DISPOZITIVE ELECTRONICE

ȘI CIRCUITE
Notiţe de curs
Cursul nr. 8
Conf. Dr. Ing. Gheorghe PANĂ
gheorghe.pana@unitbv.ro
Probleme tratate
Tranzistorul cu efect de câmp
metal-oxid-semiconductor (TECMOS)
• Istoric
• Structură și funcționare
• Caracteristica iD(vDS)

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 2

TECMOS - istoric
 1926: Julius Lilienfeld are ideea de a
comnada curentul printr-un dispozitiv cu
ajutorul tensiunii aplicate pe un electrod de
comandă (numit poartă);
 1960: D. Kahng și John M. Atalla anunță

fabricarea primului TECMOS;

 1962 se fabrică primul circuit integrat (CI)

conținând 16 TECMOS;

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 3

TECMOS - istoric
 1963: Frank Wanlass și C. T. Sah introduc
conceptul de CMOS (MOS complementar
alcătuit din NMOS – MOS cu canal n și
PMOS - MOS cu canal p);
 1971: Marcian Ted Hoff și echipa (Stan

Mazor, Hal Feeney, Masatoshi Shima,

Federico Faggin) produc primul
microprocesor pe 4 biți INTEL 4004.
Unitatea centrală de procesare conținea
aproximativ 2300 tranzistoare MOS;

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 4

TECMOS - istoric
 În prezent, fabricarea CI digitale se bazează
pe tehnologia MOS și în special pe
tehnologia CMOS.

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 5

TECMOS - istoric
Evoluția microprocesoarelor

Year Product Process type Line width (nm) Transistors (Million)

1971 4004 PMOS 10000 0.0023
1972 8008 PMOS 10000 0.0035
1974 8080 NMOS 6000 0.006
1976 8085 NMOS 3000 0.0065
1978 8086 NMOS 3000 0.029
1979 8088 NMOS 3000 0.029
1982 80286 CMOS 1500 0.134
1985 80386DX CMOS 1500 0.275
1989 80486DX CMOS 1000 1.2

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 6

TECMOS - istoric
Evoluția microprocesoarelor - continuare
Year Product Process type Line width (nm) Transistors (million)
1992 80486DX2 BiCMOS 800 1.2
1993 Pentium BiCMOS 800 3.1
1994 80486DX4 BiCMOS 600 1.6
1995 Pentium Pro BiCMOS 350 5.5
1997 Pentium II CMOS 350 7.5
1998 Celeron CMOS 250 19
1999 Pentium III CMOS 180 28
2000 Pentium 4 CMOS 180 42
2001 Pentium 4 CMOS 130 55

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 7

TECMOS - istoric
Evoluția microprocesoarelor - continuare

Line width Transistors

Year Product Process type
(nm) (million)
2001 Itanium CMOS 180 25
2002 Itanium II CMOS 130 220
2003 Pentium 4 CMOS 90 125
2005 Pentium 4 CMOS 65 169
2006 Core 2 CMOS 65 291
Core 2
2007 CMOS 45 410
(Penryn)

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 8

TECMOS - istoric
Evoluția microprocesoarelor - continuare

Transistors
Year Product Process type Line width (nm)
(million)
2008 Core i7 CMOS Bloomfield-45 Bloomfield-731
Lynnfield-45 Lynnfield-774
Clarkdale-32 Clarkdale-382
2009 Core i5 CMOS Sandy Bridge-32 Sandy Bridge-
504-1160
Ivy Bridge-22 Ivy Bridge-1400
Clarkdale-32 Clarkdale-382
2010 Core i3 CMOS Sandy Bridge-32 Sandy Bridge-624
Ivy bridge-22

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 9

TECMOS – introducere
 TECMOS face parte din familia dispozitivelor cu 3
terminale la care tensiunea dintre 2 terminale
controlează curentul prin cel de al 3-lea terminal
 se poate folosi ca o sursă de curent controlată;
 constituie elementul de bază dintr-un amplificator;
 este elementul de bază în realizarea unui inversor logic
(limitele extreme ale semnalului de comandă determină variaţia
curentului prin cel de al 3-lea terminal între zero şi o valoare
mare, permiţând dispozitivului să acţioneze ca un comutator);
 poate realiza numeroase funcţii analogice şi digitale.

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 10

TECMOS – introducere
 Comparație cu TB
 TEC-MOS ocupă arie mai mică;
 procesul de fabricaţie al TEC-MOS este mai simplu;
 funcţionarea TEC-MOS necesită mai puţină energie
electrică de alimentare.
 Se pot implementa:
 circuite VLSI (Very Large Scale Integrated) ca memorii
şi microprocesoare;
 circuite analogice ca amplificatoare şi filtre;
 circuite analogice şi digitale pe acelaşi cip (circuite
mixte).

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 11

TECMOS
Structură şi funcţionare
 TEC-MOS sunt de 2 tipuri:
 TEC-MOS cu canal indus sau cu îmbogăţire
(enhancement type MOSFET) şi
 TEC-MOS cu canal iniţial sau cu sărărcire
(depletion type MOSFET)
 Deosebirea majoră constă în modul de
formare a canalului conductor:
 La TEC-MOS cu îmbogăţire, canalul apare numai
la polarizarea electrodului de comandă;
 La TEC-MOS cu sărăcire există canal şi în absenţa
tensiunii de polarizare a electrodului de comandă.

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 12

TECMOS
Structură şi funcţionare
Structura

Notare prescurtată
a terminalelor:

S=sursa (source)
D=drena (drain)
G=poarta (gate)
B=substratul (body)

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 13

TECMOS
Structură şi funcţionare

 Stratul de bioxid de siliciu are o grosime tipică

tox=2-50nm;
 Poarta este izolată de canal, astfel încât curentul de
poartă este foarte mic, de ordinul 10-15 A (femto
amper);
 L=lungimea canalului;
 W=lăţimea canalului;
 Tipic L este cuprins între 0,1m şi 3m iar W între

0,2m şi 100m.

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 14

TECMOS
Structură şi funcţionare
Funcţionarea la tensiune
de poartă zero
 In lipsa tensiunii de polarizare de pe poartă,

între D şi S se află 2 diode conectate în

opoziţie, ceea ce împiedică circulaţia
curentului de la D la S, indiferent de
valoarea tensiunii VDS aplicate.
 Calea dintre D şi S are rezistenţa foarte
mare, de ordinul 1012Ω. S (t ip n ) D (t ip n )

B (t ip p )

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 15

TECMOS
Structură şi funcţionare
Crearea canalului conductor

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 16

TECMOS
Structură şi funcţionare
Crearea canalului conductor

 Tensiunea pozitivă de pe poartă determină

respingerea golurilor din substratul de sub
poartă.
 Golurile părăsind substratul şi migrând mai jos

lasă în urmă o regiune golită (sărăcită) de

purtatori de sarcină.
 Tensiunea pozitivă atrage în canal electronii din

regiunile n+ de sursă şi drenă, unde se află în

număr mare.

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 17

TECMOS
Structură şi funcţionare
Crearea canalului conductor

 Când în vecinătatea suprafeţei substratului

de sub poartă se atrage un număr suficient
de mare de electroni, se creează o regiune n
care conectează (uneşte) regiunea de sursă
la (cu) cea de drenă.
 Dacă se aplică o tensiune între drenă şi

sursă, electronii mobili pot susţine un

curent prin canal.

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 18

TECMOS
Structură şi funcţionare
Crearea canalului conductor

 Valoarea tensiunii VGS, la care se acumulează un

număr suficient de mare de electroni pentru a se
forma un canal, se numeşte tensiune de prag, VP.
 La n-MOS, tensiunea VP este pozitivă iar la p-
MOS negativă.
 Valoarea tensiunii de prag se controlează în

timpul procesului de fabricaţie şi se află în

domeniul 0,5V şi 1V.

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 19

TECMOS
Structură şi funcţionare
 Poarta şi canalul se comportă ca un
condensator plan-paralel, oxidul având rol
de dielectric.
 Tensiunea pozitivă (la n-MOS) aplicată pe

poartă determină acumularea de sarcini

electrice pozitive pe armătura superioară
(electrodul de poartă).

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 20

TECMOS
Structură şi funcţionare
 Sarcina corespondentă de pe armătura
inferioară este alcătuită din electronii din
canalul indus.
 In felul acesta se dezvoltă un câmp electric

transversal (în direcţie verticală) care

controlează cantitatea de sarcină din canal,
determinând conductivitatea canalului şi
dacă se aplică o tensiune VDS, prin canal va
circula un curent.

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 21

TECMOS
Structură şi funcţionare
Funcţionarea la VDS mic
 VDS mic ≈ 50mV

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 22

TECMOS
Structură şi funcţionare
Functionarea la VDS mic
 Mărimea curentului I depinde de densitatea de
D
electroni din canal care, la rândul ei, depinde de
mărimea tensiunii VGS.
 La VGS=VP canalul abia începe să se formeze şi
curentul prin el este foarte mic.
 Când V
GS depăşeşte valoare VP, tot mai mulţi
electroni sunt atraşi în canal şi creşte adâncimea
canalului.
 Creşte astfel conductanţa canalului şi scade

rezistenţa lui.

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 23

TECMOS
Structură şi funcţionare
Funcţionarea la VDS mic
 Conductanţa canalului este proporţională cu
tensiunea de poartă în exces (VGS-VP).
 Rezultă că ID va fi proporţional cu (VGS-VP) şi,
de asemenea, cu tensiunea VDS care
determină curgerea curentului ID.

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 24

TECMOS
Structură şi funcţionare
Funcţionarea la VDS mic – caracteristica iD(vDS)

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 25

TECMOS
Structură şi funcţionare
Funcţionare pentru vDS crescător
 Se lasă vGS la o valoare constantă şi mai mare decât VP

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 26

TECMOS
Structură şi funcţionare
Funcţionare pentru vDS crescător
 Tensiunea dintre poartă şi canal scade de la vGS din
dreptul sursei la (vGS-vDS) din dreptul drenei.
 Adâncimea canalului depinde de aceasta tensiune.
In consecinţă adâncimea canalului este mai mare la
sursă şi mai mică la drenă.
 Pe măsură ce vDS creşte, canalul devine tot mai
îngust în dreptul drenei şi creşte rezistenţa sa.
 Acest lucru determină curbarea caracteristicii iD(vDS).

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 27

TECMOS
Structură şi funcţionare
Funcţionare pentru vDS crescător

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 28

TECMOS
Structură şi funcţionare

Funcţionare pentru vDS crescător

 Regiunea caracteristicii în care vDS<vDSsat se
numeşte regiunea de triodă, datorită asemănării
funcţionării MOS-ului cu cea a tubului cu vid
numit triodă;
 Dispozitivul funcţionează în regiunea de

saturaţie pentru vDS≥vDSsat;

 Pentru fiecare valoare vGS≥VP corespunde o
valoare vDSsat.

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 29

TECMOS
Structură şi funcţionare
Relaţia iD=f(vDS)
 Se presupune că vGS>VP;
 Se consideră modul de lucru din regiunea de triodă
pentru care canalul este continuu şi vDS<(vGS-VP).
 Cox reprezintă capacitatea pe unitate de arie a
condensatorului format din armăturile poartă și
canal, având ca dielectric stratul de oxid, cu
grosimea tox:
Cox  ox
Obs. La condensatorul plan: C  d
 S
tox

unde εox reprezinta permitivitatea bioxidului de siliciu

(εox=3.9 ε0=3.9x8.854x10-12F/m=3.45x10-11F/m)
DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 30
TECMOS
Structură şi funcţionare
 Se consideră o fâşie infinitezimală (foarte
îngustă) din poartă (dx), la distanta x de la
sursă:

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 31

TECMOS
Structură şi funcţionare

 Sarcina dq din fâşia

infinitezimală în punctul x este:
dq  Cox WdxvGS  vx   VP 

 Tensiunea vDS produce un câmp electric de-a

lungul canalului în direcţia negativă a lui x:
dvx 
E x   
dx

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 32

TECMOS
Structură şi funcţionare

 Câmpul electric E(x) determină sarcina dq să se

deplaseze prin canal cu viteza dx/dt:
dx dvx 
   n E x    n
dt dx

 unde n reprezintă mobilitatea electronilor din canal

(numită mobilitate de suprafaţă), măsurată în m2/(Vs);
 n este un parametru fizic a cărui valoare depinde de
procesul de fabricaţie.

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 33

TECMOS
Structură şi funcţionare

 Curentul de deplasare care rezultă este

dq dq dx
i  
dt dx dt
dvx 
i    nCoxW vGS  vx   VP 
dx

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 34

TECMOS
Structură şi funcţionare

 Cu toate că evaluarea s-a făcut într-un punct

din canal, curentul i trebuie sa fie constant
de-a lungul canalului şi egal cu iD:
dvx 
iD  i   nCoxW vGS  vx   VP 
dx

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 35

TECMOS
Structură şi funcţionare
 Relaţia poate fi rearanjată
iD dx  nCoxW vGS  vx   VP dvx 

 Integrând ambii termeni ai ecuaţiei de la x=0

la x=L, respectiv de la v(0)=0 la v(L)=vDS,
rezultă: L v DS

i
0
D dx    C W v
0
n ox GS  VP  vx dvx 

 de unde:
W  1 2 
iD   nCox   vGS  VP vDS  vDS 
L  2 
DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 36
TECMOS
Structură şi funcţionare
 In zona de saturaţie se înlocuieşte
vDS=(vGS-VP) şi rezultă:
1 W 
iD   nCox  vGS  VP 
2

2 L

şi se observă că iD nu depinde de vDS de

unde provine atributul de ”saturație”

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 37

TECMOS
Structură şi funcţionare
 Constanta nCox este determinată de procesul
tehnologic de fabricaţie a TEC-MOS.
 Se cunoaşte sub denumirea de parametru

transconductanţă de proces deoarece

determină valoarea transconductanţei
TEC-MOS.
 Se notează cu k’ şi se exprimă în A/V2:
n
'
k   nCox
n

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 38

 '
k   nCox
n
TECMOS
Structură şi funcţionare
 Relaţia curentului în cele 2 regiuni în funcţie
de transconductanţa de proces se scrie:
 In regiunea de triodă:
W  1 2 
 vGS  VP vDS  vDS 
'
iD  k n
L  2 

 In regiunea
1 '  Wde
 saturaţie:
k n  vGS  VP 
2
iD 
2 L

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 39

 W 
iD  f  
TECMOS L

Structură şi funcţionare
 Relaţiile curentului de drenă arată
dependenţa acestuia de raportul dintre
lăţimea W şi lungimea L ale canalului,
cunoscut ca raportul de aspect al TEC-MOS.
 Valorile W şi L se pot modifica de către

proiectant cu scopul de a obţine caracteristica

iD(vDS) dorită.

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 40

TECMOS
Structură şi funcţionare
 Pentru un proces de fabricaţie dat se poate
defini o lungime minimă de canal, Lmin care
reprezintă astfel o caracteristică a procesului
de fabricaţie:
 2000 – 180nm
 2001 – 130nm
 2003 – 90nm
 2005 – 65nm
 2007 – 45nm
 2009 – 32nm
 2011 – 22nm

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 41

TECMOS
Structură şi funcţionare
TEC-MOS cu canal p
 TEC-MOS cu îmbogăţire şi canal p se fabrică

pe un substrat de tip n cu regiuni p+ pentru

drenă şi sursă şi are ca purtători de sarcină
golurile.
 Dispozitivul lucrează la fel ca cel cu canal n,

cu deosebirea că tensiunile vGS, vDS şi VP sunt

negative.
 Sensul convenţional al curentului este de la

sursă spre drenă.

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 42

TECMOS
Structură şi funcţionare
MOS complementar (CMOS)
 Tehnologia utilizează ambele tipuri de

tranzistoare MOS: nMOS şi pMOS.

 Circuitele CMOS sunt mai greu de realizat decât

cele nMOS.
 Tehnologia CMOS se foloseşte la realizarea atât

a circuitelor analogice cât şi a celor digitale.

 Multe aplicaţii care anterior se implementau cu

tranzistoare bipolare, după anul 2000

s-au putut implementa cu CMOS.

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 43

TECMOS
Structură şi funcţionare
MOS complementar (CMOS)

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 44

TECMOS
Structură şi funcţionare
Funcţionarea TEC-MOS în regiunea de subprag
 Descrierea funcţionării nMOS de până acum implică

lipsa circulaţiei curentului pentru vGS<VP,

dispozitivul considerându-se blocat.
 Situaţia nu este intrutotul adevărată, deoarece

s-a constatat că pentru valori ale vGS mai mici decât

VP dar apropiate de VP, curge un mic curent de
drenă.
 In această funcţionare subprag, curentul de drenă

are o variaţie exponenţială în funcţie de vGS,

asemănător cu dependenţa iC-vBE de la TB.

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 45

 G-poarta (Gate)
D-drena
TECMOS S-sursa
B-substratul (Body)

 Simbolul TEC-MOS din circuite:

nMOS pMOS
D D

G G

S S
B
B

D D MOS cu canal indus

G G

S S

D D
Simboluri utilizate în
MOS cu canal initial
cazul în care
G G
substratul este
conectat cu sursa.
S S

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 46

TECMOS
Caracteristica iD(vDS)
 Caracteristica se poate determina în c.c sau la frecvenţe joase
şi de aceea se numeşte caracteristică statică.

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 47

TECMOS
Caracteristica iD(vDS)
Regiunile de funcționare:
1. Regiunea de trioda
în care vGS>VP iar vDS<vGS-VP
(vDS mai mic decât vGS cel putin cu VP volţi)
W 1 2 
iD  kn' v
 GS  VP v DS  vDS 
L 2 

 Dacă vDS este suficient de mic astfel încât se

poate neglija termenul la pătrat, se obţine
pentru caracteristica în vecinătatea originii:
W
iD  k n' vGS  VP vDS  dependenta liniara intre i D si v DS
L

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 48

TECMOS
Caracteristica iD(vDS)
Regiunile de funcționare:
 în vecinătatea originii,

corespunde funcţionării
TEC-MOS ca rezistenţa liniară rDS
a carei valoare este controlată de vGS.
 Rezistenţa rDS se scrie:
1
vDS  W  W
rDS   k n' VGS  VP  iD  k n' vGS  VP vDS
iD vDS mic  L  L
vGS VGS

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 49

TECMOS
Caracteristica iD(vDS)
Regiunile de funcţionare:
2. Regiunea de saturaţie
vGS≥VP şi vDS≥vGS-VP.
nMOS cu îmbogăţire funcţionează
în regiunea de saturaţie atunci când vGS este
mai mare decât VP şi tensiunea de drenă nu
scade sub valoarea celei de poartă cu mai
mult de VP volţi.
 Hotarul dintre regiunea de triodă şi cea de
saturaţie este pentru: vDS  vGS  VP

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 50

TECMOS
Caracteristica iD(vDS)
Regiunile de funcţionare:

Pentru vDS=vGS-VP, rezultă

1 'W
iD  k n vGS  VP 
2

2 L

 Relaţia permite determinarea caracteristicii

de transfer iD=f(vGS)

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 51

TECMOS
Caracteristica de transfer
Pentru nMOS cu canal indus:

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 52

TECMOS
Caracteristica de transfer
 Modelul echivalent de circuit la semnal mare,
funcţionând în regiunea de saturaţie:
iG=0 iD

G D
+ +

vGS vDS

- -

vGS>VP
S vDS>vGS-VP

DEC-I Cursul nr. 8 10/11/2022 53