Sunteți pe pagina 1din 37

Semiconductori

12 E
Cuprins:

 Benzile de energie. Conductori, semiconductori,


izolatori
 Semiconductori intrinseci
 Semiconductori extrinseci
 Probleme
 Joncţiunea pn. Dioda semiconduc toare
 Caracteristicile diodei semiconductoare
 Trasarea experimentală a caracteristicilor diodei
semiconductoare
 Redresarea curentului alternativ
 Probleme
Benzile de energie.
Conductori, semiconductori, izolatori

PrinBanda
Banda nivel
de
deenergetic
valenţă
energie
este
În
provenită
întelegem atomul
de ola nivelul liber,
stare
separată
deasupra
energetic de banda de
nivelului
discret de
al
energetică posibilă într-
Nivele energetice

Banda de conductie conducţie


valenţă,
atomului seprintr-un
pe găsesc
care se interval
nivele
află
unsistem
energetic, cuantic
denumit atom,
bandă
energetice
electronii
moleculă,înde care,deşi
valenţă
nucleu, suntse
cristal,
Banda interzisă,
libere, care nu există
Eg etc.) ele
numeşte
nivele
bandăpot de
energetice
fi ocupate
valenţă.
pentru
interzisa cu Fiecare
electroninivel înenergetic
urma
Gradul
electroni. de ocupare În
Ocuparea cu
cu
excită
discret rii alatomului.
atomului,
Banda de valenta electroni
cristal a anivelelor
nivelul nivelelor
liber din
al
caracterizat
energetice
banda prin perechea
detransformă
de conducţie valenţă
poate
atomului
de numere se cuantice (n,l),
depinde
începe de natura
numai chimică
în momentul
într-o bandă
în atomilor,
cristal de sbnivele
sedetransformă
a
când electronii structura
din banda
libere
într-o bandă care
energetică.poartă
cristalină
de valenţăsau de de
primesc alţio
denumirea
Noţiunea de bandă
de benzi
factori;
energie ea
celpoate
puţin fi egală
ocupată cu
(nucleu) conducţie.
energetice (nivele
parţial
lărgimea sau
benziicomplet
interzise. de
(Click pe fiecare termen daca doriţi sa aflaţi mai energetice) reflectă
electroni. În mod normal numai
mult..) starea aflaţi
electronii energetică
în banda de a
electronilor
valenţă au cea dintr-un
mai mare corp
solid.
energie.
În funcţie de gradul de ocupare cu electroni a benzilor de
energie, corpurile solide pot fi împărţite în: conductoare,
semiconductoare, izolatoare.

Banda de conductie Conductoare


Izolatoare
Semiconducto
are
Conductoarele
Izolatoarele
Corpurile (metalele)
sunt
solide a căror au
substanţe
deasupra
bandă care
benzii
de nudepermit
valenţă valenţă
este
complet
trecerea
ocupată
complet curentului
cu electroni
ocupată cu
Eg > 3 eV electric.
o bandă Oricâtă
de conducţie
electroni, iarenergie
bandaparţial ar
de
primi ocupată
electronii
conducţie cudin
electroni.
complet bandaliberă
de
este valenţă nu ar
separată deputea
banda de
Eg < 3 eV face saltul printr-o
valenţă în bandabandă de
conducţie deci nude
interzisă îngustă avem lărgime
sarciniEgelectrice
< 3 eV ,libere
sunt
Banda de valenta care să participe la
semiconductoare.
formarea curentului Electrical Current.swf

electric.
Semiconductori

Semiconductoarele sunt corpuri a căror


conductivitate electrică σ = 1/ ρ = 104....10-8
1/Ωm este cuprinsă între cea a metalelor şi cea a
izolatoarelor, fiind influenţată de temperatură
( la temperaturi joase sunt izolatoare şi la
temperaturi înalte sunt conductoare.
Semiconductoare intrinseci
( pure)
Semiconductoare

Semiconductoare de tip n
extrinseci ( cu
impurităţi de tip p
Conducţia electrică a semiconductorilor

La temperaturi joase un semiconductor este un Atomii aflaţi în


isolator cu rezistenţă electrică foarte mică. nodurile reţelei
cristaline
oscilează în jurul
poziţiei de
echilibru. La o
Si Si Si anumită
temperatură vor
avea o energie
cinetică finită,
existând
Si Si Si posibilitatea ca
electronii
periferici să
părăsească
atomii devenind
liberi.
Aducerea unui electron în starea de conducţie înseamnă trecerea lui
din banda de valenţă (BV) în banda de conducţie (BC).
Prin plecarea electronului din BV în BC, în urma lui apare un nivel
energetic liber numit “gol”. Apariţia unui gol este echivalentă cu apariţia
unei sarcini electrice pozitive.

Benzi de energie (eV)


Cristal de siliciu BC
( germaniu )

Eg

Si Si Si BV

Si Si Si
E Dacă semiconductorului i se aplică
o diferenţă de potenţial, electronii
din banda de valenţă vor începe
Fe Fe să se deplaseze în sens invers
câmpului electric; golurile vor fi
ocupate tocmai de acei electroni
Benzi de energie (eV)

BC care se apropie de ele, lăsând în


urma lor noi goluri.
Electronii se vor deplasa de la “-“
Eg la “+” iar golurile în sens invers.
În semiconductoare sunt posibile două
tipuri de conducţie electrică:
BV - conducţia electronică, determinată de
deplasarea electronilor în banda de
conducţie;
- conducţie de goluri, determinată de
deplasarea golurilor în banda de
valenţă.
Semiconductori intriseci

Benzi de energie (eV)


În cazul semiconductorilor intrinseci,
datorită agitaţiei termice electronii pot
trece din banda de valenţă în banda de
conducţie BC, procesul numindu-se BC
excitare termică intrinsecă ( generare

recombinar
termică intrinsecă ). În urma acestui proces

genera
apar electroni şi goluri în număr egal. Eg
Pe de altă parte are loc şi procesul

re
invers generării şi anume recombinarea

e
electronilor cu golurile, respectiv trecerea
electronilor din banda de conducţie BC în BV
banda de valenţă BV.
Prin urmare, în regim de echilibru
termodinamic la o anumită temperatură T,
numărul actelor de generare este egal cu
numărul actelor de recombinare, iar în
semiconductor se va stabili o concentraţie
staţionară de electroni şi goluriunde libere,
ni – concentraţia
concentraţia electronilor liberi n0 fiind egală
intrinsecă
cu concentraţia golurilor libere p0:
Semiconductor de tip n

Pentru a obţine un semiconductor extrinsec de tip n se


introduc într-un semiconductor pur impurităţi donoare ( donori
) adică, atomi cu valenţa V precum fosfor (P) sau arseniu (As).

Si Si Si
As

As
Si Si Si
Ed – energia de ionizare
Nd – concentraţia donorilor
- atomi donori
BC
- ioni ai atomilor donori
n - concentraţia totală a Ed
electronilor liberi din BC Eg
p - concentraţia golurilor în BV

Donorii dau nivele energetice mai apropiate de


banda de conducţie, electronii putând fi uşor BV
transportaţi de pe un astfel de nivel pe banda de
conducţie.
Trecerea electronilor de pe nivelul donor în banda
de conducţie poartă numele de excitare (generare)
termică extrinsecă a electronilor. Poate avea loc şi
procesul invers de trecere a electronilor din banda cde
n = p+
conducţie pe nivelul donor, proces denumit Nd
recombinarea electronilor pe nivelul donor.
Semiconductor de tip p

Pentru a obţine un semiconductor extrinsec de tip p se


introduc într-un semiconductor pur impurităţi acceptoare
( acceptori) adică, atomi cu valenţa III precum bor (B) sau galiu
(Ga) .

Si Si Si
B

B
Si Si Si
Ea – energia de ionizare a acceptorilor
Na – concentraţia acceptorilor
- atomi acceptori
BC
- ioni ai atomilor acceptori
p - concentraţia totală a Ea
golurilor din BV Eg
n - concentraţia electronilor în
BC
Procese care au loc în semiconductorii
BV
de tip p
la temperaturi coborâte predomină
schimbul de goluri dintre BV şi nivelul
energetic Ea al acceptorilor, având loc acte
de generare şi recombinare a golurilor;
la temperaturi mai înalte are loc şi
p = n+
generarea intrinsecă. Na
Joncţiunea p-n

p n

Joncţiunea p-n reprezintă zona de trecere ( contact)


care se formează într-un cristal semiconductor, la care o
parte conţine impurităţi acceptoare ( tip n) iar cealaltă
impurităţi donoare (tip p). Ea are o lărgime l = 10-4 ….10-5
cm.
Pentru a înţelege
cum lucrează o
joncţiune p-n, să ne
imaginăm că dopăm
un semiconductor cu
atomi donori şi altul
cu atomi acceptori.
Aducem împreună
cei doi
semiconductori
astfel obţinuţi: unul
de tipn, altul de tip
p.
Electronii liberi din
regiunea n difuzează
în regiunea p, iar
golurile din regiunea
p difuzează în
regiunea n, la aceste
deplasări participând
în primul rând
purtătorii mobili din
imediata vecinătate a
joncţiunii.
Ca rezultat, electronii liberi şi
golurile de lângă joncţiune tind să
se “mănânce” unii pe alţii,
producând o regiune liberă de orice
sarcină în mişcare. Această zonă se
numeşte zona de epuizare.
În regiunea p, plecând golurile şi
sosind electroni, aceştia sunt
captaţi de atomii acceptori
ionizându-i negativ şi deci se
formează o sarcină spaţială
negativă. Analog, în regiunea n
plecând electroni şi sosind goluri,
aceştia ionizează pozitiv atomii
donori şi deci apare o sarcină
Prin urmare, de o parte şi de
alta apar două zone foarte
înguste cu sarcini electrice
de semne contrare numită
zonă de trecere ( strat de
baraj sau joncţiune pn), iar
câmpul electric, orientat
dinspre regiunea n spre
E regiunea p şi numit câmp de
contact, împiedică trecerea
în continuare a purtătorilor
de sarcină ( electroni şi
goluri).
Se creează astfel o stare de E
echilibru în care transportul
purtătorilor majoritari, electroni şi +-
goluri, încetează. În planul
joncţiunii apare o barieră de
potanţial Ub.
Purtătorii de sarcină minoritari
( golurile din regiunea n şi
U
electronii din regiunea p) sunt
acceleraţi în sens opus deplasării
purtătorilor majoritari. La echilibru
termic şi în absenţa polarizării
curentul determinat de fluxul Ub
= I s0 = I s trebuie să
I m0 majoritari,
purtătorilor
x
fie egal cu cel al purtătorilor
minoritari, adică:
Dioda semiconductoare

Joncţiunea pn are calităţi


redresoare. Astfel aplicând o
tensiune continuă cu :
- polaritate directă (polul plus la
regiunea p şi polul minus la
regiunea n), prin joncţiune trece
un curent electric a cărui
intensitate creşte cu creşterea
tensiunii aplicate, deoarece
rezistenţa electrică este mică (Rj =
10 Ω);
- polaritate inversă, practic nu
trece curent deoarece are loc o
lărgire a stratului de baraj care
capătă o rezistenţă electrică
foarte mare (Rj = 104...105 Ω); în
Caracteristicile diodei semicoductoare

Prin aplicarea câmpului


U exterior în sens direct are loc o
micşorare a duferenţei de
potenţial (barierei) dintre cele
Ub la două regiuni, deoarece câmpul
echilibru extern are sens invers
Tensiune câmpului de baraj, ceea ce
Ub-U
directa înlesneşte mişcarea purtătorilor
majoritari. În felul acesta, la
polarizare directă curentul
Când dioda este polarizată invers, electric trece
U prin diodă.
câmpul extern aplicat având acelaşi
Tensiune
sens cu câmpul de baraj, mişcarea
Ub+U inversa
purtătorilor majoritari este împiedicată.
În acest caz, curentul ce străbate la
dioda, format numai din purtători echilibru
Ub
minoritari, este extrem de slab ( de
ordinul mA la dioda cu Si şi de ordinul
μA la cea cu Ge), aşa încât îl putem
considera practic nul. Spunem că la
polarizarea inversă dioda nu conduce
curentul electric.
p n

Dioda
funcţionează ca o
supapă ce permite
trecerea
curentului electric
Schema şi
într-un singur sens
simbolul diodei
(când este
polarizată direct).
Caracteristica reală a unei diode cu
joncţiune.
În figură se reprezintă caracteristica
I = f(U) a unei diode. Ea pune în
evidenţă următoarele:
a) Intensitatea curentului în sens
direct, după ce se depăşeşte
tensionea de deschidere UD,
creşte exponenţial şi rezistenţa
diodei devine foarte mică.
b) În sens contrar, pentru U < 0, intensitatea curentului care trece prin diodă
este foarte mică, cu multe ordine de mărime mai mică decât în sens direct.
În majoritatea aplicaţiilor practice se consideră egală cu zero. Dacă
tensiunea creşte peste o anumită valoare critică – numită tensiune de
străpungere – dioda (joncţiunea) se “străpunge” şi intensitatea curentului
începe să crească brusc. Fenomenul de străpungere este unul negativ. În
practică se urmăreşte crearea de joncţiuni care să reziste la tensiuni
http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.html
inverse cât mai mari, mii de volţi.
Caracteristica statică liniarizată i
aproximează destul de bine, pentru
curenţi lent variabili, caracteristica reală a
diodei. Δi
Definim rezistenţa dinamică a diodei
prin relaţia:
∆u γ
Rdm =
∆i
u
pentru porţiunea înclinată, 0 UD Δu
corespunzătoare conducţiei diodei.
Acest raport reprezintă tangenta
unghiului de înclinare γ faţă de
verticală a porţiunii rectilinii
înclinate – Rdm = tg γ.
O diodă ideală ar funcţiona ca
un întrerupător care este închis
pentru tensiuni u < 0
(polarizare inversă) şi deschis i
pentru tensiuni pozitive u > 0
(polarizare directă). Ea ar
prezenta la polarizare inversă o
rezistenţă infinită, iar în
conducţie directă, o rezistenţă
nulă.
u
0
Caracteristica liniarizată ar
corespunde modelului electric Dideala Rdm UD
echivalând cu o diodă ideală
înseriată cu o rezistenţă,
reprezentând rezistenţa dinamică
a diodei şi cu un generator ideal (a)
de tensiune electromotoare egală i i
cu tensiunea de deschidere UD a i
diodei reale. (a)

dm
R
Din compunerea celor trei
caracteristici individuale (b)
rezultă caracteristica liniarizată
(c). D.id u u
Reţinem că UD şi Rdm sunt 0 U 0
D UD
parametrii0, umodelului.
<UD Modelul
este 
descris
i =  u − U D matematic de (b) (c)
funcţia:  ,u ≥ UD
 Rdm
Trasarea experimentală a caracteristicilor diodei
semiconductoare

Materiale necesare:

diodă semiconductoare;
Trasarea experimentală a caracteristicii diodei
resistor (cel puţin 10 Ω) Materiale necesare:
- diodă semiconductoare;
- resistor (cel puţin 10 Ω)
sursă : 0 – 12 V c.c. - sursă : 0 – 12 V c.c.
- conductori de legătură;
- voltmetru, ampermetru;
- rheostat.
conductori de legătură; Mod de lucru:
- se realizează montajul din

voltmetru, ampermetru;
figură;
- variaţi tensiunea aplicată şi
notaţi valorile corespunzătoare
ale curentului în tabel:

reostat. Tensiune la bornele diodei (V) Intensitatea curentului prin diodă (A)
4
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
-4.0

- pentru a înregistra rezultatele pentru valori negative ale tensiunii se inversează


bornele diodei;
- trasaţi graficul: I = f(U)
- rezistenţa diodei pentru o anumită tensiune este egală cu raportul dintre tensiune

http://www.kjanssen.de/Studium/Forschungen/Diplomarbeit/da/weTEiS/weteis/diode
şi intensitate; folosiţi graficul pentru a ca lcula rezistenţa diodei pentru diferite
tensiuni;
- descrieţi cum variază rezistenţa cu tensiunea aplicată; este rezistenţa diodei
aceeaşi pentru o tensiune pozitivă şi pentru o tensiune negativă.
Redresarea curentului alternativ

Transformatorul din
circuitul Filtrul are rolul de a
redresorcurentului alternative se înţelege
Prin redresarea transformarea
reduce (netezi)
separă componenta
curentului alternativ de Redresorul
de joasă frecvenţă în curent pulsator, utilizând un
curent alternativ de propriu-zis este pulsaţiile tensiunii
dispozitiv numit redresor. redresate. Filtrele se
cea de curent continuu un element
Pentru redresarea curentului alternativ se poate folosi dioda
realizează cu
de obicei
şiÎndetermină de obicei neliniar (sau
mod obişnuit un redresor cu dispozitiv semiconductor
joncţiune. cu este de
elemente
valoarea mai multe) care
tensiunii redresor ( dioda semiconductoare ),sursa de
compus din: elementul circuit reactive:
continue pentru o permite
curent alternativ (reţea de alimentare cu energie electrică sau
condensatoare,
valoare dată a tensiunii trecerea
transformator) şi un filtru de netezire.. bobine, uneori Spre
şi
de reaţea. curentului într-
Retea rezistoare. sarcin
un singur sens.
Transformat a
~ or
Filtru de
netezire
Redresor
Redresor monoalternanţă

Redresorul monoalternanţă este cel mai simplu redresor. Blocul redresor


coţine un singur element redresor, o diodă.
Randamentul scăzut este unul dintre dezavantajele acestui redresor. Un
al
doilea dezavantaj este încărcarea nesimetrică a reţelei, puterea fiind
absorbită doar în
timpul unei singure semialternante. Redresorul monoalternanţă este însă
destul de
folosit la puteri mici deoarece este cel mai simpu şi cel mai ieftin.
Redresarea ambelor alternanţe

Redresor dublă alternanţă cu punct


median
În cazul acestui tip de redresor transformatorul este necesar şi el trebuie să
aibă
un secundar cu două înfăşurări înseriate, care au acelaşi număr de spire, cu
un punct
median între ele, astfel ca să furnizeze blocului redresor compus din două
diode două
tensiuni identice, u2. Ansamblul poate fi privit şi ca două redresoare
monoalternanţă
legate la aceeaşi sarcină, în cazul acesta rezistenţa RS.
În prima semiperioadă cele două
diode sunt polarizate astfel: D1
direct, plusul tensiunii
transformatorului la anod, iar D2
invers. Schema echivalentă este
aceea din figura (b) (D1 scurtcircuit,
D2 întreruptă) şi tensiunea pe
sarcină este egală cu u2, adică o
În a doua semiperioadă cele două
semialternanţă pozitivă. diode sunt polarizate astfel: D1 invers,
minusul tensiunii transformatorului la
anod, iar D2 direct. Schema echivalentă
este aceea din figura (c) (D1 întreruptă,
D2 scurtcircuit) şi tensiunea pe sarcină
este egală cu minus u2 (negativă în
acest semiinterval), adică din nou o
semialternanţă pozitivă.
Se obţine în acest fel o redresare
dublă alternanţă.
http://www.sciences.univ-nantes.fr/physique/perso/gtulloue/Elec/DiodesAO/Red_trans
Redresor dublă alternanţă în punte

Redresorul dublă alternanţă în punte are


schema, forma tensiunilor şi schemele
echivalente în semiperioadele distincte
de funcţionare prezentate în figură. În
cazul
acestui tip de redresor transformatorul
poate lipsi.
Se obţine în acest fel o redresare
dublă alternanţă la fel ca în cazul
anterior.
Avantajul schemei, valoarea medie
dublă faţă de redresarea
monoalternanţă şi
deci o eficacitate dublă a redresării
dar şi faptul că este nevoie de o
singură sursă de alimentare.
Blocul redresor este format din 4 diode legate în punte (formând un
patrulater)
într-o anumită succesiune a terminalelor. La una din diagonalele punţii se
conectează
sursa de tensiune alternativă, sau secundarul transformatorului dacă
acesta există, iar la
a doua diagonală se conectează sarcina, R în cazul acesta.
În prima semiperioadă sunt
polarizate direct diodele D2 si D3
şi sunt polarizate
invers diodele D1 şi D4. Schema
echivalenta este aceea din figură
şi tensiunea pe sarcină este egală
cu u2, adică o semialternanţă
pozitivă. În a doua semiperioadă sunt
polarizate invers diodele D2 şi
D3 sunt
polarizate direct diodele D1 şi
D4. Schema echivalentă este
aceea din figură şi tensiunea pe
sarcină este egală cu minus u2
(negativă în acest semiinterval),
adică din nou o semialternanţă
http://www.vjc.moe.edu.sg/fasttrack/physics/AltCurrent.dcr
pozitivă.
Bibliografie

 Manual pentru clasa a XI-a; N. Gherbanovschi,


M.Prodan,St. Levai; Ed. Didactica si Pedagogic; Bucuresti
– 1990
 Fizica – Manual clasa aXII-a; O. Rusu,L. Dinica, C-tin
Traistaru, M. Nistor; Ed. Corint; Bucuresti – 2007
 http://mritsec.blogspot.com/2009/01/electronic-device-
animations.html
 http://www.ibiblio.org/kuphaldt/socratic/output/animation
_bridge_rectifier_nonideal_fast.gif
 http://www.kjanssen.de/Studium/Forschungen/Diplomarbe
it/da/weTEiS/weteis/diode1.htm
 http://www-
g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.ht
Redresarea cu pynte

http://www.vjc.moe.edu.sg/fasttrack/physics/AltCurrent.d
cr
Redresarea cu 2 diode
http://www.sciences.univ-
nantes.fr/physique/perso/gtulloue/Elec/DiodesAO/Red_transfo.html
LED

http://www.micro.magnet.fsu.edu/primer/java/leds/basicoperation/

Caracteristica diodei
http://www.kjanssen.de/Studium/Forschungen/Diplomarbei
t/da/weTEiS/weteis/diode1.htm

Dioda semiconductoare

http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.html