MATERIALE

SEMICONDUCTOARE
 Materialele semiconductoare stau la baza realizării
de dispozitive electronice şi de circuite integrate.
Acestea se caracterizează prin valori ale
conductivităţii electrice cuprinsă în intervalul de
valori σ = (10-6 - 105) Ω-1 m-1. Conductivitatea
electrică a semiconductoarelor este puternic
dependentă de condiţiile exterioare (temperatură,
câmp electric, câmp magnetic etc) şi de structura
internă a acestora (natura elementelor chimice
componente, defecte, impurităţi etc).
 La realizarea de dispozitive şi circuite electronice
se poate folosi numai o parte dintre materialele
semiconductoare care îndeplinesc condiţiile de
conductivitate. Pe lângă aceste condiţii materialele
semiconductoare folosite în electronică trebuie să
prezinte legături covalente şi o structură cristalină
perfectă.
Caracteristici ale materialelor semiconductoare

 Cele mai folosite materiale semiconductoare

au la bază elementele chimice:

 grupa a IV-a: germaniul (Ge), siliciu (Si)

 grupa a VI-a: seleniul (Se)

 compuşi binari ai elementelor din grupele III - V a

sistemului periodic: GaAs, InSb.
 Materialele semiconductoare cu structuri
cristaline specifice:

 structura cubică tip diamant (C, Ge, Si),

 tip blendă (Si C, Ga Sb, Ga As),

 tip wurzit (ZnS, ZnSe)

Structura materialelor semiconductoare.
Conducţia electrică
 Materialele semiconductoare se utilizează
pentru realizarea dispozitivelor electronice
care au la bază fenomenul de conducţie
comandată. Într-un semiconductor, curentul
electric este determinat de electronii de
conducţie şi de goluri, sarcini generate prin
mecanismul intrinsec (rupere de legături) sau
extrinsec (atomi de impuritate).
 Impurităţi active:
 donoare - cu valenţa V: P, As, Sb, Bi;
 acceptoare - cu valenţa ///: B, Al, Ga, In.
În prezenţa unui câmp electric E sarcinile electrice
(electronii şi golurile) sunt accelerate, realizându-se
procesul de conducţie electrică.
Viteza medie ordonată a electronilor de conducţie
şi a golurilor este determinată de câmpul electric
aplicat. Aceasta reprezintă viteză de drift, care
pentru electroni este vdn:
νdn = μn * E
iar pentru goluri este νdp :
νdp = μp * E
 Semiconductori intrinseci
 În procesul de conducţie electrică, în semiconductorii intrinseci
densitatea curentului electric este egală cu suma între densitatea
de curent a electronilor şi a golurilor:

 unde :
 n este concentraţia de electroni de conducţie din banda de
conducţie;
 p este concentraţia de goluri din banda de valenţă;
 qo=e este sarcina electrică a electronului, respectiv, a golului,
1,60 x10 -19 C;
 vn, vp sunt vitezele de drift medii ale electronilor, respectiv ale
golurilor.
 Conductivitatea electrică σ este dată de
suma dintre conductivitatea electronică σn şi
cea a golurilor σp:

 Deoarece în semiconductoarele intrinseci

prin ruperea legăturilor atomice numărul
electronilor liberi este egal cu numărul
golurilor, este valabilă relaţia n= p= ni, astfel:
Modelul benzilor energetice al conducţiei
electrice
în semiconductoarele
T=0 K; E=0 intrinseci:
T≠0 K; E=0 T≠ 0 K; E ≠ 0

Concentraţia electronilor de conducţie creşte

exponenţial cu temperatura şi scade exponenţial cu
creşterea intervalului Fermi.
 Pentru semiconductorii intrinseci,
concentraţia de electroni este numeric egală
cu cea a golurilor:

n=p=ni

unde ni este concentraţia intrinsecă de

purtători de sarcină.
Observaţii:
 Mobilităţile electronilor sunt întotdeauna mai mari decât
mobilităţile golurilor, de aceea dispozitivele
semiconductoare la care purtătorii majoritari sunt
electroni pot funcţiona la frecvenţe mai mari decât a
celor la care purtătorii sunt goluri.
 Pentru siliciul intrinsec mobilitatea electronilor, de 0,135
m2/(V*s), este de 2,81 ori mai mare decât mobilitatea
golurilor, care este de 0,048 m2/(V*s) la 300 K.
 Pentru GaAs intrinsec mobilitatea electronilor, de 0,85
m2/(V*s), este de 6,3 ori mai mare decât mobilitatea
electronilor la siliciu;
 Raportul între mobilitatea electronului şi a golului la
germaniul intrinsec este 2,05 la 300 K.