Sunteți pe pagina 1din 75

MATERIALE

SEMICONDUCTOARE
ION IORGA SIMAN
Cursul nr 3
• Materialele semiconductoare se
caracterizează prin conductibilităţi
electrice cuprinse între limitele: 10-8 și 105
[S/m] la temperatura mediului ambiant.
Materialele semiconductoare elementare
sunt: carbon, siliciu, germaniu, staniu,
bor, fosfor, arsen, stibiu, sulf, seleniu,
telur şi iod, iar cele compuse sunt de
ordinul sutelor, cele mai frecvent utilizate
fiind: galiu-arsen, solide de indiu – arsen.
• Din punct de vedere al legăturilor interatomice
semiconductorii se pot clasifica în:
• - semiconductori cu legătura covalentă,
direcţională, realizată prin asocierea a doi
electroni cu spini antiparaleli proveniţi de la 2
atomi învecinaţi, cum sunt: Si, Ge, Sn, S, Se şi
Te;
• - semiconductori cu legătura hibridă, cum
sunt: soluţiile solide ale indiului cu arsen şi
GaAs. Cu cât gradul de ionicitate – subunitar –
este mai ridicat, cu atât legătura are un caracter
ionic mai pronunţată, iar materialul are o
comportare dielectrică, mai pronunţată.
• Pentru obţinerea materialelor semiconductoare
monocristaline, se utilizează procedee de
creştere din topitură în incinte închise şi
deschise .
• Incintele închise sunt utilizate pentru creşterea
monocristalelor de dimensiuni mari, evitându-se
astfel impurificarea accidentală.
• Incintele deschise sunt utilizate pentru obţinerea
monocristalelor de dimensiuni relativ reduse,
transportul de substanţă efectuându-se prin
intermediul unui gaz.
• Metoda Csochralsky. Procesul este iniţiat cu
ajutorul unui germene monocristalin, care se
coboară în topitură, se topeşte parţial şi se
extrage apoi treptat din topitură cu viteze
cuprinse între 1-2mm/min.
• Procedeul se bazează pe existenţa unui
gradient de temperatură şi pe migrarea
moleculelor din starea lichidă către cristal,
datorită răcirii, entropia fiind mai ridicată în
cristal.
• Semiconductorul topit cristalizează pe germene
şi repetă structura acestuia, obţinându-se în final
o bară monocristalină ce are structura cristalină
identică cu structura germenului.
• Substantele cu proprietati
semiconductoare pot fi
• simple (sau substante elementare) si
• substante compuse.
• Materiale semiconductoare simple
acestea sunt reprezentate de substante
elementare care sunt in numar de 12
plasate in coloanele III-VII ale tabelului
Mendeleev,
• Bohr B
• Carbon C
• Siliciu Si
• Fosfor F
• Sulf S
• Germaniu Ge
• Arseniu As
• Seleniu Se
• Staniu Sn
• Stibiu St
• Telur T
• Indiu I
• Aceste materiale au legaturi preferential
covalente ceea ce confera cristalului
rigiditate si duritate. Inaintand in tabel spre
grupa aVII-a avem legaturi tot mai slabe.
De remarcat ca in aceasta categorie de
materiale s-a impus siliciul, dar istoric
vorbind germaniul a fost utilizat in mai
mare masura inaintea lui.
• Materiale semiconductoare compuse

• Ele se mai numesc si compusi


semiconductori sau aliaje
semiconductoare.
• Numarul acestora este in continua
crestere datorita diferitelor aplicatii pe care
le au. Ele se impart in mai multe categorii:
• compusi semiconductori binari, sunt
realizati cu elemente din diferite coloane
ale tabelului Mendeleev.
• compusi binari din grupele III-V- printre cei
mai important sunt:
• GaAs - structură cristalina cubica
• - banda interzisa Wi ≈1.35-1.4 eV
• -Sensibilitatea optoelectrica λi≈0.92μm
• - lundimea la emisie λe≈ 0.83-0.91μm
.
• compusi binari din grupele II-IV - cei mai
importanti sunt:
• CdS, ZnSe.
• Vom aminti cateva lucruri legate de
structura lor. Sulful interstitial are un rol
deosebit. Structura are o retea hexagonala
si/sau cubica cu fete centrate.
• compusi ternari:
• se folosesc tot mai mult in diferite aplicatii. Daca
se considera de exemplu
• Hg1-xCdxTe cu x ≈ 0.2
• Pb1-xSnxTe cu x ≈ 0.2
• se observa proprietati optice deosebite, ceea ce
indreptateste utilizarea lor ca materiale
fotosensibile.
• Exista si compusi cuaternari
• CuPbAsS3
• .- compusi semiconductori
oxidici se folosesc la
realizareaamestecurilor pentru
termistoare. Dintre acestia
amintim:
• TiO2, ZnO2, Cu2O, VO2, NiO
• Proprietati electrice
• Sunt determinate de insasi microstructura
materialului. Acestea sunt:
• 1. Latimea benzii interzise, ∆Wi,
reprezinta distanta energetica intre nivelul
superior al benzii de valenta si nivelul inferior al
benzii de conductie.
• La cresterea temperaturii, prin excitare termica,
electronii din BV trec in BC şi are loc o variatie
(micsorare) a latimii benzii interzise. Se va defini
deci un coeficient de temperatura al latimii
benzii interzise d∆Wi/dt care este negativ la
siliciu si germaniu.
• . Conecntratia intrinseca, ni,
• reprezinta concentratia de electroni
sau de goluri la un semiconductor
intrinsec (ni=n=p) sau radacina
patrata a produsului dintre
concentratia de electroni si goluri la
un semiconductor oarecare (ni=).
Aceasta este puternic dependenta de
temperatura
• 3. Concentratia dislocatiilor adica
concentratia de impuritati donoare,
ND, la semiconductorul de tip n sau
• concentratia de impuritati acceptoare,
NA, la semiconductorul de tip p.
• In practica se pot realiza masuratori
ale densitatii dislocatiilor:
.
• 4. Energia de activare a impuritatilor. -
nivelele energetice introduse de impuritatile
donoare in semiconductorul tip n, WD si
• nivelele energetice introduse de impuritatile
acceptoare in semiconductorul tip p, WA.
• aceste nivele enrgetice mai poarta denumirea
de energii de activare a impuritatilor donoare ,
respectiv acceptoare.
• Cat priveste energia de activare a impuritatilor
putem spune ca ea reprezinta una dintre
proprietatile electrice legate de ionizarea la
impact.
• 5. Mobilitatea purtatorilor de sarcina,
• -mobilitatea electronilor μn si
• - Mobilitatea golurilor μp,
• mobilitatea este raportul intre viteza de
deplasare a purtatorilor de sarcina datorata
accelerarii cu un camp electric. Se masoara in
cm2/V∙s.
• In practica se foloseste mobilitatea Hall
μH=RHσ cu aceeasi unitate de masura.
Mobilitatea este puternic influentata de
temperatura si de aceea se definesc coeficientii
de variatie cu temperatura dμ/dT
(absolut)n[cm2/V∙s∙0C] sau dμ/μ dT (relativ) [% /
0C].
• Durata de viata a purtatorilor minoritari este
intervalul de timp in care concentratia
purtatorilor excedentari (obtinuti printr-un proces
de injectie scade datorita proceselor de
recombinare pana la o limita care corespunde
atingerii regimului stationar (cand viteza de
generare a purtatorilor minoritari este egala cu
viteza de recombinare). Se noteaza cu τn si τp si
se folosesc in definirea vitezelor de
recombinare. In practica se mai noteaza cu τon
si τop si pentru acesta din urma putem spune
mai simplu ca reprezinta timpul de viata necesar
pentru capturarea golurilor ca purtatori
minoritari.
• Conductibilitatea electrica, este
proprietatea caracterizata de parametrul σ
numit conductivitate electrica;
• este tot un parametru care exprima
proprietati de transport.
• Conductivitatea este inversul rezistivitatii
electrice ρ.
• 8. Coeficienţii de difuzie, care reprezintă
raportul dintre fluxul particulelor şi gradientul
concentraţiei, luate în valori absolute. Aceşti
coeficienţi sunt de fapt nişte constante de
material nedepinzând de mărimile precizate ci
de raportul acestora. Atât constanta de difuzie a
electronilor Dn cât şi a golurilor Dp sunt
dependente de temperatură şi de mobilitate
Odată cu noţiunea de constantă de difuzie
putem introduce şi noţiunea de lungime de
difuzie Unităţile de măsură pentru ele sunt
cm2/s. De precizat că aceste constante sunt
proprietăţi de transport.
• Din punct de vedere al comportamentului
în câmp electric sunt importanţi doi
parametrii: câmpul de străpungere şi
constanta dielectrică εr care sunt de luat
în seamă atunci când materialul
semiconductor este prezent în structuri
asemănătoare cu cele de condensator.
• Masa efectivă a particulelor; se ştie că masa
unui electron liber este 0 şi ea ar fi putut fi
considerată la proprietăţile atomice. În cristal, în
prezenţa unui câmp electric, experimental se
determină o altă masă a electronului care în
mod uzual se numeşte masă efectivă, m*/m0
care poate fi prin apropierea valorii de 1 sau mai
departe de aceasta. De remarcat faptul că m*
este invers invers proporţional cu curbura unei
benzi electronice având în vedere punctele de
minim (vale). Se discută atât de maa efectivă a
electronilor cât şi cea a golurilor.
• . Parametrii de recombinare; a fost deja
definit coeficientul de recombinare
electron-gol sau cum am denumit-o viteza
de recombinare sau rata de recombinare.
În practică se mai utilizează şi coeficienţii
de recombinare Auger, Cn şi Cp pentru
electroni şi goluri ca valori nete. De
asemenea mai sunt definiţi şi coeficienţii
pentru recombinarea de suprafaţă. La
proprietăţile optice vom vorbi şi despre
coeficientul de recombinare radiativă.
• 12. Constanta Hall; reprezintă o constantă de
proporţionalitate în scrierea relaţiei tensiunii care
apare pe o direcţie atunci când pe o a doua
direcţie circulă prin material un curent iar pe o a
treia direcţie (toate perpendiculare) se află un
câmp, magnetic (efectul Hall). Expresiile acestor
relaţii vor fi discutate la prezentarea efectului
Hall. Constanta Hall, RH, se măsoară în cm3/C
şi este dependentăde concentraţia de purtători
în material şi de temperatura materialului.
Trebuie să specificăm că în funcţie de constanta
Hall se defineşte şi mobilitatea Hall µH=RH/σ a
purtătorilor.
• Alte câteva constante de material vor fi
definite odată cu prezenarea unor efecte
în materialele semiconductoare. Ele
definesc, de altfel, proprietăţi de material
de legături: termoelectrice, coeficientul
Seebeck, magnetoelectric,
magnetorezistenţa, etc.
• Proprietăţi termice
• 1. Capacitatea calorică specifică, c, care
reprezintă cantitatea de căldură necesară
pentru ca 1kg dintr-un material să se
“încălzească” cu 1°C,
• 2. Capacitatea calorică molară, CV=crM
• 3. Conductivitatea termică, K, este o proprietate de
transport care cuantizează transferul energiei termice de
la locul cald la locul rece. Acest parametru este
important din punct de vedere al transmisiei căldurii de la
joncţiunile unde apar surse calorice deosebite. Utilitatea
este în modul de calcul la proiectarea tehnologică.
• Trebuie să menţionăm aici ca o observaţie că la metale
există o relaţie de interdependenţă între conductivitatea
termică K şi conductivitatea electrică σ. Aceasta este
cunoscută sub numele de relaţia Wiedemann şi Franz.
• 4. Temperatura de topire este dată în tabele pentru
fiecare semiconductor
• 5. Coeficientul de dilatare liniară, α.este dat în tabele
• Proprietăţi mecanice, elastice şi de
vibraţii
• 1. Densitatea materialului, adică masa
unităţii de volum;
• 2. Duritatea, care poate fi exprimată în
unităţi de diferite scări ale durităţii;
• 3. Planul de clivaj, exprimat în
coordonate;
• 4. Alungirea sau rezistenţa la întindere
şi compresiune; există aici şi coeficientul
de alungire liniară;
• 5. Constantele elastice; deoarece aici este
vorba de materiale anizotrope nu putem vorbi de
o constantă elastică ci de constante pe direcţii
referenţiale;
• 6. Viteza undei acustice este importantă atunci
când materialele sunt utilizate la realizarea unor
dispozitive speciale cu undă elastică
• 7. Frecvenţa fonică şi energia fotonului optic;
cuanta de vibraţie a reţelei cristaline a fost
denumită conform modelului Einstein foton. Se
poate vorbi şi de undele fotonice deoarece ele
se transmit în reţea de la o particulă la alta
considerându-se legate între ele cu o legătură
elastică.
• 2.3 Proprietăţi optice
1. Indicele de refracţie, n, definit de viteza
luminii prin două medii diferite
2. n=Cvid/C
2. Indicele de refracţie în infraroşu se
referă la acelaşi lucru ca mai sus cu
observaţia că se lucrează cu unde
electromagnetice din domeniul
infraroşului.
• 3. Constanta de amortizare (constanta
de absorbţie, indice de atenuare); toate
aceste denumiri sunt echivalente
• Descreşterea este în mod special mai
puternică în metale şi mai puţin intensă în
materiale dielectrice cum ar fi sticla. În
semiconductoare este la fel ca la metale
Adâncimea de pătrundere şi absorbanţa;
având în vedere că un câmp E este greu de
măsurat.
se poate defini W – adâncimea de
pătrundere caracteristică ca fiind distanţa
(după z) la care intensitatea luminii care
pătrunde în material descreşte cu I/e:


z W 
4k
• Valoarea inversă a lui W numită adesea
atenuare sau absorbanţă
• Să facem o remarcă în sensul deosebirii
dintre constanta de amortizare (sau constanta
de absorbţie sau indice de atenuare) şi această
constantă de atenuare α, Prima este o constantă
a materialului iar cea de-a doua este, după cum
se observă din relaţia dependentă de prima dar
şi de lungimea de undă a radiaţiei folosite.
• Reflectivitatea R şi transmitanţa T; considerând că
asupra unui material este plasată o undă incidentă de
intensitate I0 atunci vom constata:
• -IR – intensitatea undei care se va reflecta
(acveasta va reprezenta foarte mult în unele cazuri,
aproape 99%);
• -IT – intensitatea undei transmise mai departe;
aceasta va fi mare la unele materiale (sticla) dar destul
de mică la semiconductoare.
• Se vor defini doi parametrii:
• -R – reflectivitatea:
• R=IR/I0
• -T – transmisivitatea (transmitanţa):
• T=IT/I0
• 6. Coeficientul de recombinare radiativă
reprezintă viteza de recombinare electron-
gol, recombinare în urma căreia rezultă o
radiaţie luminoasă.
. Funcțiile materialelor
semiconductoare
• Funcția de conducție comandată de
tensiune
• 2. Funcția de conversie opto-
electronică
• 3.Funcţia de detecţie a radiaţiilor
nucleare
• 4.Funcţia de conversie electro-optică
• 5.Funcţia de conversie termo–
electrică
• 6.Funcţia de conversie
magneto–electrică
• 7. Funcția de conversie
mecano-electrică
• Funcția de conducție comandată de tensiune
• Aceasta se bazează pe fenomenul de
perturbare a disatribuției purtătorilor de sarcină
sub influența unui câmp electric intern sau
aplicat din exterior.
• Aplicarea unei tensiuni electrice U, respectiv a
unui câmp electric de intensitateE=-grdU, unui
semiconductor omogen determină modificarea
nivelelor și benzilor energetice.
• Într-un semiconductor de tip n, sub influența
câmpului electric E,electronii de conducție sunt
accelerați, deplasîndu-se de-a lungul liniilor de
câmp. opus sensului de deplasare al
electronilor.
• În urma interacțiunilor cu rețeaua cristalină,
electronii pierd parțial sau total energia lor
cinetică, pe care o cedează fotonilor rețelei.
Datorită prezenței prezenței câmpului electric,
electronii dobândesc din nou energie, iar în final
rezultă o mișcare dirijată a electronilor, care
reprezintă contribuția lor la curentul electric prin
semiconductor. Printr-un proces similar, se
desfășoară conducția realizată de goluri, care
sunt purtătorii minoritari, sensul deplasării fiind
sensul câmpului electric aplicat și opus sensului
de deplasare al electronilor.
• În cazul în care materialul semiconductor
conține o concentrație neuniformă de
purtători de sarcină pe o direcție oarecare
rezultă prin injecție spațială de purtători ,
proces numit dopare, apare un camp
electric interior sau imprimat, care
determină un proces de difuzie a
purtătorilor de sarcină, densitățile
corespunzătoare curenților de electroni
sau goluri :
• Dn și Dp sunt coeficienții de difuzie ai
purtătorilor de sarcină.
• Pentru a îndeplini funcția de conducție
electrică comandată în tensiune, se
impune ca valorile conductivității electrice
să fie controlabile și reproductibile ndin
punct de vedere tehnologic, iar
permitivitatea reală să fie redusă pentru
micșorarea capacităților parazite. Astfel de
materiale sunt : Si, GaAs, Ge, GaN
• Funcția de conversie opto-
electronică
• Radiațiile electromagnetice incidente
pe suprafața unui material
semiconductor, generează purtători de
sarcină , care se vor deplasa dirijat sub
acțiunea unui câmp electric exterior.
• Prezintă interes radiațiile din spectrul
infraroșu, vizibil și ultraviolet.
• Radiaţia electromagnetică este parţial
reflectată şi parţial absorbită de
materialul, partea Absorbită
determinând ionizarea atomilor reţelei
şi crearea de purtători de sarcină liberi
(efect fotoelectric intern).
• Pentru energii mariale ale radiaţiilor,
electronii sunt extrași din material şi emiși în
exterior (efect fotoelectric extern).
• Absorbţia proprie reprezintă interacţiunea
dintre un foton cu energie
Ef = hν,
• Şi un electron de valenţă care trece în banda
de conducţie, escaladând banda interzisă de
lăţime ΔEg, atunci când: Ef >Eg ,
• creându-se astfel un gol.
• Absorbţia proprie apare la
semiconductorii intrinseci,iar
lungimea de undă limită, care
reprezintă lungimea maximă şi
corespunde frecvenţei minime, şi
care pentru siliciu, are valoarea
λi =1,1μm,
• În domeniul lui infraroşu.
• Generarea purtătorilor de sarcină prin
efect fotoelectric intern este contracarată
de un proces de recombinare, care are ca
efect micşorarea numărului purtătorilor de
sarcină, cu o viteză de recombinare Vr,
proporţională cu concentraţia de purtători
în exces n, pentru electroni şi Δp pentru
goluri, în prezenţa iluminării.
• Conductivitatea totală a materialului
σt, are o componentă σ
• Corespunzătoare absenţei iluminării şi o
componentă de fotoconductivitate Δσ:
• σt=σ+ Δσ
• . Funcția de conversie opto-electronică
• Pentru îndeplinirea funcției de conversie
optoelectronică este necesar ca
materialul Semiconductor să prezinte:
• sensibilitate ridicată faţă de radiaţia
electromagnetică, constantă într-un
domeniu larg de lungimi de undă, sau
dimpotrivă să prezinte un maximpentu o
anumită lungime de undă;
• valori mari ale timpilor de viaţă ai
purtătorilor în exces, pentru evitarea
procesului de recombinare;
• Mobilităţi ridicate σn, σp, pentru
asigurarea unor viteze mari de răspuns
• conductivităţi reduse în absenţa
iluminării, pentru asigurarea unui raport
semanal/zgomot ridicat.
• 3.Funcţia de detecţie a radiaţiilor
nucleare
• Radiaţia nucleară este formată fie din
electroni (radiaţia β), fie din particule
nucleare grele, cu masă mult mai mare
decât masa electronului, cu sau fără
sarcină electrică, aşa cum sunt
protonii,neutronii,deutronii,tritonii.,sau
radiaţia electromagnetică cu energie
ridicată,cum este radiaţia X sau γ
• Particulele nucleare încărcate electric,
generează perechi electron – gol, spre
deosebire de neutroni, sau radiaţia β,
care produc într-o primă etapă, particule
încărcate electric şi care ulterior
generează perechi electron–gol.
• Procesul de stopare electronică,este un
proces de interacţiune neeleastică, care
apare la viteze mari ale particulelor
incidente şi în care energia particulei
determină excitarea, sau emisia
electronilor. Stoparea nucleară
reprezintă o interacţiune în care particula
incidentă imprimă atomilor reţelei
cristaline o mişcare de translaţie.
• Puterea de stopare PS, reprezintă
pierderea de energie a particulei pe
unitatea de lungime a traiectoriei
parcurse în materialul semiconductor,iar
parcursul mediu lo, reprezintă lungimea
medie a traiectoriei parcurse de particulă
până la oprire
• 4.Funcţia de conversie electro-
optică
• Materialele semiconductoare
electro-luminescente funcţionează
pe baza proprietăţii de emisie a
radiaţiei luminoase atunci când
materialului i se aplică un câmp
electric, sau este parcurs de
curent electric.
• Procesul care determină emisia
optică, este replica procesului
prin care se absoarbe radiaţia
electromagnetică. Sub influenţa
câmpului sau curentului
electric ,electronii ocupă nivele
energetice şi revin pe nivele
inferioare printr-un proces de
recombinare
• Mecanismele de recombinare radiativă a
purtătorilor de sarcină în exces, sunt
realizate prin excitaţie intrinsecă, care
constă în ionizarea prin ciocnire a
impurităţilor în prezenţa unui câmp electric
intens (E10MV/m)
• prin excitaţie datorată injecţiei de
curent electric, prin multiplicare în
avalanşă,
• prin excitaţie optică,
• prin efect tunell
• După durata proceselor de recombinare,
emisia optică se numeşte

• fluorescente ,(pentru durate


cuprinse între:10-510-8s) sau
• fosforescenţă (pentru durate
Cuprinse între:1104 s).
• Mecanismele de recombinare sunt de mai
multe
• Recombinarea directă are loc atunci când
electronul trece din banda de conducţie în
banda de valenţă, cu eliberare de energie
radiativă(cu emisia unui foton),sau
neradiativă când energia electronului este
cedată reţelei cristaline, (care absoarbe un
fonon).
• Recombinarea indirectă are loc prin
intermediul unor nivele energetice plasate
în banda interzisă,în procesul de
recombinare fiind implicaţi şi fononii care
caracterizează stările vibraţionale ale
reţelei cristaline.
• Recombinarea indirectă, prin care
electronul de conducţie ocupă într-o primă
etapă un nivel local, iar ulterior trece în
banda de valenţă, are un caracter
predominant neradiativ.
• Recombinarea prin alipire este caracteristica
semiconductorilor extrinseci de tip„p“(pentru
care, impurităţile sunt ionizate la temperatura
ambiantă)şi constă în captarea unui electron de
conducţie de către un ion acceptor.
• Procesele de recombinare radiativă pot
avea un caracter spontan, corespunzător
unei stări de echilibru termic sau stimulat,
corespunzător unei stări de dezechilibru
provocat
• Recombinarea spontană generează
fotoni cu direcţii, frecvenţe şi faze
aleatoare, emisia fiind incoerentă,
• iar recombinarea stimulată generează
fotoni cu aceeaşi frecvenţă şi aceeaşi
direcţie,emisia fiind coerentă.
• .
• La emisia stimulată, se generează un
foton care are aceeaşi frecvenţă, direcţie
de propagare şi fază ca şi fotonul
stimulator Atunci când mai mulţi electroni
se află în starea de excitaţie E2,decât în
starea fundamentală E1, iar tranziţia este
determinată prin intermediul unui foton,
sistemul prezintă inversie de populaţie.
• În prezenţa unui câmp de radiaţie cu:
• h=E2 –E
• emisia stimulată va depăşi absorbţia
fotonilor şi mai mulţi fotoni cu energie
hvor depăşi sistemul, în comparaţie cu
numărul de fotoni care intră în sistem.
Acest proces se numeşte amplificare
cuantică.
• Pentru ca materialul semiconductor să
constituie o sursă optică, este necesar
ca emisia radiativă prin recombinare
stimulată să fie mai pronunţată decât
absorbţia luminoasă, ceea ce se poate
realiza printr-o inversiune de populaţie.
• Inversiuneade populaţie constă în
ocuparea cu electroni a nivelelor
inferioare ale benzii de conducţie până la
pseudonivelul Fermi EFn şi eliberarea
nivelelor superioare ale benzii de valenţă
până la pseudonivelul Fermi EF
• Funcţia de conversie termo–electrică
• Din expresiile conductivităţii materialului
semiconductor, rezultă posibilitatea
interacţiunii dintre câmpul termic şi câmpul
electric din interiorul materialului întru-cât
atât numărul de purtători de sarcină cât şi
timpul lor de relaxare, depind de
temperatură. Prin urmare, temperatura
poate influenţa sau chiar genera curentul
electric prin semiconductor.
• Pentru îndeplinirea funcţiei de conversie termo -
electrică, se impune ca:
• materialele semiconductoare să prezinte:
coeficient de variaţie cu temperatura,
• timp de relaxare redus, pentru viteze de răspuns
ridicate,
• conductivitate redusă, pentru asigurarea
sensibilităţilor ridicate;
• stabilitate termică şi
• tensiune diferenţială ridicată.
• Astfel de materiale sunt oxizii de Cu, Co, Cr, Ni,
Mn precum şi SnSb ,PbSb,InSb,GaAs.
• 6.Funcţia de conversie magneto–electrică
• Presupunem un material semiconductor parcurs de
un curent electric,plasat într-un câmp magnetic
transversal
• Sub influenţa câmpului electric E, aplicat
semiconductorului,o particulă încărcată cu sarcină
pozitivă, se va deplasa de a lungul liniilor câmpului
electric în absenţa unui câmp magnetic exterior.
• În prezenţa câmpului magnetic exterior H cu
orientare transversală faţă de câmpul
• Eforţa Lorentz care acţionează asupra particulei, are
şi ocomponentă
• transversalăpedirecţiademişcare,iartraiectoriaparticu
leisecurbeazăînsensul
• forţeiLorentz,acăreiexpresieeste:
• Eforţa Lorentz care acţionează asupra
particulei, are şi ocomponentă
• Transversală pe direcţia de mişcare ,
iar traiectoria particulei se curbează în
sensul forţei Lorentz,
• pe suprafaţa S1, se vor acumula
sarcini electrice pozitive,iar pe
suprafaţa S2, sarcini electrice negative,
rezultând un câmp electric numit câmp
Hall EH :
• . Funcția de conversie mecano-electric
• Interacțiunea mecano- electrică se manifestă
fie sub forma unei dependențe a energiei
electronilor din banda de conducţie,de
gradul de distorsionare a reţelei
cristaline, fie subforma unui efect
piezoelectric asemănător celui întâlnit la
materialele dielectrice..
• Interacţiunea prin efect piezoelectric există
atât în regim staţionar cât şi
• variabil,iarcâmpulelectricprodusdeodeformaţ
ieSdepindedefrecvenţă.
• Primul tip de interacţiune care apare la
deformări ale reţelei cristaline de tip
armonic şi la frecvenţe ridicate
(f>199GHz) generează un potenţial de
deformaţieUd deforma:
• Ud =σd S
• unde:σ este constanta de material ,iar
S reprezintă deformarea elastică.
• Interacţiunea prin efect piezoelectric
există atât în regim staţionar cât şi
• variabil,iar câmpul electric produs de o
deformaţie S depinde de frecvenţă.
• Pentru îndeplinirea funcţiei de conversie
mecano–electrică este necesar ca
materialele semiconductoare să prezinte
rezistivităţi,mobilităţi ale purtătorilor şi
coeficienţi piezoelectzrici ridicaţi, iar
constantele de atenuare ale undelor
elastice de volum şi de suprafaţă să fie
reduse.
• Astfel de materiale sunt: CdS,
CdSe ,ZnO, GaA
• SFÂRŞIT