CURENTUL

ELECTRIC ÎN
C

SEMICONDUCTOARE
• Substanțele pot fi împărțite în CONDUCTOARE și DIELECTRICI
• Conductorul-substanțe în care este posibilă mișcarea direcțională a
transportatorului de sarcină
• Dielectrici-substanțe în care nu este posibilă mișcarea direcțională a
transportatorului de sarcină
• Semiconductoarele –substanța care este între Conductor și
Dielectrici,deci este posibilă mișcarea direcțională a transportatorului
de sarcină,dar este mai dificilă
 • Mărimiea fizică care caracterizeaza capacitatea substantei de a transmite
curent electric este Rezistivitatea

  Metale =
Dielectrice =
Semiconductoare =(in cea mai mare parte)
In cea mai mare parte pentru ca sunt semi conductoare care pot avea aproape aceeasi rezistivitate
ca dielectrice de exemplu = dar exista si semiconductoare care cu ajutorul unor actiuni speciale
Se poate de obtinut o rezistivitate atat de mica,ca de exemplu la nichrom =

Asa ca clasificarea metatelor dielectricilor si semiconductoarelor va fi imperfecta

• De la metale stim ca rezistivitatea depinde de temperatura ,stim ca cu cat temperatura creste cu atat
rezistivitatea specifica creste

Dar la S.C. la cresterea temperaturii Rezistivitatea scade

Asta este important pentru a intelege ca mehanizmul
de transmite a c.electric este diferit

La electroliti la fel ca S.C. la ridicarea Temperaturii resist.

Scade,dar este o diferenta principiala dintre S.C. si
Electroliti,transportatorul liber de sarcina in electroliti sunt
Ionii,dar in S.C. sunt electronii
• Fara a privi inauntru ,stiind doar proprietatile exterioare ale S.C. Avem 1) transportatorul liber de sarcina
sunt electronii si 2)la marirea temperaturii rezistivitatea scade
Abram Fiodorovici Ioffe

semiconductorii includ substanțe

numai transferul în care se
datorează mișcării direcționale a
electronilor, iar rezistivitatea scade
odată cu creșterea temperaturii
• Mai important ca aceste 2 proprietati,este faptul ca S.C. sunt sensibile la conditiile exterioare

De exemplu luand acelasi grafic observam ca

La incalzirea cu 1 grad a metalului,rezistivitatea va
Creste cu aproximativ 1,273 dar la incalzirea cu
1grad a S.C. Se poate modifica la cateva procente.

1)Schimbarea temperaturii
Masurate cu termorezistoare sau termistoare

Ca exemplu vand sulfit de cadmiu,la soare are de

10 mln de ori mai mica rezistivitatea decat la intuneric

2)Iluminare
Masurate cu fotorezistoare

3) câmp magnetic
Masurate cu magnitrezistor

4)Camp electric(S.C. :diodorui ,tranzistoare..)

• Diferenta de calitate dintre S.C. si dielectrice nu exista,deci procesele electronice
Intre S-C si dielectricile cristaline sunt la fel.Diferenta este doar de cantitate ,in dielectrice
Transportatorii liberi de sarcina sunt mai putini iar in S-C mai multi

1)Exista S-C elementari сonstau dintr-un tip de atomi:C,Si,Ge.

2.1S-C compusi,care pot consta din atomii de 2 tipuri(S-C binari) : CdS,ZnS,ZnSe,GaAs
2.2 exista din 3 tipuri : AlGaAs,CdHgTe

S-C elementari fac parte din a 4grupa din sistema periodica,deci au 4 electroni valenti (V=4)

Fiecare atom al siliciului are 4 electroni de valenta,la vecin tot,cand atomii

Siliciului se unesc in cristal,electronii de valenta formeaza perechi de electroni
(legatura covalenta),in legatura perechii nu se poate stie care din electroni
Al cui ion sau atom apartine

Siliciu
• Daca punem acest material in camp electric,nu se va intampla
• Nimic deoarece fiecare electron e legat de perechea sa de ioni iar campul
electric nu poate distruge aceasta legatura
• Curent nu exista(asa va fi doar cand temperature va fi =0)
• Daca ridicam temperatura cristalului se va mari si energia mișcării termice
• (in S-C curate)Locul dintre legaturi se numeste lungimea zonei
interzise,deoarece electronii nu poate sa aiba energie intermediara dintre energia
legaturii legate si energia starii libere,si se formeaza o saritura prin zona
interzisa
• La s-c lungimea zonei interzise este foarte mica,de exemplu la
siliciu=1,1electron-volt,germaniu=0,7electron-volt,dar la dielectrici ii mai mare
decat 23electron-volt
 Zona interzisa este cantitatea de energie pentru a rupe legaturile din cristal
Deci la temperatura camerei unele dintre legaturi se rup

Daca acum pornim campul electric electronii liberi vor incepe sa se miste
Sub actiunea campului electric,si va patrunde curentul care se numeste
Curent electronic

Locul liber in legatura de valenta,aceasta zona acum este incarcata cu

sarcina pozitiva

Poziția vacantă în legatura de valență-gaura

Daca amplasam camp electric in S-C,atunci e posibila nu doar miscarea

electronilor liber dar si deplasarea directionata a acestor gauri
 Lantul de siliciu

Sa zicem ca in urma temperaturii sa format

o gaura ,in vecinatate avem electroni care
Intr-un fel tot apartin aceluiasi atom,care
Fara a intra in stare libera poate trece in locul
Gaurii,la fel poate trece si electronul din
Partea stanga

Dar daca avem curent electric ,un electron ii va fi mai greu sa treaca in locul gaurii daca este
Impotriva curentului electric,astfel electronul care se misca in directia curentului electric va inlocui
Gaura,dar in locul de la care a plecat electronul se formeaza alta gaura...

Deci in materialul S.C. Pe langa deplasarea electronilor liberi ,este posibila si deplasarea directionata
a gaurilor

Aceasta deplasare a gaurilor se numeste - curent de gauri

Astfel de S-C pur are acelasi numar de electroni liberi ca numarul gaurilor,astfel de S-C se numeste-
Semiconductor Propriu
• n-contentrarea electronii liberi(negativ)
• p-contentrarea gaurilor libere(pozitiv)
• n=p
• La marirea temperaturii aceste marimi se maresc
• Dar ce se intampla da S-C este compus?
• Ca exemplu luam P(fosfor)(V=5) in loc de Si(V=4)

Avand valente diferite ,4 din 5 electroni de valenta formeaza

Legaturile de covalenta dar a 5-lea nu are pereche de aceea
A 5-lea electron este in plus,este de ajuns si 0,01 electron-volt
Ca electronul sa se rupa din atomul de fosfor,in rezultat atomul
De fosfor se transforma in ion,dar electronul se va deplasa liber
In cristal
Astfel ca se formeaza electron liber fara a se forma o gaura,iar
In cazul incalzirii cand in substanta se formeaza gauri,acel electron
Liber poate inlocui gaura,aceasta se numeste recombinare,astfel
Concentrarea de gauri se micsoreaza
• O astfel de impuritate care are valenta mai mare se numeste impuritate-donor
• Un semiconductor care are donor,are proprietatea ca concentrarea electronilor este cu mult mai mare ca
concentrarea gaurilor
• n>>p
• Un astfel de semiconductor se numeste S.C.electronic sau S-C de tipul n
 • Al(V=3) in locul la Si
• In cazul Al se va forma 3 perechi dar pentru a 4 pereche
Nui ajunge electroni de aceea al ia din alta parte
Astfel in locul electronului imprumutat se formeaza loc
Vacant,astfel atomul de aluminiu se numeste acceptor
Pentru ca primeste electron din legatura valenta,unde se formeaza
acele gauri libere care se pot deplasa

Astfel concentrarea gaurilor libere sunt cu mult mai multe ca concentrarea

electronilor liberi
p>>n
Un astfel de S-C se numeste Semiconductor de gaura,sau Semiconductor de tipul
p