Sunteți pe pagina 1din 31

Semiconductori

Iankovszky Cristina
Cuprins:
 Benzile de energie. Conductori, semiconductori, izolatori
 Semiconductori intrinseci
 Semiconductori extrinseci
 Probleme
 Joncţiunea pn. Dioda semiconduc toare
 Caracteristicile diodei semiconductoare
 Trasarea experimentală a caracteristicilor diodei
semiconductoare
 Redresarea curentului alternativ
 Probleme
Benzile de energie.
Conductori, semiconductori, izolatori
Banda
Prin dede energie provenită
nivel energetic
de Banda
În atomul valenţă
liber,
la niveluloenergetic discreteste
deasupra al
întelegem
separată de stare
banda deenergetică
conducţie
nivelului
atomului depevalenţă,
posibilă într-unsistem care sesecuantic
găsesc
află
Banda de conductie printr-un
nivele
electronii interval
energetice
de valenţă energetic,
secare,deşi
numeşte
atom, moleculă,
denumit bandă nucleu,
interzisă, cristal,
în care
sunt libere, ele pot fi ocupate
Nivele energetice

bandă de valenţă.
etc.) există nivele energetice
Banda nu
cu electroni înnivel
urma excită rii
Eg Fiecare
Gradul energetic
de Ocuparea
ocupare cu
interzisa pentru
atomului. electroni.
În cristal nivelul cu
discret al
electroni a nivelelor energetice atomului,
din banda
liber
caracterizat al prin atomului
perechea se
de
Banda de valenta de valenţă depinde
conducţie poate de natura
începe numai
transformă
numere într-o bandă de
chimică
în momentulacuantice
când(n,l),
atomilor, în cristal
de structura
electronii din
sbnivele
se transformă libere care
într-o poartă
bandă
cristalină
banda desauvalenţă
de alţi factori;
primesc ea
denumirea
energetică. de bandă de o
poate
energie fi cel
ocupatăpuţinparţialegală sau cu
conducţie.
Noţiunea de benzi
complet
lărgimea de benziielectroni.
interzise.În mod
energeticeelectronii
normal (nivele energetice)
aflaţi în
(nucleu) reflectăde valenţă
banda numaiau ceastarea mai
(Click pe fiecare termen daca doriţi sa aflaţi mai mult..) energetică
mare energie. a electronilor dintr-
un corp solid.
În funcţie de gradul de ocupare cu electroni a benzilor de energie,
corpurile solide pot fi împărţite în: conductoare, semiconductoare,
izolatoare.

Banda de conductie Conductoare


Izolatoare
Semiconductoare
Izolatoarele
Conductoarele
Corpurile sunt substanţe
solide a (metalele)care
căror bandă au de
nu
deasupra
permiteste
valenţă benzii
trecereade curentului
completvalenţă complet
ocupată cu
electric.
ocupată Oricâtă
electroni, cu
iarelectroni
energie
banda o bandă
de ar de
conducţie
Eg > 3 eV primiconducţie
electronii
complet parţial
liberă din
estebanda
ocupată decude
separată
valenţă
banda nude ar electroni.
puteaprintr-o
valenţă face saltul
bandă
îninterzisă
banda de conducţie
îngustă deci nuE <
de lărgime g
Eg < 3 eV avem sarcini electrice libere
3 eV , sunt semiconductoare.
care să participe la formarea
curentului electric.
Banda de valenta
Electrical Current.swf
Semiconductori
Semiconductoarele sunt corpuri a căror conductivitate
electrică σ = 1/ ρ = 104....10-8 1/Ωm este cuprinsă între cea
a metalelor şi cea a izolatoarelor, fiind influenţată de
temperatură ( la temperaturi joase sunt izolatoare şi la
temperaturi înalte sunt conductoare.

Semiconductoare intrinseci ( pure)

Semiconductoare

Semiconductoare de tip n
extrinseci ( cu
impurităţi de tip p
Conducţia electrică a semiconductorilor
La temperaturi joase un semiconductor este un isolator Atomii aflaţi în
cu rezistenţă electrică foarte mică. nodurile reţelei
cristaline oscilează
în jurul poziţiei de
echilibru. La o
anumită
Si Si Si temperatură vor
avea o energie
cinetică finită,
existând
posibilitatea ca
Si Si Si electronii periferici
să părăsească atomii
devenind liberi.
Aducerea unui electron în starea de conducţie înseamnă trecerea lui din banda de
valenţă (BV) în banda de conducţie (BC).
Prin plecarea electronului din BV în BC, în urma lui apare un nivel energetic liber
numit “gol”. Apariţia unui gol este echivalentă cu apariţia unei sarcini electrice
pozitive.

Benzi de energie (eV)


Cristal de siliciu ( germaniu ) BC

Eg

Si Si Si BV

Si Si Si
E Dacă semiconductorului i se aplică o
diferenţă de potenţial, electronii din
banda de valenţă vor începe să se
Fe Fe deplaseze în sens invers câmpului
electric; golurile vor fi ocupate tocmai de
acei electroni care se apropie de ele,
BC lăsând în urma lor noi goluri.
Electronii se vor deplasa de la “-“ la “+”
Benzi de energie (eV)

iar golurile în sens invers.


Eg
În semiconductoare sunt posibile două tipuri
de conducţie electrică:
BV - conducţia electronică, determinată de
deplasarea electronilor în banda de conducţie;
- conducţie de goluri, determinată de
deplasarea golurilor în banda de valenţă.
Semiconductori intriseci
În cazul semiconductorilor intrinseci, datorită

Benzi de energie (eV)


agitaţiei termice electronii pot trece din banda de
valenţă în banda de conducţie BC, procesul
numindu-se excitare termică intrinsecă ( generare BC
termică intrinsecă ). În urma acestui proces apar
electroni şi goluri în număr egal.

recombinare
generare
Pe de altă parte are loc şi procesul invers Eg
generării şi anume recombinarea electronilor cu
golurile, respectiv trecerea electronilor din banda
de conducţie BC în banda de valenţă BV.
Prin urmare, în regim de echilibru BV
termodinamic la o anumită temperatură T,
numărul actelor de generare este egal cu numărul
actelor de recombinare, iar în semiconductor se va
stabili o concentraţie staţionară de electroni şi
goluri libere, concentraţia electronilor liberi n 0
fiind egală cu concentraţia golurilor libere p 0:
n0 = p0 = ni unde ni – concentraţia intrinsecă
Semiconductor de tip n
Pentru a obţine un semiconductor extrinsec de tip n se introduc într-un
semiconductor pur impurităţi donoare ( donori ) adică, atomi cu valenţa
V precum fosfor (P) sau arseniu (As).

Si Si Si
As

As
Si Si Si
Ed – energia de ionizare
Nd – concentraţia donorilor
- atomi donori
BC
- ioni ai atomilor donori
n - concentraţia totală a Ed
electronilor liberi din BC Eg
p - concentraţia golurilor în BV

Donorii dau nivele energetice mai apropiate de banda de


conducţie, electronii putând fi uşor transportaţi de pe un astfel de BV
nivel pe banda de conducţie.
Trecerea electronilor de pe nivelul donor în banda de
conducţie poartă numele de excitare (generare) termică
extrinsecă a electronilor. Poate avea loc şi procesul invers de
trecere a electronilor din banda cde conducţie pe nivelul donor,
proces denumit recombinarea electronilor pe nivelul donor.
n = p + Nd
Semiconductor de tip p
Pentru a obţine un semiconductor extrinsec de tip p se introduc într-un
semiconductor pur impurităţi acceptoare ( acceptori) adică, atomi cu
valenţa III precum bor (B) sau galiu (Ga) .

Si Si Si
B

B
Si Si Si
Ea – energia de ionizare a acceptorilor
Na – concentraţia acceptorilor
- atomi acceptori
BC
- ioni ai atomilor acceptori
p - concentraţia totală a
Ea
golurilor din BV Eg
n - concentraţia electronilor în BC

Procese care au loc în semiconductorii de tip p


BV
la temperaturi coborâte predomină schimbul
de goluri dintre BV şi nivelul energetic Ea al
acceptorilor, având loc acte de generare şi
recombinare a golurilor;
la temperaturi mai înalte are loc şi generarea
intrinsecă.
p = n + Na
Joncţiunea p-n

p n

Joncţiunea p-n reprezintă zona de trecere ( contact) care se


formează într-un cristal semiconductor, la care o parte conţine
impurităţi acceptoare ( tip n) iar cealaltă impurităţi donoare (tip p).
Ea are o lărgime l = 10-4….10-5 cm.
Dioda semiconductoare
Joncţiunea pn are calităţi redresoare.
Astfel aplicând o tensiune continuă cu :
- polaritate directă (polul plus la
regiunea p şi polul minus la regiunea n),
prin joncţiune trece un curent electric a
cărui intensitate creşte cu creşterea
tensiunii aplicate, deoarece rezistenţa
electrică este mică (Rj = 10 Ω);
- polaritate inversă, practic nu trece
curent deoarece are loc o lărgire a
stratului de baraj care capătă o
rezistenţă electrică foarte mare (Rj =
104...105 Ω); în acest caz se spune că
dioda este blocată.
Caracteristicile diodei semicoductoare
Prin aplicarea câmpului exterior
U în sens direct are loc o micşorare a
duferenţei de potenţial (barierei)
dintre cele două regiuni, deoarece
Ub la echilibru câmpul extern are sens invers
câmpului de baraj, ceea ce înlesneşte
Tensiune mişcarea purtătorilor majoritari. În
Ub-U
directa felul acesta, la polarizare directă
curentul electric trece prin diodă.

Când dioda este polarizată invers, U


câmpul extern aplicat având acelaşi sens cu
Tensiune
câmpul de baraj, mişcarea purtătorilor
Ub+U inversa
majoritari este împiedicată. În acest caz,
curentul ce străbate dioda, format numai din la echilibru
purtători minoritari, este extrem de slab ( de
Ub
ordinul mA la dioda cu Si şi de ordinul μA la
cea cu Ge), aşa încât îl putem considera
practic nul. Spunem că la polarizarea inversă
dioda nu conduce curentul electric.
p n

Dioda funcţionează ca
o supapă ce permite
trecerea curentului
electric într-un singur
sens (când este
Schema şi simbolul
polarizată direct).
diodei
Caracteristica reală a unei diode cu
joncţiune.
În figură se reprezintă caracteristica I =
f(U) a unei diode. Ea pune în evidenţă
următoarele:
a) Intensitatea curentului în sens direct,
după ce se depăşeşte tensionea de
deschidere UD, creşte exponenţial şi
rezistenţa diodei devine foarte mică.

b) În sens contrar, pentru U < 0, intensitatea curentului care trece prin diodă este foarte
mică, cu multe ordine de mărime mai mică decât în sens direct. În majoritatea
aplicaţiilor practice se consideră egală cu zero. Dacă tensiunea creşte peste o anumită
valoare critică – numită tensiune de străpungere – dioda (joncţiunea) se “străpunge” şi
intensitatea curentului începe să crească brusc. Fenomenul de străpungere este unul
negativ. În practică se urmăreşte crearea de joncţiuni care să reziste la tensiuni inverse
cât mai mari, mii de volţi.
http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.html
Caracteristica statică liniarizată aproximează i
destul de bine, pentru curenţi lent variabili,
caracteristica reală a diodei.
Definim rezistenţa dinamică a diodei prin
Δi
relaţia:
u γ
Rdm 
i
u
pentru porţiunea înclinată, 0 UD Δu
corespunzătoare conducţiei diodei. Acest
raport reprezintă tangenta unghiului de
înclinare γ faţă de verticală a porţiunii
rectilinii înclinate – Rdm = tg γ.
O diodă ideală ar funcţiona ca un
întrerupător care este închis pentru
tensiuni u < 0 (polarizare inversă) şi
deschis pentru tensiuni pozitive u > 0 i
(polarizare directă). Ea ar prezenta
la polarizare inversă o rezistenţă
infinită, iar în conducţie directă, o
rezistenţă nulă.

u
0
Caracteristica liniarizată ar
corespunde modelului electric Dideala Rdm UD
echivalând cu o diodă ideală înseriată
cu o rezistenţă, reprezentând rezistenţa
dinamică a diodei şi cu un generator
ideal de tensiune electromotoare egală (a)
cu tensiunea de deschidere UD a diodei i i
reale. (a) i
Din compunerea celor trei

dm
R
caracteristici individuale (b) rezultă
caracteristica liniarizată (c).
Reţinem că UD şi Rdm sunt
D.id u u
parametrii modelului. Modelul este
descris matematic de funcţia: 0 U 0 UD
D
0, u  U D

i  u U D (b) (c)
 R , u  U D
 dm
Trasarea experimentală a caracteristicilor
diodei semiconductoare
Materiale necesare:

diodă semiconductoare; Trasare a e xperi me nta lă a c ara cte ristici i diodei

Materia le ne ces are :


- dio dă sem ic onductoare ;

resistor (cel puţin 10 Ω)


- res isto r (ce l pu ţin 10 Ω)
- sursă : 0 – 12 V c.c .
- conducto ri de legătură;
- voltmetru, a m perme tru;
- rheostat.

Mod de lucru:
- se rea lizeaz ă m ontaj ul din
figură;
- varia ţi t en siunea aplicată şi
notaţi valorile core spu nzăto are
a le cure nt ului în tabel :

Tensiu ne la bornele diod ei (V) Intensitate a cure ntului prin d iodă (A)
4
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
-0.5

sursă : 0 – 12 V c.c.
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
-4.0

- pe ntru a înregistra re zulta tele pentru valori neg at ive ale te nsi unii se inve rse ază
borne le dio dei;
- tra saţi graficul: I = f(U)
- rez istenţa diodei pentru o an umită tensiu ne est e egal ă c u raportul dintre te nsiu ne
şi inte ns itate; folosiţ i graficu l pe ntru a calcula rezistenţ a d iodei pentru diferite
tensiuni;
- de scri eţi cum variaz ă rezi ste nţa cu tensiune a aplicată; e ste re zistenţa diodei
ace eaşi pentru o tensiune poz itivă şi p en tru o tensiune negativă.

conductori de legătură;

voltmetru, ampermetru;

reostat.

http://www.kjanssen.de/Studium/Forschungen/Diplomarbeit/da/weTEiS/weteis/diode1.htm
Redresarea curentului alternativ

Transformatorul din
circuitul redresor separă Filtrul are rolul de a
Prin redresarea curentului alternative se înţelege transformarea reduce curentului
(netezi)
componenta
alternativ de joasădefrecvenţă Redresorul
curent în curent pulsator, utilizând un dispozitiv numit redresor.
alternativ de cea de curent propriu-zis este un pulsaţiile tensiunii
Pentru redresarea curentului alternativ se poate folosi dioda cu
element neliniar joncţiune.
redresate. Filtrele se
continuu şi determină de
obicei valoarea tensiunii (sau mai multe) realizează de obicei cu
În mod obişnuit un redresor cu dispozitiv semiconductor este compusdedin:
elemente circuit
continueredresor
pentru o( dioda
valoare care permite
elementul semiconductoare ),sursa de curent alternativreactive:
(reţea de
dată a tensiunii de reaţea. trecerea
alimentare cu energie electrică sau transformator) şi un filtru decondensatoare,
netezire.. bobine,
curentului într-un
singur sens. uneori şi rezistoare.
Spre
Retea sarcina
Transformator
~ Filtru de netezire

Redresor
Redresor monoalternanţă

Redresorul monoalternanţă este cel mai simplu redresor. Blocul redresor


coţine un singur element redresor, o diodă.
Randamentul scăzut este unul dintre dezavantajele acestui redresor. Un al
doilea dezavantaj este încărcarea nesimetrică a reţelei, puterea fiind absorbită doar în
timpul unei singure semialternante. Redresorul monoalternanţă este însă destul de
folosit la puteri mici deoarece este cel mai simpu şi cel mai ieftin.
Redresarea ambelor alternanţe
Redresor dublă alternanţă cu punct
median
În cazul acestui tip de redresor transformatorul este necesar şi el trebuie să aibă
un secundar cu două înfăşurări înseriate, care au acelaşi număr de spire, cu un punct
median între ele, astfel ca să furnizeze blocului redresor compus din două diode două
tensiuni identice, u2. Ansamblul poate fi privit şi ca două redresoare monoalternanţă
legate la aceeaşi sarcină, în cazul acesta rezistenţa RS.
În prima semiperioadă cele două
diode sunt polarizate astfel: D1 direct,
plusul tensiunii transformatorului la
anod, iar D2 invers. Schema echivalentă
este aceea din figura (b) (D1 scurtcircuit,
D2 întreruptă) şi tensiunea pe sarcină este
egală cu u2, adică o semialternanţă
pozitivă. În a doua semiperioadă cele două diode
sunt polarizate astfel: D1 invers, minusul
tensiunii transformatorului la anod, iar D2
direct. Schema echivalentă este aceea din
figura (c) (D1 întreruptă, D2 scurtcircuit) şi
tensiunea pe sarcină este egală cu minus u2
(negativă în acest semiinterval), adică din nou o
semialternanţă pozitivă.
Se obţine în acest fel o redresare dublă
alternanţă.
http://www.sciences.univ-nantes.fr/physique/perso/gtulloue/Elec/DiodesAO/Red_transfo.html
Redresor dublă alternanţă în punte

Redresorul dublă alternanţă în punte are


schema, forma tensiunilor şi schemele
echivalente în semiperioadele distincte de
funcţionare prezentate în figură. În cazul
acestui tip de redresor transformatorul poate
lipsi.

Se obţine în acest fel o redresare dublă


alternanţă la fel ca în cazul anterior.
Avantajul schemei, valoarea medie dublă
faţă de redresarea monoalternanţă şi
deci o eficacitate dublă a redresării dar şi
faptul că este nevoie de o singură sursă de
alimentare.
Blocul redresor este format din 4 diode legate în punte (formând un patrulater)
într-o anumită succesiune a terminalelor. La una din diagonalele punţii se conectează
sursa de tensiune alternativă, sau secundarul transformatorului dacă acesta există, iar la
a doua diagonală se conectează sarcina, R în cazul acesta.
În prima semiperioadă sunt polarizate
direct diodele D2 si D3 şi sunt polarizate
invers diodele D1 şi D4. Schema
echivalenta este aceea din figură şi
tensiunea pe sarcină este egală cu u2,
adică o semialternanţă pozitivă.

În a doua semiperioadă sunt


polarizate invers diodele D2 şi D3
sunt
polarizate direct diodele D1 şi D4.
Schema echivalentă este aceea din
figură şi tensiunea pe sarcină este
egală cu minus u2 (negativă în acest
semiinterval), adică din nou o
semialternanţă pozitivă.
http://www.vjc.moe.edu.sg/fasttrack/physics/AltCurrent.dcr
Bibliografie
 Manual pentru clasa a XI-a; N. Gherbanovschi, M.Prodan,St. Levai; Ed.
Didactica si Pedagogic; Bucuresti – 1990
 Fizica – Manual clasa aXII-a; O. Rusu,L. Dinica, C-tin Traistaru, M. Nistor;
Ed. Corint; Bucuresti – 2007
 http://mritsec.blogspot.com/2009/01/electronic-device-animations.html
 http://www.ibiblio.org/kuphaldt/socratic/output/animation_bridge_rectifier
_nonideal_fast.gif
 http://www.kjanssen.de/Studium/Forschungen/Diplomarbeit/da/weTEiS/wet
eis/diode1.htm
 http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.ht
Redresarea cu pynte

http://www.vjc.moe.edu.sg/fasttrack/physics/AltCurrent.dcr
Redresarea cu 2 diode
http://www.sciences.univ-nantes.fr/physique/perso/gtulloue/Elec/DiodesAO/Red_transfo.html

LED

http://www.micro.magnet.fsu.edu/primer/java/leds/basicoperation/

Caracteristica diodei
http://www.kjanssen.de/Studium/Forschungen/Diplomarbeit/da/weT
EiS/weteis/diode1.htm

Dioda semiconductoare

http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.html