) e kT ( dE h )  p
0 
 Ee

g c ( E e ) e kT dE e
Nc=  Semiconductor intrínseco no degenerado
0
 E Fe =  E Fh = p

 Eh
g v ( E h ) e kT dE h
n= N c e kT N v e kT
Nv= 
0
Válido para cualquier semiconductor no degenerado:

E Fe+E Fh Eg
  2
np = Nc Nve kT = N c N v e kT = ni
Para dar una expresión final para las densidades de estados integrales en las bandas de
conducción y valencia, habremos de integrar la densidad de estados para electrones y
huecos: 3
1  2 m*e,h  2
g c,v ( E e,h ) = 2  2  Ee,h
2   
dN  g (k )dVk  g ( E )dE DENSIDAD DE ESTADOS

1D dk 1
k dN k1D  2 dk
2

2D ky

2
 1  2
dN k2 D  2  d k
kx  2 

kz
3D

3
 1  3
dN k3D  2  d k
ky  2 
kx
dN  g (k )dVk  g ( E )dE DENSIDAD DE ESTADOS

1D dk 1
k dN k1D  2 dk
2

1 dN 1 1 Bandas parabólicas
dk  dE g1D ( E )  
 dE  dE  dE
 
 dk  dk

dE  2 k  2 2 m * ( E  E0 ) 
   2 m * ( E  E0 )
dk m* m*  2
m *

 2k 2
E ( k )  E0 
2m*

m 
1
* 2
1
g1D ( E ) 
2  E  E  12
0
dN  g (k )dVk  g ( E )dE DENSIDAD DE ESTADOS

ky
1
E+dE dN 2D
 2 k dk
2
k 2
E

kx
k dN k 1
k+dk g2D (E)  
dE  dE
dE  2 k dk
 *
dk m

m*
g2D (E) 
 2
dN  g (k )dVk  g ( E )dE DENSIDAD DE ESTADOS

1
dN k3 D  4 k 2
dk
4 3

dN k 2 1
dE  2 k g3D ( E )   2
 * dE  dE
dk m dk

 
3
* * *
mk m 2m ( E  E0 ) 2 m* 2
g3D ( E )  2 2  2 2 g3D ( E )  E  E0
    2  2 3
 DENSIDAD DE ESTADOS
Banda de conducción en un semiconductor ortorrómbico o en
cúbicos con k distinto de 0.

 
1
* * * 2
2mmm x y z
g3D ( E )  E  E0
 
2 3

Banda de conducción “multi-valle” (GERMANIO)

 
1
* * * 2
2mmm
g3D ( E )  M 1 2 3
E  E0
  2 3
 Semiconductor Intrínseco
3 3
 1 3
 *
1 2 me,h  2 E e,h 
1 2 me,h *  2
  
N C,V = 2  2   e kT Ee2,h dEe,h =   kT 2  e x xdx
2    0 2  2   2  0

3
E
 m*e,h kT 2 kT 3 3  g
N c,v = 2  2

 ni2 = 4 ( ) ( m*e m*h )2 e kT
 2  2  2

3 E
3  g
kT 2
ni = 2 ( ) ( m*e m*h )4 e 2 kT
2  2
ni (cm-3)

  +
 Ec E F  E F Ev N v Ec Ev 2
 p  e kT = e kT
EF
n N c e kT  N v e kT
Nc

c + E v kT  N v  E c + E v kT *
E + ln  = m
+ 3 ln( *h )
EF =
2 2  Nc  2 4 me
 Impurezas

Si se introducen pequeñas cantidades de impurezas del grupo V

- - - -
- - - - -
G - G - G - G
e
- e
- e e
0K
- -
- 1
- - 5 - -
2
- -
- - -
G G G
-
Sb
- -
e- - 4 e
- e
3 -
Tiene 5 electrones en la
última capa, uno más
que el Ge.
 Impurezas

Si se introducen pequeñas cantidades de impurezas del grupo V

- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - 5
300 K
- - -
- - 1 - -
2
- -
- - -
G G G
-
Sb+
- -
e
- Sb - 4 e
- e
3 -
Al
Al aumentar
aumentar la la temperatura
temperatura apenas
apenas unas
unas decenas
decenas de
de KK será
será
posible
posibleionizar
ionizarel
elátomo
átomodedeSb,
Sb,ofreciendo
ofreciendoelectrones
electronesaaBC.
BC.
Se
Sedice
diceentonces
entoncesquequeel
elSb
Sbesesuna
unaimpureza
impurezadadora.
dadora.
En
EnelelGe
Gehabrán
habránmásmáselectrones
electronesque
quehuecos.
huecos.
Es
Esun
unsemiconductor
semiconductorde detipo
tipoN.
N.
 Impurezas

Interpretación en diagrama de bandas de un

semiconductor extrínseco Tipo N

4 est./atm.
3 est./atm. 300
0ºK K
1
0 electr./atm.
electr./atm.
-
Energía

-
+ Eg=0.67eV
ESb= 0.039 eV

- - 4 electr./atm.
- -

El
El Sb
Sb da
da lugar
lugar aa un
un nivel
nivel de
de energía
energía permitido
permitido enen la
la banda
banda
prohibida,
prohibida,muymuycerca
cercade
dela
labanda
bandadedeconducción.
conducción.
La
La diferencia
diferencia dede energía
energía entre
entre dicho
dicho nivel
nivel localizado
localizado yy la
la
banda
banda dede conducción
conducción determinará
determinará lala temperatura
temperatura necesaria
necesaria
para
paratener
tenersuficientes
suficienteselectrones
electronesenenésta.
ésta.
 Impurezas

Si se introducen pequeñas cantidades de impurezas del grupo III

- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- -
0K
- -
- - 1 - -
2
- -
- - -
G G G
-
Al
- -
e
- - e
- e
3 -
Tiene 3 electrones en la
última capa, uno menos
que el Ge.
 Impurezas

Si se introducen pequeñas cantidades de impurezas del grupo III

- - - -
- - - - -
Ge - Ge -
+ Ge - Ge
-
300
K K
-
0
- -
- - 1 - -
2
- -
- - -
G G G
-
Al -
-- -
e- Al - 4 (extra) e e
3
- -
Al
Al aumentar
aumentar la la temperatura
temperatura apenas
apenas unas
unas decenas
decenas de
de KK será
será
posible
posibleque
quelos
losátomos
átomosde deAlAlcapten
captenelectrones
electronesde
dela
laBV.
BV.
Se
Sedice
diceentonces
entoncesquequeel
elAl
Alesesuna
unaimpureza
impurezaaceptora.
aceptora.
En
EnelelGe
Gehabrán
habránmásmáshuecos
huecosquequeelectrones.
electrones.
Es
Esun
unsemiconductor
semiconductorde detipo
tipoP.
P.
 Impurezas

Interpretación en diagrama de bandas de un

semiconductor extrínseco Tipo P

4 est./atom. 0300
K K
Energía

EAl=0.067eV Eg=0.67eV
-
+- - 43 electr./atom.
electr./atom.
- - 01 huecos/atom.
hueco/atom.

El
El Al
Al da
da lugar
lugar aa un
un nivel
nivel de
de energía
energía permitido
permitido enen la
la banda
banda
prohibida,
prohibida,muymuycerca
cercade
dela
labanda
bandadedevalencia.
valencia.
La
La diferencia
diferencia de de energía
energía entre
entre dicho
dicho nivel
nivel localizado
localizado yy la
la
banda
banda dede conducción
conducción determinará
determinará lala temperatura
temperatura necesaria
necesaria
para
paratener
tenersuficientes
suficienteshuecos
huecosenenésta.
ésta.
Niveles de impureza en Silicio y Germanio Impurezas

Impurezas dadoras
e-
Si, Ge (4 e)

SUSTITUCIONALES
N, P, As, Sb (5 e)
+

Impurezas aceptoras

h+
Si, Ge (4 e)

B, Al, Ga, In (3 e)

-
 Impurezas
Niveles de impureza en semiconductores compuestos (GaAs)
Impurezas dadoras sustituyendo al catión
e-
As (5 e)

Si, Ge, Sn, In (4 e)

en lugar de Ga (3 e)
+

SUSTITUCIONALES
Impurezas dadoras sustituyendo al anión
e-
Ga (3 e)

S, Se, Te (6 e)
en lugar de As (5 e) +
 Impurezas
Niveles de impureza en semiconductores compuestos (GaAs)
Impurezas aceptoras sustituyendo al catión
h+
As (5 e)

Zn, Cd (2 e)
en lugar de Ga (3 e)
-

SUSTITUCIONALES
Impurezas aceptoras sustituyendo al anión

h+
Ga (3 e)

C, Si, Ge (4 e)
en lugar de As (5 e)
+
 Estadística de Electrones en Impurezas
EC m* / m0
Ed  Ec  Ed  Ry*  Ry 2
 5  50meV
ED r
Se puede considerar un modelo hidrogenoide para un
electrón ligado a la atracción de una impureza cargada
positivamente, teniendo en cuenta que esta interacción
está apantallada por la polarización del medio
(constante dieléctrica relativa)
EV

Ed  Ee e
Ee-e= energía de repulsión
entre los dos electrones
El estado de energía para
el segundo electrón
aparecería a una energía
mucho mayor, confundido
con los estados de la
banda de conducción.
 Estadística de Electrones en Impurezas
EC m* / m0
Ed  Ec  Ed  Ry*  Ry 2
 5  50meV
ED r
Se puede considerar un modelo hidrogenoide para un
electrón ligado a la atracción de una impureza cargada
positivamente, teniendo en cuenta que esta interacción
está apantallada por la polarización del medio
(constante dieléctrica relativa)
EV

Ed  Ee e
Ee-e= energía de repulsión
entre los dos electrones
El estado de energía para
el segundo electrón
aparecería a una energía
mucho mayor, confundido
con los estados de la
banda de conducción.
 Estadística de Electrones en Impurezas

Fórmula de Gibbs
número promedio de electrones en E j  N j
los niveles localizados (sólo puede
ser ocupado por un electrón)
N j
j e

kT

< n >= E j  N j
e j

kT

1 2 2
Vacío 1e spin up 1e spin down
N 0 1 1
E 0 ED ED

ED  EF ED  EF ED  EF
  
e kT
e kT
2e kT
1
< n >= ED  EF ED  EF
 ED  EF
 ED  EF
   1
1 e kT
e kT
1  2e kT
1 e kT
2
 Semiconductor de tipo N

Nd = concentración de impurezas dadoras.

Nd+ = concentración de impurezas dadoras ionizadas.
nd = concentración de electrones en las impurezas

Nd Nd
nd  Ed  E F
N d  N d  nd  E  EF
1  d
1 e kT 1  2e kT
2

n  p  N d
Ecuación de neutralidad eléctrica:
n  nd  p  N d
n  N d 
 Ec E F = Nd
N c e kT E F Ed
np = ni2 1  2 e kT
  Semiconductor de tipo N
 Ec E F = Nd
N c e kT E F Ed EF
1  2 e kT kT
Definiendo X =e

 Ec (  Ed ) =N d
N c Xe kT 1  2 Xe kT
E c  Ed
  Ec
2 N c X 2 e kT  Nc X e kT  N d  0

1 Ed N E c  Ed
2 d
X  X e kT  e kT  0
2 2Nc

1 Ed  8 N d Ed 
X = e kT  1 + e kT  1
4  Nc 
 Semiconductor de tipo N
1 Ed  8 N d Ed 
X = e kT  1+ e kT  1 Solución válida hasta temperaturas
4  Nc  muy elevadas (p<<Nd)

1 Ed  8 N d  E d 
E F = kT ln  e kT  1 + e kT  1
4  Nc 

(1) A temperaturas muy bajas, para las que Nd >> Nc, y por tanto podemos
despreciar el 1 en la raíz y fuera de la raíz

 1 Ed 8 N d Ed   N d Ec Ed 

E F = kT ln e kT e 2kT   kT ln
 e 2kT e 2kT 
4 Nc   2N c 
La concentración de
+ kT  
E F = E c E d + ln N d  electrones crece con una
2 2  2 Nc  energía de activación igual a
la mitad de la energía de
ionización de las impurezas.

n=  E c E F  n = N c N d  Ed
N c e kT e 2kT
2
 Semiconductor de tipo N
1 Ed  8 N d Ed 
x = e kT  1 + e kT  1
4  Nc 
(2) A temperaturas intermedias Nc aumenta y podríamos aproximar la
solución a:
1 Ed  4 N d Ed  N d Ec
X = e kT  e kT   e kT
4  Nc  Nc
 Ed N d Ed 
 EcE F  Ec E F = kT ln e kT e kT 
n= N c e kT = Nc X e kT  NC 
Nd
n  Nd =
E F Ec + kT ln
Nc
(3) El siguiente rango de temperaturas se caracteriza porque todas las
impurezas están ionizadas y comienza a dominar el régimen intrínseco:

n 2
N  4 n 2
n = i + N d  n2  N d n  ni2 = 0  n = d 1 + 1 + 2i 
n 2  N d 
p
  4 2 Semiconductor de tipo N
N n
n = d 1 + 1 + 2i 
2  N d   Nd 2 
 4 ni
=
E F Ec + KT ln (1 + 1 + )
 2 Nc Nd 2 
 
Estas expresiones dan lugar a las obtenidas en el rango (2) cuando ni<<Nd

y conducen al comportamiento intrínseco cuando ni>>Nd

E
EC
ED

EF

EV

T1 T2 T
 Semiconductor de tipo N

32
 m *
15  c ,v 

N c ,v  4.83  10 T cm 3
 m0 
 
 Semiconductor Compensado
Nd = concentración de impurezas dadoras.
Na = concentración de impurezas aceptoras.

n  nd  N a  p  pa  N d
Semiconductor
compensado:
n  N a  p  N d

Nd = 1016 cm-3

Na = 1014 cm-3
 Semiconductor Compensado
Nd = concentración de impurezas dadoras.
Na = concentración de impurezas aceptoras.

n  nd  N a  p  pa  N d
Semiconductor
compensado:
n  N a  p  N d

El efecto de Na aceptores se reduce a disminuir el número efectivo de

dadores, ya que Na electrones pasarán a los niveles aceptores. En las
ecuaciones anteriores bastará con sustituir Nd por Nd- Na (o viceversa si se
trata de un tipo P).

Si estuviesen en igual concentración, el comportamiento del

semiconductor sería el intrínseco.

La mayor diferencia tendrá lugar a bajas temperaturas, para las cuales, la

concentración de electrones y huecos es pequeña en comparación a la
impurezas ionizadas (la que domine, supongamos que Nd>Na).
 Semiconductor Compensado
Semiconductor compensado  
de tipo N (baja T): n Na  p Nd

Nd = Na N d  N a  N a
E F Ed
2 e kT +1

N d  N a = E F E d = + kT ln Nd  Na
e kT EF Ed
2Na 2Na

Nd  Na N d  N a  E d
EF
e kT
Ed
= e kT n  Nc e kT
2Na 2Na

E F  Ec En el caso de compensación (tipo N), no muy

n N c e kT e kT lejos de T = 0 K, la energía de activación para
la concentración de electrones coincide con la
energía de ionización de la impureza dadora.
 Semiconductor degenerado
Cuando la concentración de impurezas es muy alta, el nivel de Fermi puede
penetrar en las bandas varias unidades kT (alcanzándose una situación
similar a la de los metales: hay que volver a la estadística de Fermi-Dirac. El
semiconductor es degenerado.
E c + Ed kT  N d 
E EF = + ln 
2 2  2 Nc 
EC

dE F = k ln N d  kT 1 dN c T dN c
 ln N d =
ED

EF dT 2 2 N c 2 N C dT 2 N c N c dT

 dN c 3 N c  N d 3
=  N C = N D3
=
 dT 2 T  ln
2 Nc 2 2 e2
EV
3 2
 m*e,h kT max  2 N d  2  2 N d3
T1 T2 T 2   =
 T max =
 2
 2

3
2 e2 m*e k 4 2 e
3
2
3
= Ec + Ed + 3 Ec + Ed + 3  2 Nd
E Fmax kT max =
2 4 2 2 m*e 2 e
43
 Semiconductor degenerado
Cuando la concentración de impurezas es muy alta, el nivel de Fermi puede
penetrar en las bandas varias unidades kT (alcanzándose una situación
similar a la de los metales: hay que volver a la estadística de Fermi-Dirac. El
semiconductor es degenerado.
E c + Ed kT Nd )
E EF = + ln(
E
2 2 2 Nc
C
2
ED
+ 3  2 N3
E c E d  d
EF E c  E F max  +
2 2 m*e 2 e
43
3 3
 2  2 3  m*e 2
N d (critica ) =   4 e 2  2  E d 
 
EV
3 
T1 T2 T

1 1
1
3 2 1   2 2
d crítica =  N d (crítica )
-
3 =  e 
1 *

2 
4 3  me E d 
La concentración crítica es la que determina Semiconductor degenerado
una distancia media entre impurezas del
orden del radio de Bohr efectivo. Las
impurezas ya no pueden considerarse
aisladas: se forma una banda que se
superpone con la banda de conducción. El
semiconductor, incluso a baja temperatura
tiene un comportamiento metálico:
transición de Mott (aislante-metal). 1 1
3 2 1   2 2
d crítica  e 
= 
1 *

2 
4 3  me E d 

1 1 1 1
3 2 1 32  3  4  2  2  3 2  2 *  1.2 *
d crítica =  e   = 
1 *2 q4  e 1 a0 a0
2   m e e 
43 43
 Semiconductor degenerado
Cuando el semiconductor es degenerado hay que utiliza la estadística de Fermi-
Dirac, lo que no permite utilizar una expresión analítica exacta para las
concentraciones de electrones y huecos, como en el caso no degenerado.

1
n =  g c ( Ee ) Ee ( E F  EC ) dE e  N C F1 / 2 ( F )
0 1+ e kT

 1/ 2
e
F1 / 2 ( F ) = 2
 d e

0 1 +  e  F
e

Caso no degenerado:     F  3
 ( EC  E F )
F1 / 2 ( F )  e kT
Degeneración total: 5  F  
3/ 2
4  EF  EC 
F1 / 2 ( F )   
3   kT 
Cuando el nivel de Fermi supera Ec en varias Semiconductor degenerado
unidades kT es posible obtener una relación
analítica entre el nivel de Fermi y la 
1
concentración de electrones. Para ello es n =  g c ( Ee ) Ee  E Fe dE e
necesario realizar un desarrollo de 0 1 + e kT
Sommerfeld de n(EF):
 
  df(E) 
  (E)f(E)dE =  (E)f(E) 0    (E)  dE
0 0  dE 
Donde (E) es una primitiva de (E). Aproximando la derivada de la función de
distribución a una delta de Dirac

  (E)f(E)dE =  ( E F )
3 0
1  2 m*e  2
 (E) = g c (E) =  2 
2
E 3
2   
1  2 m*e  2 3
n=   ( E F  E c )2
3  2   2 

3
2 1  2 m*e  2
3
 (E) = 2
 2  E 2
3 2   